플라즈마 처리장치 document_id 1019940026833

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 유도수단은 상기 처리실의 외부에 배치된 고주파 안테나와, 상기 고주파 안테나 및 상기 처리실의 사이에 위치하는 절연부재가지는플라즈마 처리장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 고주파 안테나로부터 상기 처리실로 정전계가 인가되는 것을 방지하기 위하여 상기 고주파 안테나와 상기 절연부재의 사이에 배치되는정전시일드수단더욱포함하여구성되는플라즈마 처리장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 처리실은 피처리물과 대면하고 상기 절연부재로 구성되는 벽부분을 가지며, 상기 고주파 안테나는 상기 벽 부분에 놓인 스파이어럴 안테나가지는플라즈마 처리장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 안테나는 상기 안테나의 내부 끝단에 형성된 내부 단자와, 상기 안테나의 외부 끝단에 형성된 외부 단자 및, 상기 단자들 사이에 형성된 적어도 한개의 중간단자를 가지며, 단자들은 각각 상기 고주파 전압인가수단에 접속되어 상기 내부단자와 상기 중간단자의 사이와, 상기 중간단자와 상기 외부단자의 사이 및 상기 중간단자와 상기 고주파 전압인가 수단의 사이에 전류가 흐르도록 하고, 상기 제어수단은 독립적으로 전류제어하는플라즈마 처리장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 고주파 전압인가수단을 제어하기 위한 제어수단은, 인가될 전압이 피처리물에 관한 처리시에 간헐적으로 인가되고, 플라즈마가 간헐적으로 발생하도록 상기 고주파 전압인가수단제어하는플라즈마 처리장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 측정수단은 상기 처리실내에 존재하는 가스의 방출 스펙트럼과 상기 처리실로부터 방출된 광의 단파 성분을 측정하고, 측정된 방출스펙트럼에 대응하는 제1신호 및 단파성분에 대응하는 제2신호를 출력하는 광검출 수단을 가지며, 상기 제어수단은 제1신호에 근거하여 플라즈마의 상태를 검출하고, 상기 고주파 전압인가수단을 제어하기 위하여 제2신호를 사용한 검출결과정정하는플라즈마 처리장치. [청구항 8] 제1항상기 측정수단은 상기 처리실내에 존재하는 양이 피처리물에 관한 에칭처리시에 상대적으로 또한 대량으로 변화하는 제1가스성분의 방출강도와, 상기 처리실내에 존재하는 양이 에칭처리시에 상대적으로 변화하지 않는 제2가스 성분의 방출강도를 측정하며, 상기 제어수단은 방출강도율에 있어서의 변화에 따라서 상기 고주파 전압인가수단제어하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 측정수단은 상기 처리실내의 압력을 측정하며, 그 압력에 해당하는 신호를 출력하기 위한 압력측정수단을 포함하여 구성되며, 상기 제어수단은 에칭처리가 소정의 에칭분위기에 놓여진 피처리물에 관하여 수행될 때 얻어진 에칭률과 상기 처리실내의 압력사이의 상관관계로부터 얻어진 에칭율이 소정의 범위내로 떨어지는 압력범위로 그 신호에 의하여 나타낸 압력이 떨어지도록 상기 고주파 전압 인가수단제어하는플라즈마 처리장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 처리실은 피처리물에 관한 처리시에 10 내지 100mtorr의 압력유지되는플라즈마 처리장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,피처리물은 2내지 5ev의 전자온도처리되는플라즈마 처리장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제1내부코일 및 제2외부코일에 공급된 고주파 전류의 위상을 제어하기 위한위상제어수단더욱포함하여구성되는플라즈마 처리장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 위상제어수단은 상기 제1고주파코일에 공급된 고주파전류와 상기 제2고주파 코일로 공급된 고주파 전류의 위상이 상호간에 동일한 위상으로 되거나 약 180°이동된 위상제어하는플라즈마 처리장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,고주파 코일로부터 반전된 전력을 검출하기 위한 반전전력 검출수단을 더욱 포함하여 구성되며, 상기 위상 제어수단은 상기 각 고주파 코일에 공급된 각 고주파 전류의 위상을 상기 반전 전력 검출수단에 의하여 검출된 반전전력을 최소화하기 위하여 소정의 위상차를 가지도록 조절하기 위한이상기더욱포함하여구성되는플라즈마 처리장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 처리실내의 압력을 검출하고 검출된 압력에 해당하는 신호를 출력하기 위한 압력검출수단과, 상기 제1고주파 코일에 공급된 전력 및 상기 제2고주파 코일에 공급된 전력이 상기 압력검출수단으로부터의 신호에 근거한 소정의 분할율을 가지도록 제어하기 위한수단더욱포함하여구성되는플라즈마 처리장치. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 제1고주파 코일은 소정의 간격으로 상호간에 떨어져 있는 한쌍의 끝단부와, 상기 끝단부에 마련되는 전극을 가지는 부분적으로 절결된 일권화된 평평한 고리형 코일을 가지며, 상기 제2고주파 코일은 상기 제1코일로부터 전기적으로 절연되며 소정의 간격을 두고 제1코일 둘러싸고 있으며, 소정의 간격으로 상호간에 떨어져 있는 한쌍의 끝단부와, 상기 끝단부에 마련되는 전극을 가지는 부분적으로 절결된 일권화된 평평한 고리형 코일가지는플라즈마 처리장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제1코일과 상기 제2코일 사이에 동축적으로 배치되며 2개의 개방된 끝단을 가지는 전자 시일드 원통형부를 더욱 포함하여 구성되며, 상기 원통형부는 한쪽 끝단으로부터 다른쪽 끝단으로 연장되는 슬릿가지는플라즈마 처리장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 제1코일과 상기 제2코일 사이에 동축적으로 배치되며 2개의 개방된 끝단을 가지는원통형전자시일드망더욱포함하여구성되는플라즈마 처리장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 전압인가수단은 적어도 2개의 전압인가수단을 가지며, 상기 2개의 전압인가수단은 상기 유도수단에 제1고주파 전압을 인가하기 위한 제1전압인가수단 및 상기 유도수단에 제2고주파 전압을 간헐적으로 인가하기 위한 제2전압 인가수단포함하여구성되는플라즈마 처리장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 측정수단은 플라즈마로부터 상이한 파장의 강도를 각각 측정하고 2개의 강도에 근거한 신호를 출력하는적어도2개의스펙트로스코프포함하여구성되는플라즈마 처리장치.