문맥 (context)
[청구항 1]
기판상 및 기판내에 형성되는 집적회로장치내의 앤티휴즈 소자로서, 프로그램된 상태와 프로그램되지 않은 상태를 가정할 수 있으며
비정질 구조를 가지는 도전성 물질로 만들어진 그의 적어도 최상층을 포함하는 하부전극과
상부전극; 및 하부전극과 상부전극의 사이에 끼워진 앤티휴즈 물질층을 포함하여 구성되는 앤티휴즈소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,앤티휴즈 소장의 상부전극 또는 상부전극의 최상층은 비정질 구조를 가진 도전성 물질형성되는앤티휴즈소자.
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,비정질 구조를 가지는 도전성 물질은 이하의 원소 또는 화합물(1)-(10)의 어느것인 앤티휴즈소자, (1) fe, co, ni, cu, mn, ti, v, cr, zr, nb, mo, hf, ta 및 w를 포함하는 제1원소군의 적어도 2원소; (2) 제1원소군의 적어도 1원소 및 si, b, n, c, ge, as, p 및 sb를 포함하는 제2원소군의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; (3) 제1원소군의 적어도 1원소, 제2원소군의 적어도 1원소 및 y와 la를 포함하는 제3원소군의 1원소에 의하여 형성된 화합물; (4) 제1원소군의 적어도 1원소 및 al에 의하여 형성된 화합물; (5) 제3원소군의 적어도 1원소 및 al에 의하여 형성된 화합물; (6) 제1원소군의 적어도 1원소, 제3원소군의 적어도 1원소 및 al에 의하여 형성된 화합물; (7) au, pt, pd 및 ag를 포함하는 제4원소군의 적어도 1원소 및 제2원소군의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; (8) 제1원소군의 적어도 1원소 및 제4원소의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; (9) 제3원소군의 적어도 1원소 및 제4원소군의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; 및 (10) 제1원소군의 적어도 어느 1원소, 제3원소군의 적어도 어느 1원소 및 제4원소군의 적어도 어느 1원소형성된화합물.
[청구항 4]
제1항 또는 제4항에 있어서,앤티휴즈 물질막은 산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 산화 탄탈륨의 단층막 또는 이들 셋의 어느 조합에 의한 복층막형성되는앤트휴즈소자.
[청구항 5]
제3항에 있어서,비정질 구조를 가지는 도전성 물질내에서는, 금속원소 및 비금속원소에 의하여 형성된 화합물의 금속 조성비가 화학량론적 비율설정되는앤티휴즈소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,하부전극의 표면에 형성된 자연 산화물 또는 질화물이 제거되고, 비정질구조를 가진 도전성 물질로 만든 하부전극의 일부가 그의 표면으로부터 깊이 방향으로 제거되어 신규한 산화막이 그의 내부에 형성됨에 따라 신규한 산화막이 형성되며; 또한 앤티휴즈 물질막이 하부전극상의 신규한산화막포함하여형성되는앤티휴즈소자.
[청구항 7]
제6항에 있어서,신규한 산화막이 그의 내에 형성되도록 하면서, 하부전극으 일부의 제거를 위하여 암소니아수를 사용한 습식처리사용되는앤티휴즈소자.
[청구항 8]
제3항에 있어서,하부전극과 상부전극의 사이에 필라멘트를 형성하기 위하여 선택된 앤티휴즈 소자내에 상부전극에 양 또는 음의 전압이 인가될 수 있는 반면, 하부전극에는 음 또는 양의 전압이 인가될 수 있으며; 또한 파괴전압의 인가에 의하여 형성된 필라멘트는 비정질 구조를 가지는 도전성 물질가운데 w, ta, nb 및 mo의 어느 한개포함하는앤티휴즈소자.
[청구항 9]
제3항에 있어서,하부전극은 반도체 장치의 제1레벨 금속 인터코넥트내에 형성되며, 상부전극은 제1레벨 금속 인터코넥트 층상에 착설된 반도체 장치의 제2레벨 금속 인터코넥트 층내형성되는앤티휴즈소자.
[청구항 10]
제3항에 있어서,하부전극은 반도체 소자들을 상호간에 유전적으로 분리하기 위한 유전 분리기 상형성되는앤티휴즈소자.
[청구항 11]
제1항 또는 제2항에 규정된 앤티휴즈소자중의 적어도 한개를 포함하는 반도체 장치
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
앤티휴즈 소자의 하부전극 및 상부전극을 구성하는 도전성 물질이 비정질 구조를 가질 때, 해당 물질을 형성할 수 있는 화합물의 구성 원소 조합에 대한 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation비정질 구조를 가진 도전성 물질(하부전극 및 상부전극 구성)을 형성할 수 있는 화합물의 원소 조합 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 비정질 구조를 가지는 도전성 물질이 될 수 있는 10가지 화합물 유형과 각 유형을 구성하는 원소군(제1~제4원소군) 정보를 추출한다.
- 비정질 구조를 가지는 도전성 물질은 이하의 원소 또는 화합물(1)-(10)의 어느것인 앤티휴즈소자
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3근거 선택
evidence_selection화합물 (1)부터 (10)까지의 구체적인 원소 조합 조건을 모두 선택한다.
- (1) fe, co, ni, cu, mn, ti, v, cr, zr, nb, mo, hf, ta 및 w를 포함하는 제1원소군의 적어도 2원소; (2) 제1원소군의 적어도 1원소 및 si, b, n, c, ge, as, p 및 sb를 포함하는 제2원소군의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; (3) 제1원소군의 적어도 1원소, 제2원소군의 적어도 1원소 및 y와 la를 포함하는 제3원소군의 1원소에 의하여 형성된 화합물; (4) 제1원소군의 적어도 1원소 및 al에 의하여 형성된 화합물; (5) 제3원소군의 적어도 1원소 및 al에 의하여 형성된 화합물; (6) 제1원소군의 적어도 1원소, 제3원소군의 적어도 1원소 및 al에 의하여 형성된 화합물; (7) au, pt, pd 및 ag를 포함하는 제4원소군의 적어도 1원소 및 제2원소군의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; (8) 제1원소군의 적어도 1원소 및 제4원소의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; (9) 제3원소군의 적어도 1원소 및 제4원소군의 적어도 1원소에 의하여 형성된 화합물; 및 (10) 제1원소군의 적어도 어느 1원소, 제3원소군의 적어도 어느 1원소 및 제4원소군의 적어도 어느 1원소형성된화합물
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4논리 통합
logical_integration추출된 10가지 화합물 구성 조건을 질문에서 요구하는 리스트 형식으로 정리한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation비정질 도전성 물질을 형성하는 화합물의 원소 조합 조건을 10가지 항목으로 정리하여 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation정리된 10가지 조건을 최종 답변으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 제1원소군(fe, co, ni, cu, mn, ti, v, cr, zr, nb, mo, hf, ta, w)의 적어도 2원소로 구성된 화합물
2. 제1원소군의 적어도 1원소 및 제2원소군(si, b, n, c, ge, as, p, sb)의 적어도 1원소로 형성된 화합물
3. 제1원소군의 적어도 1원소, 제2원소군의 적어도 1원소 및 제3원소군(y, la)의 1원소로 형성된 화합물
4. 제1원소군의 적어도 1원소 및 al로 형성된 화합물
5. 제3원소군의 적어도 1원소 및 al로 형성된 화합물
6. 제1원소군의 적어도 1원소, 제3원소군의 적어도 1원소 및 al로 형성된 화합물
7. 제4원소군(au, pt, pd, ag)의 적어도 1원소 및 제2원소군의 적어도 1원소로 형성된 화합물
8. 제1원소군의 적어도 1원소 및 제4원소군의 적어도 1원소로 형성된 화합물
9. 제3원소군의 적어도 1원소 및 제4원소군의 적어도 1원소로 형성된 화합물
10. 제1원소군의 적어도 어느 1원소, 제3원소군의 적어도 어느 1원소 및 제4원소군의 적어도 어느 1원소로 형성된 화합물
핵심 해석 (core_interpretation)
앤티휴즈 소자의 하부전극 및 상부전극에 사용되는 비정질 도전성 물질의 구체적인 화학적 조성 및 원소 조합 조건을 정의하고 있다.