열흐름과 기체유동을 제어한 반도체웨이퍼처리방법 및 장치 document_id 1019940704608

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 배기수단이 배기구(an exhaust port)를 포함하고, 상기 반도체웨이퍼처리장치는 상기 처리공간의 안쪽에서 난류를 일으킴이 없이 상기 배기구를 통해 상기 처리기체를 배기시키는 것을 돕기위해 상기 서셉터의 상기 웨이퍼지지면과 상기 배기수단간에 축방향으로 배치되어 상기 축을 둘러싸는 배플수단(baffle means)을부가적포함하는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,수단이 축방향으로 이격된 다수의 배플(baffles)을 포함하며, 그러한 배플의 각각은 상기 축의 둘레에환형통로형성하고있는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 통로들은 상기 배기구에 접근함에 따라 감소되는단면적갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 처리공간은 용기하우징(a vessel housing)에 의해 경계가 형성되어 있고, 상기 서셉터는 상기 처리공간에서의 처리기체의 유동에서의 난류를 줄이기 위한 형태인 매끈한 외형(a smooth exterior shape)을 갖는 외벽수단(louter wall means)을 갖고, 상기 서셉터의 외벽수단은 상기 하우징으로부터 이격되어 상기 하우징과의 사이에 상기 통로의 단면적보다 큰 단면적을 갖는통로형성하고있는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 반도체웨이퍼처리장치가 cvd 반응로(a cvd reactor)이며, 상기 처리기체는 적어도 하나 이상의 반응기체(at least one reactant gas)를 포함하고, 상기 서셉터는 상기 웨이퍼지지면상에 지지된 웨이퍼의 원형 외주(a circular outer edge)에 대해 꼭 맞는 크기를 갖는 내공(an inside opening)을 갖고 상기 웨이퍼지지면을 둘러싸는 환형 립(an annular lip)을 포함하며, 상기 립은 난류를 줄이고 상기 웨이퍼의 외주의 근처에서의 상기 웨이퍼가 갖는 반경방향의 열구배(radial thermal gradients)를 줄이기 위해 상기 웨이퍼의 상기 표면과 같은 높이로 배치되어 바깥쪽으로 대면하는 표면수단을 갖고, 상기 립의 표면수단이 비사용 반응기체(unused reactant gas)를 위한 스캐빈저(a scavenger)로서의 작용을 하기에 충분히 큰 면적을 갖고 그러한 표면수단의 재료는 그 위에 코팅(a coating)을 부착시킬 때에 상기 반응기체가 핵이 될 수 있게 하는 물질로 이루어짐으로써 상기 립을 넘어서 상기 반응공간속으로 흐르는 반응기체의 양을 줄이게 한 것특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 반도체웨이퍼처리장치가 cvd 반응로(a cvd reactor)이며, 상기 처리기체는 적어도 하나 이상의 반응기체(at least one reactant gas)를 포함하고, 상기 서셉터는 상기 웨이퍼지지면상에 지지된 웨이퍼의 원형 외주(a circular outer edge)에 대해 꼭 맞는 크기를 갖는 내공(an inside opening)을 갖고 상기 웨이퍼지지면을 둘러싸는 환형 립(an annular lip)을 포함하며, 상기 립은 난류를 줄이고 상기 웨이퍼의 외주의 근처에서의 상기 웨이퍼가 갖는 반경방향의 열구배(radial thermal gradients)를 줄이기 위해 상기 웨이퍼의 상기 표면과 같은 높이로 배치되어 바깥쪽으로 대면하는 표면수단을 갖고, 상기 반도체웨이퍼처리장치가 상기 웨이퍼로부터 상기 립과 상기 웨이퍼의 외주의 사이로의 반응기체의 유동을 방지함으로써 상기 웨이퍼상의 외주와 하부가장자리(bottom margin) 상에 부착하는 양을 줄이기 위하여 비반응기체(non-reactive gas)를 상기 립과 상기 웨이퍼의 외주의 사이로 유입시키는비반응기체유입수단을부가적포함하는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 비반응기체유입수단이헬륨기체의공급원포함하는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 웨이퍼지지부는 위쪽으로 대면하고, 상기 흡기수단은 아래쪽으로 대면해서 상기 흡기수단으로부터 아래쪽으로 흐르는 처리기체의 유동을 위로부터 처리공간속으로 지향시키며, 상기 웨이퍼지지면은위쪽대면하는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 반도체웨이퍼처리장치가 cvd 반응로(a cvd reactor)이며, 상기 처리기체는 적어도 하나 이상의 반응기체(at least one reactant gas)를 포함하고, 상기 웨이퍼유지수단이 상기 웨이퍼를 상기 서셉터에 대해 유지하는 것을 돕기 위하여 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이로 비반응기체를 유입시키고 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이에서 진공압력(a vacuum pressure), 즉, 상기 반응공간에서의 압력보다 낮은 압력을 유지시키는 비반응기체유입수단을 포함하고, 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이에 있는 비반응기체가 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면 간의 기체전도(gas conduction)식 열전달이 이루어지기에 충분한 압력으로 유지되며, 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이에 있는 비반응기체의 압력은 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면간에 기체전도식 열전달이 이루어지기에 충분하면서도 130n/㎡(1토르)이하유지되게한것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 반도체웨이퍼처리장치가 cvd 반응로(a cvd reactor)이며, 상기 처리기체는 적어도 하나 이상의 반응기체(at least one reactant gas)를 포함하고, 상기 서셉터는 상기 웨이퍼지지면을 둘러싸고 상기 웨이퍼지지면상에 지지된 웨이퍼의 원형외주에 대해 꼭 맞는 크기를 갖는 내공(an inside opening)을 갖는 환형 립(an annular lip)을 구비하고, 상기 립은 상기 웨이퍼의 상기 외주의 근처에서의 반경방향의 열구배와 난류를 줄이기 위해 상기 웨이퍼의 표면과 같은 높이에 정렬된 표면수단을 가지며, 상기 립과 상기 웨이퍼지지면은 상기 반응기체가 그위에 코팅이 부착하기 위한 핵을 이루지 않을 물질로 형성됨으로써 상기 웨이퍼상에 코팅이 선택적으로 부착할 수 있게 한 것특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,셉터가 상기 처리공간에서의 처리기체의 유동에서의 난류를 최소화하기 위한 외형(an extevior shape)을 갖는 매끈한형태의외벽수단갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,셉터는 상기 웨이퍼지지면을 둘러싸고 상기 웨이퍼지지면상에 지지된 웨이퍼의 원형 외주에 꼭 맞는 크기를 갖는 환형 립을 갖고, 상기 립은 상기 웨이퍼의 상기 외주의 근처에서의 반경방향의 열구배와 난류를 줄이기 위해 상기 웨이퍼의 표면과 같은 높이에 배치된외면수단갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 14] 제16항에 있어서,상기 립이 상기 처리공간에서의 난류를 줄이기 위한 둥근외주테수단갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 15] 제16항에 있어서,상기 립이 상기 서셉터에 대해 분리가 가능하게부착된것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,셉터는 상기 웨이퍼지지면을 둘러싸고 상기 웨이퍼지지면상에 지지된 제1크기의 웨이퍼의 원형 외주에 대해 꼭 맞는 크기를 갖는 내공을 갖는 제1환형 립을 구비하고, 상기 립은 상기 웨이퍼의 상기 외주의 근처에서의 반경방향의 열구배와 난류를 줄이기 위하여 상기 웨이퍼의 표면과 같은 높이 배치된 외면수단을 가지며, 상기 반도체웨이퍼처리장치는 상기 제1크기와 다른 제2크기의 웨이퍼의 원형 외주에 꼭맞는 크기를 갖는 내공을 부가적으로 포함하여 상기 서셉터가 다양한 크기의 웨이퍼를 수용하게 하며, 상기 립의 각각은 상기 서셉터에 대해 분리가 가능하고 교체가 가능하게 부착할 수있는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 반도체웨이퍼처리장치가 비반응기체원을 부가적으로 포함하고, 상기 웨이퍼유지수단이 상기 웨이퍼를 상기 서셉터에 대해 유지하는 것을 돕기 위하여 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이로 비반응기체를 유입시키고 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이에서 진공압력(a vacuum pressure), 즉, 상기 반응공간에서의 압력보다 낮은 압력을 유지시키는비반응기체유입수단포함하는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 18] 제20항에 있어서,상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이에 있는 비반응기체가 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면 간의 기체전도(gas conduction)식 열전달이 이루어지기에 충분한압력유지되게하는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기 반도체웨이퍼처리장치가 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면간의 기체전도식 열전달을 일으키기에 충분한 압력으로 비반응기체를 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼지지면의 사이로 유입시키는비반응기체유입수단을부가적포함하는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,셉터가 중공의 내부(a hollow interior)를 갖고, 상기 서셉터벽의 안쪽은 상기 서셉터의 웨이퍼지지면으로 및 상기 서셉터설치부로의 열전달을 줄이기 위해 반사성이 큰표면수단갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 22] 제20항에 있어서,셉터는 바깥쪽이 상기 서셉터로부터의 열방사(radiation of heat)를 증대시킴으로써 상기 웨이퍼지지면과 상기 서셉터설치부간의 열전달을 줄이기 위해 반사성이 작은 표면수단을 갖는 서셉터벽에 의해 경계가 형성된내부갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 23] 제20항에 있어서,셉터가 상기 웨이퍼지지면과 상기 서셉터설치부가의 열전달을 줄이기 위해 얇은 서셉터벽수단에 의해 경계가 형성된중공내부갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 24] 제26항에 있어서,셉터가 상기 서셉터벽에 의해 경계가 형성된 중공내부(a hollow interior)을 갖고, 상기 서셉터설치부는 상기 서셉터벽상에 있는 제1설치구조체와 상기 서셉터설치부에 대해 부착된 제2설치구조체를 포함하며, 상기 제1 및 제2의 설치구조체는 서로 접촉하고 있으며 상기 제2설치구조체는 상기 제1 및 제2의 설치구조체의 내면에서 작은 열접촉면(a small thermal contact surface)을 갖게 하도록 감소된단면적갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치. [청구항 25] 제26항에 있어서,셉터는 서셉터벽에 의해 경계가 형성된 중공내부를 갖고, 상기 서셉터설치부는 상기 서셉터벽상에 있는 제1설치구조체와 상기 서셉터설치부에 대해 부착된 제2설치구조체를 포함하며, 상기 제1 및 제2의 설치구조체는 서로 접촉하고 있고, 상기 제2설치구조체는 상기 제1 및 제2의 설치구조체의 계면에서 작은 열접촉면적을 갖도록 감소된단면적갖는것을특징으로 하는반도체웨이퍼처리장치.