모스형 반도체 장치 document_id 1019950000201

[청구항 2] 제1항에 있어서,가장 근접되는 2개의 셀구조의 대각선이 일직선상에 있도록 셀구조배치되는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,가장 근접되는 2개의 셀구조의 대각에 있어서,채널 영역의간격이하인것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,가장 근접되는 2개의 셀구조의 대각에 있어서,채널 영역끼리연결되는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 5] 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서,2개의 근접셀구조의 채널 영역간의 채널 영역의 각을 연결하는 일직선상에서 제1도전형의 반도체층의 표면층에 채널 영역보다 얕고, 채널 영역보다 고 저항률의 제2도전형의 조형상 영역이 채널 영역에연결형성되는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 6] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,2개의 근접셀구조의 채널 영역간의 채널 영역의 각을 연결하는 일직선상에서 제1도전형의 반도체층의 표면층에 채널 영역보다 얕고, 제1도전형의 반도체층보다 고 저항률의 제1도전형의 조형상 영역이 채널 영역에인접형성되는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,조형상 영역에 연결하여 채널 영역내에 제2도전형보다 불순물 농도가 높은영역형성되는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,조형상 영역에 연결하여 채널 영역내에 제2도전형보다 불순물 농도가 높은영역형성되는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 9] 제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제7항 또는 제8항에 있어서,반도체 칩의 셀구조를 정렬한 부분의 최오주부에 셀구조의 채널 영역의 외측의 변의 일부가 반도체 칩의 변과 평행을 이루는 외주 셀구조설치하는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,외주셀구조가 셀구조의 칩의 중앙에 근접한 부분에만제1도전형소스영역갖는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 11] 제9항에 있어서,외주셀구조가 내측의 셀구조보다 면적이 넓은 것특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 12] 제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제7항, 제8항, 제10항 또는 제11항에 있어서,반도체 칩의 셀구조를 정렬한 부분의 최외주부의 각부에 채널 영역의 외측의 변이 반도체 칩의 각에 대향하는 원호상을 이루는 외각 셀구조설치한것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 13] 제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제7항, 제8항, 제10항 또는 제11항에 있어서,반도체 칩의 셀구조를 정렬한 부분의 최외주부의 각부에 셀구조의 채널 영역의 외측의 변이 반도체 칩의 각에 대향하는 원호를 모방한 절선형상인 외각 셀구조설치한것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,외각셀구조가 다른외주 셀구조보다 면적이 넓은 것특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,외각셀구조가 다른 외주 셀구조보다 면적이 넓은 것특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 16] 제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제7항, 제8항, 제10항, 제11항, 제14항 또는 제15항에 있어서,제2도전형 채널 영역의 표면층의 일부에 채널 영역보다 불순물 농도가 높고, 확산 깊이가 얕은 제2도전형의 얕은베이스영역갖는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,베이스 영역의 하방에 제2도전형의 영역으로서채널 영역갖는것을특징으로 하는mos형 반도체 장치. [청구항 18] 제1도전형의 반도체층의 표면층의 제2도전형의 채널 영역과, 그 채널 영역의 표면층의 제1도전형의 소스 영역이 각 변을 서로 평행으로 해서 형성되는 4개의 주변을 갖는 방형의 셀구조의 복수개를 구비하고, 상기 제1도전형의 반도체층의 표면 근방에 제1도전형 반도체층 보다 저 저항률의 제1도전형 반도체 영역을 구비한 것에 있어서 서로 각을 마주보고 대향하는 2개의 셀구조의 채널 영역의 각간의 거리가 서로 변을 마주보고 대향하는 2개의 셀구조의 채널 영역의 변간이 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 mos형 반도체 장치