고체 촬상 장치 document_id 1019950001375

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 고정전위가접지전위인것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 커패시터의 용량이 상기 수직신호선의 용량과 동등 또는 그보다 큰 것특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 스위치가스위치인것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 리세트수단이 상기 커패시터에 병렬로 접속된리세트스위치인것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 리세트수단이상기수직신호선의전위리세트하는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 수직신호선과 상기 커패시터의 사이에 상기 수직신호선의 전위를 리세트하는수단더배설한것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 스위치가 상기 수직신호선과 상기 커패시터의 사이에 배치되고, 상기 리세트수단이 커패시터보다상기스위치측의수직신호선접속되어있는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 스위치가 상기 수직신호선과 상기 커패시터의 사이에 배치되고, 상기 리세트수단이 이 스위치보다상기커패시터측의수직신호선접속되어있는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 리세트포텐셜의 입사광이 없는 경우의 화소 mos 트랜지스터의 채널포텐셜보다 얕고, 리세트포텐셜과 상기 채널포텐셜과의 차가 2.0v이내설정되는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 화소트랜지스터로부터 상기 커패시터에의 신호전압의 독출동작을 화소트랜지스터의 약반전(弱反戰)영역에서 완료하는수단더구비한것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 화소트랜지스터로부터 상기 커패시터에의 신호전압의 독출동작을 상기 화소트랜지스터로부터 커패시터에 흐르는 전류가 초기치로 부터 1자리 이상 낮은 전류치로 된 시점에서 완료하는수단더구비한것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 리세트수단이 이 커패시터보다상기스위치측의수직신호선접속되어있는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 리세트수단이 이 스위치보다상기커패시터측의수직신호선접속되어있는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 수직신호선과 상기 커패시터의 사이에 스위치를 배설하고, 상기 리세트수단은 상기 스위치보다 커패시터측에 접속되고,상기커패시터와수직신호선의포텐셜을상기리세트포텐셜설정하는것을특징으로 하는고체촬상장치.