기억장치 document_id 1019950008668

[청구항 2] 제1항에 있어서,자계의 예정된 강도가 상기 자기저항성효과 소자(6)의자화포화하는데필요한자계의 강도와 거의 같은 기억장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 바이어스 자계가 상기 제1상태에 대응하는 상기 자기저항성 효과 소자(6)의 체적저항 변화율과 상기 제2상태에 대응하는 상기 자기저항성효과 소자(6)의 체적저항 변화율의 차이를 최대설정되는기억장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 바이어스 자계가 상기 제1방향으로 인가되고, 상기 읽기 수단이 상기 자기저항성효과 소자(6)의 체적저항 변화율이 비교적 작은지와 비교적 큰지에 따라 각각이 상기 제1상태 및 제2상태판별하는기억장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 바이어스 자계가 상기 제2방향으로 인가되고, 상기 읽기수단이 상기 자기저항성효과 소자(6)의 체적저항 변화율이 작은지와 비교적 큰지에 따라 각각 상기 제1상태 및 제2상태판별하는기억장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 자기저항성효과 소자(6)가 박막형상을 함과 함께 그 평면방향에 서로 직교하는 자화용이축과 자화곤란축을 갖고, 상기 자기저항성효과 소자(6)가 그 표면측과 이면측에 대응하는 제1면과, 제2면, 및 그 양단에 대응하는 제1단부와 제2단부를 가지며, 상기 쓰기수단은 상기 제1면과 제2면에 각각 대향하는 상부전류라인과 하부전류라인, 상기 상부 및 하부전류라인에 상호 역방향으로 쓰기전류를 흐르게하는 수단, 및 상기 쓰기전류의 흐르방향을 상기 제1 및 제2상태에 대응시켜서 결정하는 수단을 포함하고, 상기 쓰기자계가 상기 자화용이축과 거의 평행하게 인가되고, 상기 읽기수단이 상기 제1 및 제2단부에 각각 접속된 제1 및 제2단자, 상기 제1 및 제2단자 사이의 저항치를 검출하는 수단, 및 상기 상부 및 하부전류라인에 상효 역방향으로 상기 쓰기전류보다도 약한 바이어스전류를 흐르게 하는 수단을 포함하며, 상기 바이어스 자계가 상기 자화용이축거의평행하게인가되는기억장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 상부전류라인이 상기 제1단부와 제2단부의 어느 하나의 근방에서 상기 하부전류라인에 전기적으로 접속되고, 상기 상부 및 하부전류라인이 상기 쓰기전류와 바이어스전류직렬로 있는기억장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 자기저항성효과 소자(6)가 박막형상을 함과 함께 그 평면방향에 서로 직교하는 자화용이축과 자화곤란축을 갖고, 상기 자기저항성효과 소자(6)가 그 표면측과 이면측에 대응하는 제1면과, 제2면, 및 그 양단에 대응하는 제1단부와 제2단부를 가지며, 상기 쓰기수단은 상기 제1면과 제2면에 각각 대향하는 상부전류라인과 하부전류라인, 상기 상부 및 하부전류라인에 상호 역방향으로 쓰기전류를 흐르게하는 수단, 및 상기 쓰기전류의 흐름방향을 상기 제1 및 제2상태에 대응시켜서 결정하는 수단을 포함하고, 상기 쓰기자계가 상기 자화용이축과 거의 평행하게 인가되고, 상기 읽기수단이 상기 제2단부에 접속된 단자, 및 상기 단자 및 상부전류라인사이에 저항검출용전류를 흐르게 하는 수단을 포함하며, 상기 저항검출용전류에 의해 상기 바이어스 자계가 상기 자화용이축거의평행하게인가되는기억장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 자기저항성효과 소자가 복수이고, 상기 복수의 자기저항성 효과 소자를 매트릭스상으로 배치하기 위하여 비트라인과 워드라인을 더 구비하며, 상기 비트라인과 워드라인이 각각 상기 상부전류라인과 하부전류라인접속되는기억장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 바이어스 자계의 인가에 의해 독출된 기억데이타를 다시 쓰기 위한 자계를 상기 자기저항성효과 소자(6)에 인가하는 수단더 구성되는기억장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 자기저항성효과 소자(6)가 박막형상을 하는 거대 자기저항성효과 소자로 구성되고, 상기 자기저항성효과 소자(6)가 그 표면측과 이면측에 대응하는 제1면과, 제2면, 및 그 양단에 대응하는 제1단부와 제2단부를 가지며, 상기 쓰기수단은 상기 제1면과 제2면에 각각 대향하는 상부전류라인과 하부전류라인, 상기 상부 및 하부전류라인에 상호 역방향으로 쓰기전류를 흐르게하는 수단, 및 상기 쓰기전류의 흐름방향을 상기 제1 및 제2상태에 대응시켜서 결정하는 수단을 포함하고, 상기 쓰기자계가 상기 자기저항성효과 소자의 박막내면방향과 거의 평행하게 인가되고, 상기 읽기수단이 상기 제1 및 제2단부에 각각 접속된 제1 및 제2단자, 상기 제1 및 제2단자 사이의 저항치를 검출하는 수단, 및 상기 상부 및 하부전류라인에 상호 역방향으로 상기 쓰기전류보다도 약한 바이어스 전류를 흐르게 하는 수단을 포함하며, 상기 바이어스 자계가 상기 쓰기자계거의평행하게인가되는기억장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 상부전류라인이 상기 제1단부 및 제2단부의 어느 하나의 근방에서 상기 하부전류라인에 전기적으로 접속되며, 상기 상부 및 하부전류라인이 상기 쓰기전류와 바이어스 전류직렬로 있는기억장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 자기저항성효과 소자(6)가 박막형상을 하는 거대 자기저항성효과 소자로 구성되고, 상기 자기저항성효과 소자(6)가 그 표면측과 이면측에 대응하는 제1면과 제2면, 및 그 양단에 대응하는 제1단부와 제2단부를 가지며, 상기 쓰기수단은 상기 제1면과 제2면에 각각 대향하는 상부전류라인과 하부전류라인, 상기 상부 및 하부전류라인에 상호 역방향으로 쓰기전류를 흐르게 하는 수단, 및 상기 쓰기전류의 흐름 방향을 상기 1및 제2상태에 대응시켜서 결정하는 수단을 포함하고, 상기 쓰기자계가 상기 자기저항성효과 소자(6)의 박막내면 방향과 거의 평행하게 인가되고, 상기 읽기수단이 상기 제2단부에 접속된 단자, 및 상기 단자, 및 상부전류라인 사이에 저항검출용전류를 흐르게 하는 수단을 포함하며, 상기 저항검출용전류에 의해 상기 바이어스 자계가 상기 쓰기자계거의평행하게인가되는기억장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 자기저항효과 소자가 복수이고, 상기 복수의 자기저항효과 소자를 매트릭상으로 배치하기 위하여 비트라인과 워드라인을 더 구비하며, 상기 비트라인과 워드라인이 각각 상기 상부전류라인과 하부전류라인접속되는기억장치.