논리게이트회로,반도체메모리장치의센스회로및그들을사용한반도체메모리장치. document_id 1019950008930

[청구항 1] 여러개의 논리신호가 각각 입력되는 여러개의 버스선 여러개의 입력 및 하나의 출력을 갖는 다이오드 장치와 상기 출력에 접속되는 풀업전류원 을 구비하는 레벨시프트회로 및 2개의 입력을 갖고 그 한쪽의 입력에 기준전압이 공급되는 차동회로의 레벨비교회로를 포함하고, 상기 레벨시프트회로의 상기 다이오드장치의 상기 여러개의 입력은 상기 여러개의 버스선의 적어도 2개에 접속되고, 상기 레벨시프트회로는 상기 여러개의 논리신호중 가장 낮은 전압레벨을 갖는 논리신호중의 하나의 레벨을 상승시키기 위해 동작하고, 상기 레벨비교회로의 상기 차동회로의 다른쪽의 입력은 상기 다이오드장치의 출력에 접속되고, 상기 차동회로의 출력에서 상기 여러개의 버스선중의 적어도 2개에 입력되는 상기 논리신호의 and논리출력이 도출되는 것을 특징으로 하는 논리게이트회로 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 다이오드장치는 베이스와 컬렉터가 공통접속된 다이오드접속의 멀티에미터트랜지스터인것을특징으로 하는논리게이트회로. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 다이오드장치는 애노드측이 공통접속된 여러개의다이오드의조합포함하는것을특징으로 하는논리게이트회로. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 차동회로는차동접속트랜지스터회로인것을특징으로 하는논리게이트회로. [청구항 5] 메모리셀 어레이; 상기 메모리셀 어레이중의 특정의 메모리셀을 선택하고 상기 선택한 메모리셀의 기억정보를 공통비트선으로 출력하는 여러개의 컬럼스위치 상기 공통비트선으로 출력되는 정보를 쌍의 공통데이타 버스선으로 출력하는 여러개의 프리센스앰프 상기 쌍의 공통데이타 버스선에 접속되는 메인센스앰프 및 상기 쌍의 공통데이타 버스선에 접속된 시험회로를 포함하고, 상기 시험회로는 2개의 입력과 하나의 출력을 갖는 다이오드장치와 상기 출력에 접속된 풀업전류원을 갖는 레벨시프트회로 및 2개의 입력을 갖고 한쪽의 입력에 기준전압이 공급되는 차동회로의 레벨비교회로를 구비하고, 상기 레벨시프트회로의 상기 다이오드장치의 2개의 입력은 상기 쌍의 공통데이타버스선에 각각 접속되고, 상기 레벨비교회로의 상기 차동회로의 다른쪽의 입력은 상기 다이오드장치의 출력에 접속되고, 상기 차동회로의 출력에서 상기 쌍의 공통데이타버스선에 입력된 2개의 논리 신호의 and논리 출력이 도출되는 것을 특징으로 하는 메모리셀의 병렬시험회로 [청구항 6] 제5항에 있어서,센스앰프는 그의 각각이 2개의 입력과 2개의 출력을 갖는 제1 다이오드장치 및 제2 다이오드장치와 2개의 풀업전류원을 갖는 레벨시프트회로 및; 2개의 입력을 갖고 상기 차동회로 이외의 다른 차동회로를 포함하고,상기 레벨시프트회로의 상기 2개의 다이오드장치의 각각의 하나의 2개의 입력은 상기 쌍의 공통데이타버스선에 각각 접속되고,상기 다른 차동회로의 상기 2개의 입력은 상기 제2 다이오드장치의 2개의 출력에 접속되고,상기 쌍의 공통 데이타버스선에 입력된 논리신호를 레벨업한 후에 상기 차동회로의 2개의 출력에서논리신호도출되는것을특징으로 하는메모리셀의 병렬시험회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,차동회로와 상기 레벨비교회로는 동작상태 및 비동작상태중의 하나를 선택하는 신호에 의해구동되는것을특징으로 하는메모리셀의 병렬시험회로. [청구항 8] 제5항 내지 제7항 중의 어느 한항에 있어서,상기 각각의 다이오드장치에 있어서 베이스와 컬렉터가 공통 접속된 다이오드접속의 멀티에미터트랜지스터사용되는것을특징으로 하는메모리셀의 병렬시험회로. [청구항 9] 제5항 내지 제7항 중의 어느 한항에 있어서,상기 다이오드장치의 각각은 애노드가 공통 접속된 여러개의다이오드의조합포함하는것을특징으로 하는메모리셀의 병렬시험회로. [청구항 10] 제5항 내지 제7항 중의 어느 한항에 있어서,상기 차동회로는차동접속트랜지스터회로인것을특징으로 하는메모리셀의 병렬시험회로. [청구항 11] 제1항 내지 제4항 중의 어느 한항에 있어서,개의 버스선은 어드레스 버스선이고,상기 레벨시프트회로 및 상기 레벨비교회로는 프리디코더회로에 대응하고,상기 전체의 논리게이트회로는디코더회로포함하는것을특징으로 하는논리게이트회로. [청구항 12] 각각에 여러개의 논리신호가 입력되는 여러개의 버스선 여러개의 입력과 하나의 출력을 갖는 다이오드장치와 상기 출력에 접속된 풀업전류원을 갖는 레벨시프 트회로 및 2개의 입력을 갖고 그의 한쪽에 기준전압이 공급되는 차동회로의 레벨비교회로를 포함하고, 상기 레벨시프트회로의 상기 다이오드장치의 여러개의 입력은 상기 여러개의 버스선의 적어도 2개에 접속되고, 상기 레벨비교회로의 상기 차동회로의 다른쪽의 입력은 상기 다이오드장치의 출력에 접속되고, 상기 차동회로의 출력에서 상기 여러개의 버스선중의 적어도 2개에 입력되는 상기 논리신호의 and논리출력이 도출되고, 상기 여러개의 버스선은 메모리셀 어레이의 공통데이타 버스선이고, 상기 논리게이트회로는 상기 메모리셀 어레이의 메모리셀용 병렬시험회로의 일부로서 형성되는 것을 특징으로 하는 논리게이트회로 [청구항 13] 메모리셀 어레이의 메모리셀용 병렬시험회로로서, 상기 메모리셀은 여러개의 버스선에 결합되어 상기 여러개의 버스선으로 정보를 공급하고, 상기 병렬시험회로는 여러개의 입력과 하나의 출력을 갖는 다이오드장치 및 상기 출력에 접속된 풀업전류원 을 구비하는 레벨시프트회로 및, 2개의 입력을 갖고 그의 한쪽에 기준전압이 공급되는 차동회로의 레벨비교회로를 포함하고, 상기 레벨시프트회로의 상기 다이오드장치의 여러개의 입력은 상기 여러개의 버스선중의 적어도 2개에 접속되고, 상기 레벨시프트회로는 여러개의 논리신호의 가장 낮은 전압레벨을 갖는 논리신호중의 하나의 레벨이 상승하도록 동작하고, 상기 레벨비교회로의 상기 차동회로의 다른쪽의 입력은 상기 다이오드장치의 출력에 접속되고, 상기 차동회로의 출력에서 상기 여러개의 버스선중의 적어도 2개에 입력되는 논리신호의 and논리 출력이 도출되는 것을 특징으로 하는 병렬시험회로 [청구항 14] 제2항에 있어서,상기 다이오드장치의 여러개의 입력은 멀티에미터트랜지스터의에미터구비하는것을특징으로 하는논리게이트회로. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 다이오드장치는 베이스와 컬렉터가 공통 접속된 다이오드접속의 멀티에미터트랜지스터인것을특징으로 하는병렬시험회로. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 다이오드장치의 여러개의 입력은 상기 멀티에미터트랜지스터의에미터포함하는것을특징으로 하는병렬시험회로. [청구항 17] 전원전압이 2.5v이하에서 동작하는 논리게이트회로로서, 각각에 여러개의 논리신호가 입력되는 여러개의 버스선 여러개의 입력과 하나의 출력을 갖는 다이오드장치와 상기 출력에 접속된 풀업전류원을 갖는 레벨시프트회로 2개의 입력을 갖고 그의 한쪽에 기준전압이 공급되는 차동회로의 레벨비교회로 및 상기 논리게이트회로에 전원을 공급하는 전원공급수단을 포함하고, 상기 레벨시프트회로의 상기 다이오드장치의 여러개의 입력은 상기 여러개의 버스선의 적어도 2개에 접속되고, 상기 레벨시프트회로는 상기 여러개의 논리신호중의 가장 낮은 전압레벨을 갖는 논리신호중의 하나의 레벨을 상승시키도록 동작하고, 상기 레벨비교회로의 상기 차동회로의 다른쪽의 입력은 상기 다이오드장치의 상기 출력에 접속되고, 상기 차동회로의 출력에서 상기 여러개의 버스선중의 적어도 2개에 입력된 논리신호의 and논리 출력이 도출되고, 상기 전원공급수단은 전원이 상기 논리게이트회로에 공급될 때 적어도 일부 시간동안에 2.5v이하의 전원전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 논리게이트회로 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 다이오드장치는 베이스와 컬렉터가 공통 접속된 다이오드접속의 멀티에미터트랜지스터인것을특징으로 하는논리게이트회로. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 다이오드장치의 상기여러개의 입력은 상기 멀티에미터트랜지스터의에미터포함하는것을특징으로 하는논리게이트회로.