강유전체 메모리장치 document_id 1019950012590

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 채널층은 페로브스카이트 구조 또는 스피넬 구조를 가진산화물로된것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 채널층nan은된것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기제1 및 제2제어전극은 상기 강유전체 메모리층 및 상기 채널층과각각쇼트키접촉이루는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 강유전체 메모리층은 증가된 캐리어 밀도의 도전영역을 포함하며, 상기 도전영역은 상기 제1제어전극으로서 작용하는 것을 특징하는강유전체 메모리장치. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기 채널층은 증가된 캐리어 밀도의 도전영역을 포함하여, 상기 도전영역은상기제2제어전극작용하는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 강유전체 메모리장치는 상기 채널층으로서 유전체 재료의 기판을 포함하며, 상기 기판은 그 상부 주면상에 상기 소스전극, 상기 드레인 전극 및 상기 강유전체 메모리층을 탑재하고, 상기 강유전체 메모리층은 mos 트랜지스터의 게이트 절연막으로서 작용하며, 상기 기입 제어수단은 상기 강유전체 메모리층상에 게이트전극으로서 형성된 제1제어전극과 상기 기판의 하부 주면에 형성된제2제어전극포함하는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 강유전체 메모리장치는 상기 강유전체 메모리층으로서 강유전체 재료의 기판을 포함하며, 상기 기판은 그 상부 주면상에 채널층을 탑재하고, 상기 채널층은 그 상부 주면상에 상기 소스 및 드레인전극을 탑재하며, 상기 기입 제어수단은 상기 채널층의 상부 주면상에 게이트전극으로서 형성된 제1제어전극과 상기 기판의 하부 주면상에 형성된제2제어전극포함하는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 강유전체 메모리장치는 상부 및 하부 주면을 갖는 절연기판을 포함하며, 상기 기판은 상기 상부 주면상에 상기 채널층을 탑재하고, 상기 채널영역에 대응하여 상기 강유전체 메모리층이 상기 채널층의 상부 주면상에 형성되며, 상기 채널층은 또한 그 상부 주면상에 상기 소스 및 드레인전극을 탑재하고, 상기 기입 제어수단은 상기 강유전체 메모리층상에 형성된 제1기입 제어전극과 상기 기판의 상기 하부 주면상에 형성된제2기입제어전극구비하는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 강유전체 메모리장치는 그 위에 도전층을 탑재한 절연기판을 포함하며, 상기 도전층은 그 상부주면상에 상기 채널층을 탑재하고, 상기 채널층은 그 위에 강유전체 메모리층을 탑재하며, 또 상기 기입 제어수단은 상기 강유전체 메모리층상에 형성된 제1기입 제어전극과 상기 도전층의 상기 상부 주면상에 형성된제2기입제어전극구비하는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 도전층은금속으로된것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 도전층은 채널층과 동일한 성분을 갖는 유전체층으로 구성되며, 상기 유전체층은금속의도전율도프되는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 강유전체 메모리장치는 그 위에 도전층을 탑재한 절연기판을 포함하며, 상기 도전층은 상기 강유전체 메모리층이 형성된 상부 주면을 가지며, 상기 강유전체 메모리층은 그 위에 상기 채널층을 탑재하고, 상기 채널층은 그 위에 상기 소스 및 드레인전극을 탑재하며, 상기 기입 제어수단은 상기 채널층상에 상기 채널영역에 대응하여 형성된 제1제어전극과 상기 도전층의 상기 상부 주면상에 형성된제2제어전극구비하는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 도전층은금속으로된것을특징으로 하는강유전체 메모리 장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 도전층은 강유전체 메모리층과 동일한 성분을 갖는 강유전체층으로 구성되며, 상기 유전체층은금속의도전율도프되는것을특징으로 하는강유전체 메모리장치.