플라즈마점화를향상시키기위한전극을가지는유도결합된플라즈마반응로 document_id 1019950014881

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 보조 전극의 제 1 부분은 상기 유도 코일 및 상기 진공 챔버사이에 놓이고, 상기 제 1 부분은 상기 유도 코일 주위에 폐쇄된 전도 경로를 막기 위하여 그 내부에적어도하나의구멍가지는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 코일은 상기 rf 전력원의 에너지화된 단자에 연결된 제 1 단자 및 접지된 제 2 단자를 포함하고 상기 보조 전극은 상기 제 1 및 제 2 단자 사이의 상기 유도 코일에 연결된제2부분더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 보조 전극의 상기 제 2 부분을 중심 연결 지역을 포함하고 ;상기 보조 전극의 상기 제 1 부분은 구멍에 의해서 분리되고 중심 연결 지역으로 부터 상기 유도 코일을 가로질러 바깥쪽으로 방사상으로 뻗어 있는 복수의 아암들포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 중심 연결 지역은 폐쇄된 원형의 전도성 디스크이며, 상기 유도성 코일은 코일의 중심 근처에 개구부를 가지며, 상기 중심 연결 지역은 상기 유도 코일 및 상기 진공 챔버의 내부 사이에 있지 않도록 하기 위하여상기유도코일의상기개구부정합되는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 진공 챔버는 원형의 횡단면 모양 및 상기 원형의 횡단면 모양의 대칭축에 중심이 형성된 상부를 가지는 밀봉된 용기를 포함하고, 상기 유도 코일은 상기 유도 코일의 개구 부분이 상기 밀봉된 용기의 상부와 일치하도록 상기 밀봉된 용기 주변에 감겨 있고, 상기 보조 전극의 중심 연결 지역은 상기 상부상에 있고 상기 대칭축에중심형성되는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 보조 전극은 상기 밀봉된 용기의 외부 표면상에 증착된필름포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 8] 제 6항에 있어서,상기 밀봉된 용기는 돔을 포함하고 상기 상부는 상기 돔의 정점을 포함하고, 상기 보조 전극의 아암들은 상기 정점으로부터아래있는것을특징으로하는플라즈마 반응로. [청구항 9] 제 8항에 있어서,각각의 상기 아암들은 상기 돔 기부 원주의 5%이하폭가지는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 10] 제 8항에 있어서,상기 유도 코일은 상기 돔의 정점에서 중심이 형성된 개구부를 남기기 위해서 상기 돔의 하부 주위에 감겨지는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 유도 코일은 사이에 상기 보조 전극의 제 2 부분을 수용하기 위하여 상기 돔으로부터간격형성되는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 보조 전극에 연결된 하나의 측면을 가지는커패시터더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 커패시터의 반대측은 상기 rf전력원의접지단자연결되는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 14] 제 1항에 있어서,상기 반도체 기판을 지지하기 위한 상기 진공 챔버 내부의 웨이퍼 받침대 ; 및상기 웨이퍼 받침대에 선택된 전위를 인가하기 위한수단더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기인가 수단은 플라즈마 점화동안 상기 웨이퍼 받침대에 접지 전위를 인가하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 16] 제 14항에 있어서,상기인가 수단은 플라즈마 점화동안 상기 웨이퍼 받침대에 rf 바이어스 전력원을 인가하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 17] 제 1항에 있어서,상기 보조 전극의 상기 표면 영역nan은상기유도코일의영역이하인것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 18] 제 6항에 있어서,상기 진공 챔버는 원통형이고 상기 유도 코일은 상기 진공 챔버의 적어도 한 부분 주위에원통형있는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 19] 제 1항에 있어서,상기 보조 전극의 표면 영역은 상기 rf 전력원의 선택된 rf 전력 레벨에서 진공 챔버 내의 선택된 압력에서 플라즈마 점화를 위한 충분한 양으로 용량성 결합을 제한하기에 적당한영역감싸는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 20] 제 19항에 있어서,상기 선택된 rf 전력 레벨 및 상기 선택된 압력중 적어도 하나는 상기 보조 전극의 부재시 플라즈마 점화를 위해 요구된 것보다 적은 것특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 21] 제 19항에 있어서,상기 선택된 rf 전력 레벨 및 상기 선택된 압력중 적어도 하나는 상기 웨이퍼의 플라즈마 처리동안 사용된 것않은것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 선택된 압력은 0.5및50밀리토르사이범위에있는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기 선택된 전력 레벨은225와트정도인것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 25] 제 24항에 있어서,상기 보조 전극을 상기 유도 코일에 의하여 감싸진 영역의 10%이하의 영역을 감싸는 영역으로 제한되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리수행하기 위한플라즈마 반응로. [청구항 26] 제 24항에 있어서,상기 선택된 압력은 100밀리토르보다 작은 것특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 27] 제 24항에 있어서,상기 선택된 압력은 거의 0.5밀리토르및30밀리토르사이정도범위에놓이는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 28] 제 24항에 있어서,상기 보조 전극은 상기 유도 코일 및 상기 진공 챔버 사이에 놓여있는 제 1 부분을 포함하며, 상기 제 1 부분은 상기 유도 코일 주위의 폐쇄된 전도 경로를 막는적어도하나의구멍가지는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 29] 제 28항에 있어서,상기 유도 코일은 그 내부에 상기 유도 코일의 권선을 가지지 않는 개구부를 가지며, 상기 개구부는 상기 진공 챔버의 내부에 면하고, 상기 보조 전극은 상기 제 1 부분이 바깥쪽으로 방사적으로 연장하는 제 2 부분을 포함하며, 상기 제 2 부분은 폐쇄된 표면이고상기유도코일의상기개구부정합하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 30] 제 29항에 있어서,상기 제 2 부분은 rf전력원연결되는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 31] 제 24항에 있어서,상기 보조 전극은 상기 유도 코일에 연결된 동일한 rf 전력원에 의하여 에너지화된상기코일연결되는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 32] 제 31항에 있어서,상기 보조 전극에 연결된 한 측면 및 rf 전력원의 접지 단자에 연결되는 반대 측면을 가지는 캐패시터를 더 포함하고, 상기 캐패시터는 상기 유도 코일과 결합하여 rf 전력원의 주파수에서공진제공하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로. [청구항 33] 제 24항에 있어서,상기 반도체 기판을 지지하기 위한 상기 진공 챔버 내부의 웨이퍼 받침대; 및상기 웨이퍼 받침대에 선택된 전위를 인가하기 위한수단더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응로.