수지봉지형반도체장치및그제조방법 document_id 1019950020417

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 소자 적재 부재의 소자 설치면에는 상기 리드의 일부를 구성하는 인너리드의 선단이 평면적으로 보아 겹치는 위치까지연장설치되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 3] 제2항에 있어서,상기인너리드는 상기 소자 적재부재의 소자 설치면에 대해서 탄성 변형의 범위에서 접촉 가능한 자유단을 확보한 상태에서 절연성의 리드 지지부에 의해서 지지되며 이 리드 지지부를 거쳐서 상기 소자 적재 부재와 상기 인너리드접합되고있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 리드 지지부는 상기 소자 설치면의 주변 가장자리 전체를 따라서연속적형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 리드 지지부는 상기 소자 설치면의 주변 가장자리에부분적형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 6] 제1항에 있어서,사이기 소재 적재부재는열전도성재질로이루어지는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 7] 제2항에 있어서,상기 소자 적재 부재는열전도재질로이루어지는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 8] 제3항에 있어서,상기 소자 적재 부재는열전도재질로이루어지는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 소자 적재 부분은 구리, 알루미늄, 은 또는 금의 단체, 또는 이것들의 각 금속을 주성분으로 하는합금으로이루어지는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 반도체 소자의 전극부의 접지가 가능한 제1도전층 또는 상기 리드의 접지가 가능한 제2전도층의 적어도 한쪽이상기소자설치면형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 11] 제2항에 있어서,상기 반도체 소자의 전극부의 접지가 가능한 제1도전층 또는 상기 리드의 접지가 가능한 제2전도층의 적어도 한쪽이상기소자설치면형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 12] 제3항에 있어서,상기 반도체 소자의 전극부의 접지가 가능한 제1도전층 또는 상기 리드의 접지가 가능한 제2전도층의 적어도 한쪽이상기소자설치면형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 13] 제6항에 있어서,상기 반도체 소자의 전극부의 접지가 가능한 제1도전층 또는 상기 리드의 접지가 가능한 제2전도층의 적어도 한쪽이상기소자설치면형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 14] 제7항에 있어서,상기 반도체 소자의 전극부의 접지가 가능한 제1도전층 또는 상기 리드의 접지가 가능한 제2전도층의 적어도 한쪽이상기소자설치면형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 15] 제8항에 있어서,상기 반도체 소자의 전극부의 접지가 가능한 제1도전층 또는 상기 리드의 접지가 가능한 제2전도층의 적어도 한쪽이상기소자설치면형성되어있는것을특징으로 하는밀폐형 반도체장치 [청구항 16] 제10항에 있어서,상기 제1도전층 및 제2도전층은 금, 은, 파라듐 및 알루미늄에서 선택되는적어도1종의금속구성되는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 17] 제10항에 있어서,상기 제1도전층 및 제2도전층nan은이간형성되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 18] 제10항에 있어서,상기 제1도전층 및 제2도전층으로연속적형성되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 19] 제10항에 있어서,상기 제1도전층 및 상기 제2도전층이 형성된 영역이외의 소자 적재 부재의 표면에는절연층형성되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 20] 제11항에 있어서,상기 제1도전층 및 상기 제2도전층이 형성된 영역이외의 소자 적재 부재의 표면에는절연층형성되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 21] 제12항에 있어서,상기 제1도전층 및 상기 제2도전층이 형성된 영역이외의 소자 적재 부재의 표면에는절연층형성되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 22] 제13항에 있어서,상기 제1도전층 및 상기 제2도전층이 형성된 영역이외의 소자 적재 부재의 표면에는절연층형성되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 23] 제19항에 있어서,상기 절연층은 상기 소자 적재 부재를 구성하는 금속을 산화 처리해서 얻어진금속산화막으로이루어지는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 24] 제20항에 있어서,상기 절연층은 상기 소자 적재 부재를 구성하는 금속을 산화 처리해서 얻어진금속산화막으로이루어지는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 25] 제21항에 있어서,상기 절연층은 상기 소자 적재 부재를 구성하는 금속을 산화 처리해서 얻어진금속산화막으로이루어지는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 26] 제22항에 있어서,상기 절연층은 상기 소자 적재 부재를 구성하는 금속을 산화 처리해서 얻어진금속산화막으로이루어지는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 27] 제1항에 있어서,상기 소자적재 부재는 상기 소자 설치면을 포함하는 대경부와 이 대경부에서 돌출하는 소경부로 이루는 단면 형상이 거의볼록형상이루는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 28] 제2항에 있어서,상기 소자적재 부재는 상기 소자 설치면을 포함하는 대경부와 이 대경부에서 돌출하는 소경부로 이루는 단면 형상이 거의볼록형상이루는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 29] 제3항에 있어서,상기 소자적재 부재는 상기 소자 설치면을 포함하는 대경부와 이 대경부에서 돌출하는 소경부로 이루는 단면 형상이 거의볼록형상이루는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 30] 제6항에 있어서,상기 소자적재 부재는 상기 소자 설치면을 포함하는 대경부와 이 대경부에서 돌출하는 소경부로 이루는 단면 형상이 거의볼록형상이루는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 31] 제7항에 있어서,상기 소자적재 부재는 상기 소자 설치면을 포함하는 대경부와 이 대경부에서 돌출하는 소경부로 이루는 단면 형상이 거의볼록형상이루는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 32] 제8항에 있어서,상기 소자적재 부재는 상기 소자 설치면을 포함하는 대경부와 이 대경부에서 돌출하는 소경부로 이루는 단면 형상이 거의볼록형상이루는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 33] 제10항에 있어서,상기 소자적재 부재는 상기 소자 설치면을 포함하는 대경부와 이 대경부에서 돌출하는 소경부로 이루는 단면 형상이 거의볼록형상이루는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 34] 제27항에 있어서,상기 소자 적재 부재는 그 소경부가 수지 밀폐부로부터 노출하는상태설치되는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 35] 제30항에 있어서,상기 소자 적재 부재는 그 소경부가 수지 밀폐부로부터 노출하는상태설치되는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 36] 제27항에 있어서,상기 소자 적재 부재의 그 소경부는 그 두께 방향에 언더컷 형상을 갖는 것을특징으로하는수지 밀페형 반도체 장치 [청구항 37] 제30항에 있어서,상기 소자 적재 부재의 그 소경부는 그 두께 방향에 언더컷 형상을 갖는 것을특징으로하는수지 밀페형 반도체 장치 [청구항 38] 제27항에 있어서,상기 소자 적재부재의 상기 소경부의 영역을 제외하는 대경부에 있어서 두께 방향에 연통한느수지연통공갖는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 39] 제30항에 있어서,상기 소자 적재부재의 상기 소경부의 영역을 제외하는 대경부에 있어서 두께 방향에 연통한느수지연통공갖는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 40] 제34항에 있어서,상기 소자 적재부재는 그 노출한는 면상에땜납층갖는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 41] 제35항에 있어서,상기 소자 적재부재는 그 노출한는 면상에땜납층갖는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 42] 제1항에서 제26항중의 어느 한 항에 있어서,상기 소자 적재부재는수지밀폐부내매설되어있는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 43] 제1항에서 제 41항중의 어느 항에 있어서,상기 프레임 리드는 와이어본딩의 화상 인식에 있어서 마킹으로서 기능하는인식용돌기갖는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 44] 제1항에서 제 41항중의 어느 항에 있어서,상기 프레임 리드는 복수의 지지 리드에 의해서지지되는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 45] 제1항에서 제 41항중의 어느 항에 있어서,상기 프레임 리드는전원용리드로서쓰이는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치 [청구항 47] 제46항에 있어서,상기 공정⒞에 있어서, 상기 인너리드와 상기 반도체 소자의 전극부를 접속하는 와이어는 리드 누름으로 상기 인너리드를 눌러내리고 그 선단부를 상기 소자 적재 부재의 소자 설치면에 맞닿게한상태형성되는것을특징으로 하는수지 밀폐형 반도체 장치의 제조방법