가스첨가,감소된챔버직경및감소된RF웨이퍼페데스탈직경에의해개선된플라즈마균일성을가진플라즈마반응기 document_id 1019950020960

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 가스 인입구 배열이 상기 웨이퍼의 상기 에지의 주변 위에서 상기 챔버내에서 현수된 중공 고리형 링에 의해 특징화되는 루프형상 가스 배출링에 의해 특징화되며 그안에가스 배출홀포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 가스 인입구 배열이, 상기 시일링으로부터 상기 웨이퍼쪽으로 연장되고 상기 웨이퍼의 상기 에지 주변의 직경에 해당하는 직경 및 가스 배출홀을 가진 상기 웨이퍼의 상기 에지 주변 근처에 그의 표면을 갖는가스분배고리형박스인것을특징으로하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 희석 소오스 인입구가 상기 챔버의 상기 시일링을 통해 통과하는 가스 인입구선이며 상기 가스분배 박스링 및 상기 시일링 사이에 형성된내부공동결합되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 가스분배 플레이트가 상기 시일링의 내부 표면위의 수직링 벽 및 상기 수직 링벽의 바닥에지에서의 플레이트에 의해 특징지어지며, 상기 상기 플레이트가 가스 배출홀을 가지며, 상기 에천트 소오스 인입구가 상기 가스분배 플레이트 및 상기 시일링 사이에 형성된 중공에 접속된가스인입구튜브인것을특징으로하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 수직 링벽이 상기 고리형 링과 중심이 같은 것특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 가스인입구 배열이 상기 웨이퍼 페데스탈의 상부 표면에서의 가스 배출홀의 배열로 특징지어지며 상기 웨이퍼의 상기 에지 주변에 인접하여아치형 경로배열되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 8] 제 7항에 있어서,상기 희석 소오스 인입구가 상기 웨이퍼 페데스탈에서 상기 가스 배출홀에 접속된 상기 웨이퍼 페데스탈을 통한가스인입구통로인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 9] 제 1항에 있어서,천트 가스에 의해 에칭된상기물질실리콘인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 10] 제 9항에 있어서,천트 가스가염소가스및수소브롬화물혼합물인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 희석가스가 적어도 염소가스와 거의 혼합되지 않은수소브롬화물인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 가스 인입구 배열이 상기 웨이퍼의 상기 중심부 위에서 상기 챔버내에서 현수된 중공 고리형 링에 의해 특징화되는 루프형상 가스 배출링에 의해 특징화되며 그안에가스 배출홀포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 14] 제 12항에 있어서,상기 가스 인입구 배열이 상기 시일링으로부터 상기 웨이퍼 향해 연장되며 상기 웨이퍼 보다는 직경이 작고 상기 웨이퍼의 중심부의 직경과는 대응되는 직경을 갖고, 상기 웨이퍼 근처에 그의 표면에 가스 배출 홀을 갖는 중심 가스분배 플레이트 배열로 특징화되며,상기 분배 플레이트가 상기 중심 가스분배 플레이트의 둘레 및 상기 웨이퍼의 상기 에지 주변에 위치한가스분배박스링포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 분리 소오스 인입구가 상기 챔버의 상기 시일링을 통해 통과하는 가스 인입구 라인에 의해 특징지어지며 상기 가스분배 플레이트 배열 및 상기 시일링 사이에 형성된내부공동접속되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 가스분배 박스링이 상기 시일링의 내부 표면상의 수직 링벽 및 상기 수직 링벽의 바닥 에지상의 플레이트에 의해 특징지어지며 상기 판이 가스 배출홀을 가지며, 상기 에천트 소오스 인입구가 상기 가스분배 플레이트 및 상기 시일링 사이에 형성된 공동에 접속된가스인입구튜브인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 가스분배 박스링이 상기 가스분배 플레이트 배열과 중심이 같은 것특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기 [청구항 18] 제 12항에 있어서,천트 가스에 의해 에칭된상기물질실리콘인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 19] 제 18항에 있어서,천트 가스가염소가스및수소브롬화물혼합물인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 20] 제 19항에 있어서,상기 분리 가스가 (a) 크세톤 및 (b)아르곤중하나인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 플라즈마가 제한되는 상기 체적이 상기 웨이퍼의 직경과 거의 동일한직경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 23] 제 22항에 있어서,제한 수단이 상기 웨이퍼의 에지 주변근처에 정열되며 상기 시일링으로부터 상기 웨이퍼 높이의 상기 갭 범위내로 아래 방향으로 연장되고, 수직 링벽의 바닥 에지로부터 상기 챔버의 측벽으로 연장되는고리형벽인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 24] 제 21항에 있어서,천트 가스에 의해 에칭된상기물질실리콘인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 25] 제 24항에 있어서,천트 가스가염소가스및수소브롬화물혼합물인것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 27] 제 26항에 있어서,상기 절연층 상기 절연층내에 밀봉된 정전기 척 도전층 및 상기 정전기 척 도전층에 정전기 전위를 공급하기 위한수단더포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 28] 제 27항에 있어서,상기 절연층의 상부 표면에서의 냉각제 가스흐름채널 및 상기 웨이퍼로부터 열을 제거하기 위해 상기 채널에 냉각제 가스를 공급하기 위한수단더포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 30] 제 29항에 있어서,상기 절연층내에 밀봉된 도전층 및, 상기 도전층의 전기접속이 상기 도전층에 공급되는 정전기 전위를 허용하여, 페데스탈 장치 및 기판 사이에 정전기 인력을 발생시키도록 상기 도전층으로의전기연결부더포함하는것을특징으로 하는기판 페데스탈 장치. [청구항 32] 제 31항에 있어서,상기 희석가스가 수소 브롬화물을 포함하며, 상기 에천트 가스가염소포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 34] 제 33항에 있어서,상기 분리 가스가 적어도 크세톤 또는 아르곤중의 하나를 포함하며 상기 에천트 가스가적어도염소및수소브롬화물중의하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 37] 제 36항에 있어서,균일성이 개선되어 분배되는 에천트 가스의 이온을 발생시키기 위한 수단이 플라즈마내에서 에천트 종으로 에천트 가스의 분리를 촉진시킬 수 있는 분리 가스가 공급되도록 조절된 상기 페데스탈의 중심부 위에 위치한 가스 인입구 배열을 더 포함하며 상기 배열이 상기 페데스탈 및 그위에 보유된 웨이퍼의 상기 중심에 인접한 상기 분리가스를 전달하기 위해서위치되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 38] 제 36항에 있어서,균일성이 개선되어 분배되는 에천트 가스의 이온을 발생시키기 위한 상기 수단이 플라즈마내의 상기 에천트 종을 희석시킬 수 있는 희석가스가 공급되는 페데스탈의 주변 부근에 가스 인입구 배열을 포함하며, 상기 배열이 웨이퍼가 지지되는 상기 페데스탈의 주변에 인접하여 희석가스를 전달하기위치되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 39] 제 36항에 있어서,균일성이 개선되어 분배되는 에천트 가스의 이온을 발생시키기 위한 상기 수단은 상기 페데스탈의 주변에 인접하여 작은 갭을 포함한 상기 웨이퍼의 높이에 제한되며 페데스탈의 중심부 부근에서 챔버의 시일링으로 연장되는 높이를 가진 체적으로 상기 플라즈마를 제한하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기. [청구항 40] 제 36항에 있어서,균일성이 개선되어 분배되는 에천트 가스의 이온을 발생시키기 위한 상기 수단이 페데스탈을 둘러싸며 웨이퍼를 지지하는 페데스탈의 표면을 덮는 절연 구조 포함하며, 상기 구조의 외부 직경이 상기 웨이퍼의 직경보다 더 큰 직경을 가지며 상기 페데스탈이 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 직경을 가지며, rf 전력이 상기 페데스탈을 통해 상기 챔버로 접속되어 웨이퍼 주변에 인접한 에천트 가스의 이온 밀도가웨이퍼의중심부를중심감소되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 에칭 반응기.