반도체 장치 및 그 제조 방법 document_id 1019950028657

[청구항 3] 제2항에 있어서,응력을 검출하기 위해 상기 캔틸레버와 동일한 두께를 가진 확산된저항구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버를 상기 지지자(2)로 고정시키는 수단은중합물질인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버를 상기 지지자(2)로 고정시키는 수단은금속물질인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버를 상기 지지자(2)로 고정시키는 수단은 기계적인수단인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버를 상기 지지자(2)로 고정시키는 수단은양극본딩인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버는 cmos 구조를 갖는전기회로구비한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버는온도보상회로구비한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버는증폭기회로구비한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버는 출력전압을 조절하는저항가진것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제2항에 있어서,상기 캔틸레버는웨이트구비한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,반도체 기판의 상부표면 근처에 확산된 제1저항과, 상기 반도체기판의 하부표면 근처에 확산된 제2저항을 구비하고, 가속에 의한 상기 캔틸레버의 압축응력과 인장 응력을 검출하기 위하여 확산된 제1저항과 확산된 제2저항이브리지회로구성하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 확산된 소자가 확산된 저항으로 이루어진 브리지회로를 구성하고 압력에 따라 상기 센서 소자의 변형에 의한압축응력및인장응력검출하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 확산된 저항은 확산된 저항으로 이루어진 브리지회로를 구성하고, 상기 확산된 저항은 압력이 인가된 측면에 위치하고, 상기 확산된 저항은 확산된 저항이 다이아프램의측면위치하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 25] 제22항에 있어서,상기 센서소자의 가장자리가상기베이스고정되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,티레버에 면하는 상기 스토퍼부분은상기캔틸레버의편향곡선동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 확산된 저항과 상기 지지자 사이에 갭이 있는 것특징으로 하는반도체장치. [청구항 33] 제31항에 있어서,상기 확산된 저항에 의해 발생된 전기신호는 상기 캔틸레버를 상기 지지자에 고정함으로써 상기 지지자에 형성된 배선에 의해인출되는것을특징으로 하는반도체장치.