가공 특허 1019950030331

출원번호: 1019950030331
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 복수의 소자분리절연막은 상기 복수의 트렌치의 측면을 따라 각각 형성되고, 상기 측면에 따른 방향에서 소자분리절연막의 폭이 상기 측면에 수직인 방향에서 소자분리절연막의 두께보다 더 큰 것특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 복수의 소자분리절연막 각각nan은2층절연막형성된것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 2층절여막은 상기 2층절연막중 한 층이 상기 표면을 따라 트렌치 각각의 내측면에 형성되며, 다른 한층은 상기 표면을 따라 상기 트렌치 각각의 적어도 부분적으로는외측면형성되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 복수의 트렌치는 행 및 열상에 배치되고, 상기 트렌치에 형성된 상기 소자분리절연막은 복수의 소자분리영역을 형성하기 위해열방향서로결합된것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터는 상기 복수의 소자분자영역중 인접한 2개에 의해 샌드위치된 영역에 형성되며, 상기 트랜지스터중 인접한 것은 소오스 및 드레인 영역중 하나를 공통으로 사용하여 복수의 트랜지스터가캐스캐이드접속되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 소자분리절연막 각각은 상기 각 축적전극 지섹션의 측면상에 형성된부분갖춘것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 소자분리절연막 각각은 비트선이 배치된 방향에서 상기 소오스와 드레인영역중 인접한 것간제공되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 복수의 워드선은 상기 소자분리막이 형성된 영역과 다른영역통과하는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 소자분리막은 상기 복수의 트랜지스터의 형성영역을 선택적으 로분리하기 위해 다른종류의소자분리수단결합되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,종류의 소자분리막에사용되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,소정의 농도를 갖는 소정의 전도성 형태의 반도체 층은 상기 다른종류의소자분리수단사용되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 18] 제11항에 있어서,상기 축적전극 각각은 상기 비트선 각각에 스트라이드하기 위해 형성되며, 상기 각 비트선의 양측면저부에서 소오스와 드레인영역중하나접속되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,비트선과 기판간에 형성되며, 상기 각 비트선의 폭과 동일한 폭을 갖는 비트선 절연막을 더 구비하고, 상기 각 비트선은 상부면상의 상부절연막과, 상기 각 비트선의 측벽상에 동시에 형성된 측벽절연막 및 상기 비트절연막의 측별을 구비함으로써 상기 각축적전극절연되는것을특징으로 하는반도체기억장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 축적전극을 형성하는 단계는, 상기 각 축적전극 회상부의 거리가 상기 기판표면의 거리보다 작지 않도록한 방식을 통해 단계적인 변화를 갖을 수 있도록, 상기 비트선이 배치된 방향에 인접한 상기 축적전극간의 거리를 형성하는단계포함한것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

반도체 기억장치에서 2층 절연막으로 형성된 소자분리절연막의 경우, 각 층이 트렌치의 어느 부분에 형성되는가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

2층 절연막으로 구성된 소자분리절연막의 각 층이 트렌치의 어느 부분(내측면 또는 외측면)에 형성되는지 파악해야 한다.
2정보 추출information_extraction

청구항 3은 소자분리절연막이 2층으로 형성됨을 명시하고, 청구항 4는 각 층의 형성 위치를 설명한다.
- 상기 2층절여막은 상기 2층절연막중 한 층이 상기 표면을 따라 트렌치 각각의 내측면에 형성되며, 다른 한층은 상기 표면을 따라 상기 트렌치 각각의 적어도 부분적으로는외측면형성되는것을특징으로 하는반도체기억장치
3근거 선택evidence_selection

2층 절연막 중 한 층은 트렌치의 내측면에, 다른 한 층은 트렌치의 외측면에 형성된다는 구절을 선택한다.
- 한 층이 상기 표면을 따라 트렌치 각각의 내측면에 형성되며, 다른 한층은 상기 표면을 따라 상기 트렌치 각각의 적어도 부분적으로는외측면형성되는것
4논리 통합logical_integration

2층으로 구성된 소자분리절연막의 구조적 특징을 결합하여, 한 층은 내측면에, 나머지 한 층은 외측면에 위치함을 도출한다.
5결론 도출conclusion_formulation

질문에 대해 2층 절연막의 각 층이 트렌치의 내측면과 외측면에 각각 형성된다는 결론을 내린다.
6답변 생성answer_generation

추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)

2층 절연막으로 형성된 소자분리절연막의 경우, 한 층은 표면을 따라 트렌치 각각의 내측면에 형성되고, 다른 한 층은 표면을 따라 트렌치 각각의 적어도 부분적으로는 외측면에 형성된다.

핵심 해석 (core_interpretation)

소자분리절연막을 2층 구조로 구성하여, 각각의 층이 트렌치의 내측면과 외측면에 나누어 형성되도록 설계된 반도체 기억장치의 구조적 특징을 나타낸다.