문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 메모리 장치의 출력버퍼회로에 있어서
외부 칩인에이블 신호에 따라 저전압 동작시에는 하이레벨을 출력하고, 고전압 동작시에는 로우레벨을 출력하는 동작전압 감지회로부와, 상기 동작전압 감지회로부로 부터 발생되는 신호를 제1외부신호에 의해 제어되고 출력은 입출력 패드로 전달하는 제1, 2보조 입출력 드라이버 제어회로부와, 상기 제1외부신호를 인가받아 입출력 패드로 반전된 출력을 전달하는 입출력 드라이버 제어회로부를 구비함을 특징으로 하는 출력버퍼회로
[청구항 2]
제1항에 있어서,동작전압 감지회로부는 전원전압과 접지전압사이에 제1피모오스 트랜지스터와 제1, 제2, 제3엔모오스 트랜지스터들의 채널들이 직렬로 접속되고, 상기 제1, 제2, 제3엔모오스 트랜지스터들의 게이트는 이들의 드레인과 각기 접속되고, 상기 제2엔모오스 트랜지스터의 소오스와 상기 제3엔모오스 트랜지스터의 드레인이 접속된 제1노드와 접지전원사이에 제1공핍형 엔모오스 트랜지스터의 채널이 직렬로 접속되고, 전원전압과 접지전원사이에 제2피모오스 트랜지스터와 제2공핍형엔모오스 트랜지스터와 제4엔모오스 트랜지스터가 접속되고, 상기 제1노드에 상기 제4엔모오스 트랜지스터의 게이트가 접속되고, 상기 제1, 2피모오스 트랜지스터의 게이트는 외부 칩인에이블 신호와 접속되고, 상기 제2공핍형 엔모오스 트랜지스터의 게이트는 상기 제2공핍형 엔모오스 트랜지스터의 소오스와 상기 제4엔모오스 트랜지스터의 드레인이 접속된 제2노드에 접속되고, 상기 제2노드와 접지전원사이에 제3공핍형엔모오스 트랜지스터가 접속되고, 상기 제3공핍형 엔모오스 트랜지스터의 게이트는 접지전원과 접속되고, 전원전압과 접지전원사이에 제5엔모오스 트랜지스터와 제4공핍형 엔모오스 트랜지스터가 접속되고, 상기 제5엔모오스 트랜지스터의 게이트는 상기 제2노드에 접속되고, 상기 제4공핍형 엔모오스 트랜지스터의 게이트는 접지전원과 접속되고, 상기 제5엔모오스 트랜지스터의 소오스와 상기 공핍형 엔모오스 트랜지스터의 드레인이 접속된 제3노드는 상기 제1및제2보조입출력드라이버제어회로부의입력단자접속됨을특징으로 하는출력버퍼회로.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기제1~제4공핍형 엔모오스 트랜지스터는피모오스트랜지스터대치될수특징으로 하는출력버퍼회로.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 입출력 드라이버 제어회로부는 제3피모오스 트랜지스터와 제5공핍형 엔모오스 트랜지스터와 제6엔모오스 트랜지스터를 가지는 풀-업 인버어터의 입력단자는 제1외부신호와 접속되고, 제4피모오스 트랜지스터와 제6공핍형 엔모오스 트랜지스터와 제7엔모오스 트랜지스터를 가지는 풀-다운 인버어터의 입력단자는 상기 제1외부신호와 접속되고, 전원접압과 접지전원사이에 채널들이 직렬로 접속된 제1풀-업 트랜지스터의 게이트와 제1풀-다운 트랜지스터의 게이트는 상기 풀-업 인버어터와 상기 풀-다운 인버어터의 출력단에 각각 접속되고, 상기 제1풀-업트랜지스터의 소오스와 상기 제2풀-다운 트랜지스터의 드레인은외부입출력 패드접속됨을특징으로 하는출력버퍼회로.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제1풀-업 트랜지스터는 제8엔모오스 트랜지스터특징으로 하는출력버퍼회로.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 제1풀-다운 트랜지스터는 제9엔모오스 트랜지스터특징으로 하는출력버퍼회로.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 제1보조 입출력 드라이버 제어회로부는 상기 동작전압 감지회로부의 출력신호를 상기 제1외부신호에 의해 통과 또는 차단시키는 제1전송게이트와, 상기 전송게이트의 출력단자와 접지전원사이에 채널이 직렬로 접속되고 게이트는 상기 제1외부신호와 접속된 제10엔모오스 트랜지스터와, 전원전압과 외부 입출력 패드사이에 채널이 직렬로 접속되고 게이트는 상기 제1전송게이트의 출력단자와 접속된 제11엔모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는출력버퍼회로.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 제2보조 입출력 드라이버 제어회로부는 상기 동작전압 감지회로부의 출력신호를 상기 제1외부신호에 의해 통과 또는 차단시키는 제2전송게이트와, 상기 전송게이트의 출력단자와 접지전원사이에 채널이 직렬로 접속되고 게이트는 상기 제1외부신호와 접속된 제12엔모오스 트랜지스터와, 외부 입출력 패드과 접지전원사이에 채널이 직렬로 접속되고 게이트는 상기 제2전송게이트의 출력단자와 접속된 제13엔모오스트랜지스터구성됨을특징으로 하는출력버퍼회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리 장치의 출력버퍼회로에서 동작전압 감지회로부가 외부 칩인에이블 신호의 상태에 따라 출력하는 신호의 레벨은 저전압 동작과 고전압 동작 시 각각 어떻게 변하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation외부 칩인에이블 신호의 상태에 따른 동작전압 감지회로부의 출력 신호 레벨 변화(저전압 및 고전압 동작 시)를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 동작전압 감지회로부의 동작 조건과 출력 신호 레벨에 관한 정보를 추출한다.
- 외부 칩인에이블 신호에 따라 저전압 동작시에는 하이레벨을 출력하고, 고전압 동작시에는 로우레벨을 출력하는 동작전압 감지회로부
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 동작전압 감지회로부의 출력 레벨 관련 구절을 선택한다.
- 저전압 동작시에는 하이레벨을 출력하고, 고전압 동작시에는 로우레벨을 출력하는 동작전압 감지회로부
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 저전압 동작 시의 출력(하이레벨)과 고전압 동작 시의 출력(로우레벨)을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation저전압 동작 시에는 하이레벨을 출력하고, 고전압 동작 시에는 로우레벨을 출력한다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
저전압 동작 시에는 하이레벨을 출력하고, 고전압 동작 시에는 로우레벨을 출력한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 외부 칩인에이블 신호에 따라 동작전압의 상태(저전압 또는 고전압)를 감지하여 그에 맞는 신호 레벨(하이 또는 로우)을 출력하는 동작전압 감지회로부를 포함하는 출력버퍼회로에 관한 것이다.