문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제2소오스/드레인전극은 서로 연결된 두 개의 콘택홀을 매립하여형성되는것을특징으로 하는이중 버어티칼 트랜지스터
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1도전층 및 제2도전층은 에패택셜층형성되는것을특징으로 하는이중 버어티칼 트랜지스터
[청구항 4]
제1도전형의 반도체 기판 전면에 제2도전층과 제1도전층을 순차적으로 형성하는 단계
상기 제1도전층위에 제1포토레지스트패턴을 형성하고 이를 식각마스크로하여 상기 제1도전층 일부를 식각하여 제1도전층의 요철(凸)패턴을 형성하는 단계
상기 제1포토레지스트패턴을 제거하고 상기 제1도전층의 요철패턴위에 제2포토레지스트패턴을 형성한 후, 이를 식각마스크로하여 상기 제1도전층과 제2도전층 일부를 식각하여 제1도전층의 요철(凸)패턴을 형성하는 단계
상기 제2 포토레지스트패턴을 제고하고 상기 제1 및 제2도정층의 패턴위에 제3 포토레지스트패턴을 형성한 후, 이를 식각마스크로하여 반도체 기판의 일부를 식각하여 반도체 기판의 요철(凸)패턴을 형성하는 단계
상기 결과물의 표면에 산화막을 형성하는 단계
상기 산화막 위에 제3도전층을 형성한 후, 상기 제3도전층을 식각하여 제1도전층패턴 요철돌출부의 측벽에 제1게이트전극과 제2도전층패턴과 기판의 측벽에 제2게이트전극을 형성하는 단게
상기 제1도전층의 요철돌출부와 그 측벽에 형성된 제1게이트전극만노출시키는 제4포토레지스트패턴을 형성한 후, 상기 제4포토레지스트패턴을 이온주입마스크로하여 제1불순물을 주입하여 제1소오스/드레인을 형성하는 단계; 방법
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 결과물 전면에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층위에 상기 제1소오스/드레인 및 제2소오스/드레인을 노출시키는 제6포토레지스트패턴을 형성한 후, 상기 제6포토레지스트패턴을 식각마스크로하여 상기 절연층을 식각하여 상기 제1소오스/드레인 및 제2소오스/드레인의 표면을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀을 매립하는 제4도전층패턴을 형성하는단계더구비하는것을특징으로 하는이중 버어티칼 트랜지스터의 제조방법
[청구항 6]
제4항에 있어서,제1도전층 및 제2도전층nan은에피택셜층형성하는것을특징으로 하는이중 버어티칼 트랜지스터의 제조방법
[청구항 7]
제4항에 있어서,상기 제1불순물은 n+형 불순물을, 제2불순물은 p+형불순물사용하는것을특징으로 하는이중 버어티칼 트랜지스터의 제조방법
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이중 버어티칼 트랜지스터의 제조방법에서 제1소오스/드레인을 형성하기 위해 사용되는 이온주입마스크는 무엇을 이용한 패턴인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이중 버어티칼 트랜지스터 제조방법 중 제1소오스/드레인을 형성할 때 사용되는 이온주입마스크의 정체를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4의 마지막 단계를 확인하여 제1소오스/드레인 형성 과정과 사용된 마스크를 추출한다.
- 상기 제1도전층의 요철돌출부와 그 측벽에 형성된 제1게이트전극만노출시키는 제4포토레지스트패턴을 형성한 후, 상기 제4포토레지스트패턴을 이온주입마스크로하여 제1불순물을 주입하여 제1소오스/드레인을 형성하는 단계
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3근거 선택
evidence_selection제1소오스/드레인 형성을 위해 이온주입마스크로 사용된 구체적인 패턴 명칭을 선택한다.
- 제4포토레지스트패턴을 이온주입마스크로하여 제1불순물을 주입하여 제1소오스/드레인을 형성하는 단계
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4논리 통합
logical_integration제4포토레지스트패턴이 제1게이트전극만 노출시키도록 형성된 후, 이 패턴 자체가 이온주입마스크 역할을 수행함을 연결한다.
- 상기 제4포토레지스트패턴을 이온주입마스크로하여 제1불순물을 주입하여 제1소오스/드레인을 형성하는 단계
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5결론 도출
conclusion_formulation따라서 제1소오스/드레인을 형성하기 위한 이온주입마스크는 제4포토레지스트패턴이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 '제4포토레지스트패턴'을 도출한다.
최종 답변 (final_answer)
제4포토레지스트패턴
핵심 해석 (core_interpretation)
이중 버어티칼 트랜지스터 제조 시, 제1게이트전극만을 노출시키는 제4포토레지스트패턴을 이온주입마스크로 활용하여 제1소오스/드레인을 형성하는 공정 기술을 포함한다.