마이크로 웨이브로 활성화된 이온주입기용 이온소오스 document_id 1019950031886

[청구항 2] 제1항플라즈마 챔버 내부영역(50)내에 자기장을 형성하는 자기장 발생수단(46)을 포함하고, 자기장은 가늘고 긴 아아크 슬릿(64)에 축방향으로 정렬되어 챔버(42)내에서 플라즈마 형성을 제어하여 아아크 슬릿(64)을 통과해 방출되는 이온의 비율증가시키는이온소오스 장치(12). [청구항 3] 제1항에 있어서,전송조립체(52)는 배기된 동축 튜브(56)내에 배치된 중앙전도체(54)를 포함하는전력공급선포함하여구비하는이온소오스 장치(12). [청구항 4] 제3항에 있어서,전송조립체(52)에 결합된 튜너조립체(48)를 포함하고, 이 튜너 조립체(48)는 에너지 전송 중앙전도체(220)의 부분위에 활주되게 놓이는 환형 칼라(236, 238)를 가진 적어도 하나의 슬러그 튜너를 포함하며, 이동경로를 따라 이 환형 칼라(236, 238)를 이동시켜서 플라즈마 챔버(42)로의 마이크로웨이브 또는 rf 에너지 입력의 주파수변경시키는이온소오스 장치(12). [청구항 5] 제1항에 있어서,플라즈마 챔버 내부영역(50)과 유체 연통되는 적어도 하나의 증발기(44)를 포함하고, 이 증발기(44)는 소오스 재료를 수령하기에 적합하고 플라즈마 챔버 내부 영역(50)으로 들어오는 소오스 재료를 증발시키는 가열수단포함하는이온소오스 장치(12). [청구항 6] 제5항에 있어서,플라즈마 챔버 하우징(74)은 플라즈마 챔버(42)를 지지하는 크기로 된 요부(凹部)를 구비하고, 플라즈마 챔버벽내의 개구(63)를 통해서 증발기(44)의 출력 오리피스(orifice)로부터 증기를 유도하는 적어도 하나의 통로가지는이온소오스 장치(12). [청구항 7] 제6항에 있어서,플라즈마 챔버 하우징(74)은 플라즈마 챔버 내부영역(50)으로의 마이크로웨이브 또는 rf 에너지 입력에 의해 발생되는 열에 추가해서 플라즈마 챔버 내부 영역(50)으로 열을 공급하는 가열수단포함하는이온소오스 장치(12). [청구항 8] 제1항에 있어서,챔버 내부(50)로 에너지를 주입하는 플라즈마 챔버(42)의 벽(68)을 그 안으로 에너지 입력수단(40)의 단부(66)가 연장되는 공동을 형성하는 대체로 평면인 단부 및 원통형 측면을 가진 벽 조각포함하는이온소오스 장치(12). [청구항 9] 제1항에 있어서,플라즈마 챔버(42)의 챔버 내부(50)는, 가늘고 긴 아아크 슬릿(64)을 감싸는 영역을 제외하고는, 불황성 재료로써 경계되는이온소오스 장치(12). [청구항 10] 제1항에 있어서,이온소오스 하우징 조립체(22)에 의해 경계로 되는 배기된 영역내로 연장되는 지지튜브(94)와, 배기되지 않은 영역내의 이온소오스 하우징 외측에 배치된 마이크로웨이브 또는 rf 에너지 소오스(20)를 포함하고, 또한, 플라즈마 챔버(42)는 배기된 영역내에 배치되고 지지튜브(94)에 의해 지지되며, 에너지 전송수단(40)은 에너지 소오스(20) 및 플라즈마 챔버(42)에 결합되어 에너지 소오스로부터 플라즈마 챔버로 에너지를 전달하고 플라즈마 챔버(42)의 외벽(68)의 부분에 결합하는 단부(66)를 가진 에너지 전송 동축 전송선 중앙전도체(54)를 포함하며, 중앙전도체(54)위에 동축튜브(56)가 있고, 적어도 동축튜브(56)의 일부분은 배기되며, 진공밀봉체(58)는 플라즈마 챔버 외벽부(68)에 결합하는 중앙전도체 단부(66)의 단부로부터 이격되고 동축튜브(56)의 배기된 부분과 이온소오스 하우징 조립체(22)외부의 배기되지 않은 영역 사이에서 밀봉형성하는이온소오스 장치(12). [청구항 11] 제10항에 있어서,진공밀봉체(58)는 중앙전도체(54)위에 배치되는 동축튜브내에 있는이온소오스 장치(12). [청구항 12] 제10항에 있어서,플라즈마 챔버(42)는 중앙전도체 단부(66)와 서로 맞추어져서 중앙전도체(54) 및 플라즈마 챔버 외벽(68) 사이에서 증가된 결합 면적을 제공하는 외벽(68)내의 요부(凹部포함하는이온소오스 장치(12). [청구항 13] 제10항에 있어서,지지튜브(94)내에 배치된 이온소오스 장치(12)의 부분은, 이온소오스 장치(12)의 열팽창 및 수축 때문에 이온소오스 장치(12)가 지지튜브(94)내에서 이동할 때, 소정의 이온빔 경로와, 캡 아아크 슬릿(64)의 축방향 정렬을 유지하는 위치결정수단포함하는이온소오스 장치(12). [청구항 14] 제10항에 있어서,또는 마이크로웨이브 전력에 의한 가열에 추가하여 가열수단(76)을 포함하여서 플라즈마 챔버 내부영역(50)의 온도를 800℃까지, 또는 그 이상상승시키는이온소오스 장치(12). [청구항 15] 제10항에 있어서,상기 플라즈마 챔버(42) 주위에 고정되어 일군의 2개 또는 그 이상의 영구자석(82)과 협력하여 사용되고 방향이 되어, 플라즈마 챔버 내부 영역(50)내에서 정형된 쌍극 자기장 구성을 제공하는 제거 가능한 자석지지체(78)를 포함하고, 상기 자기장은 조정 가능하여 상기 라디오 또는 마이크로웨이브 주파수에서 전자싸이클로트론 공진제공하는이온소오스 장치(12). [청구항 16] 제15항에 있어서,자석지지체(78)는, 플라즈마 챔버 내부영역(50)내에 정형된 6극 및 첨두 자기장 구성을 제공하기 위해 상이한 수의 자석(82) 및 상이한 방향의 자석(82)을 가진 자석(82)군지지하기에적합한이온소오스 장치(12). [청구항 17] 제10항에 있어서,소오스 재료를 증발시키기 위해 적어도 하나의 가열되는 증발기(44)를 구비하고, 증발기(44)의 방출구는 플라즈마 챔버 내부 영역(50)과 유체연통되는이온소오스 장치(12). [청구항 18] 제17항에 있어서,증발기(44)는, 소오스 재료를 첨가하거나 또는 수리를 위해, 지지튜브(94)내에 배치된 플라즈마 챔버(42)를 포함하는 이온소오스 장치(12)의 부품을 제거할 필요 없이,이온소오스장치제거될수있는이온소오스 장치(12).