초기 입력단 이외의 내부 회로를 갖는 반도체 장치 document_id 1019950031960

[청구항 1] 초기 입력단 회로 이외의 전계 효과, 트랜지스터를 가지는 내부 회로를 포함하는 반도체 장치에 있어서 상시 반도체 장치는 상기 초기 입력단 회로 이외의 상기 내부 회로의 상기 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 게이트 전극층(23)과 상기 게이트 전극층에 전기적으로 접속되어 상기 게이트 전극층에 회로 신호를 전달하기 위한 제1배선층(20) 및 상기 게이트 전극층과 상기 제1배선층 사이에 삽입되어, 저항과 다이오드를 구성하는 불순물 확산층(30,40)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 불순물 확산층은: 제1도전형 제1불순물 확산층(30),및 상기 제1불순물 확산층과 직렬로 접속되어 있는제2도전형제2불순물확산층포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1불순물 확산층(30)은 제2도전형 반도체 기판(1)의 주표면 위에 형성되고, 상기 제2불순물 확산층(40)은 제1도전형 웰 영역(37)의 주 표면위에 형성되고, 상기 반도체 기판은 접지 전위를 공급받고 있고, 상기 웰 영역은 전원 전압을 공급특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제1불순물 확산층은; 제1도전형 제1불순물 확산층(30), 및 상기 제1불순물 확산층과 병렬로 접속되어 있는제2도전형제2불순물확산층포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제1불순물 확산층(30)은 제2도전형 반도체 기판(1)의 주표면 위에 형성되고, 상기제2불순물 확산층(40)은 제1도전형 웰 영역(37)의 주 표면 위에 형성되고, 상기 반도체 기판은 접지 전위를 공급받고 있고, 상기 웰 영역은 전원 전압을 공급특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 불순물 확산층과 직렬로 접속되어 있는 도전막으로 구성되는 저항 층(50)이 상기 게이트 전극층가상기제1배선층사이더삽입되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 제1배선층은 금속 배선층(20)이고, 상기 금속 배선층은 상기 불순물 확산층의 상부 표면이에 형성되어 있는 패드층(43)을 통하여상기불순물 확산층접속되어특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 패드층nan은다결정실리콘막구성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 불순물 확산층과 상기 게이트 전극층은 상기 제1배선층에 대한 것과 같은 물질로 형성되어 있는 제2배선층(33)에 의해상호접속되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,절연층을 통하여 상기 제1배선층 윗쪽에 형성되어 있는 제2배선층(56)은상기불순물 확산층과병렬접속되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제2항에 있어서,절연층을 통하여 상기 제1배선층 윗쪽에 형성되어 있는 제2배선층은 상기 제1불순물 확산층과 상기 제2불순물 확산층 중의 어느 하나에병렬접속되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제4항에 있어서,절연층을 통하여 상기 제1배선층 윗쪽에 형성되어 있는 제2배선층은 상기 제1불순물 확산층과 상기 제2불순물 확산층 중의 어느 하나에병렬접속되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 게이트 전극층 아래에 위치하고 있는 채널 영역에 상응하는 부분 이외의 상기 게이트 전극층의 영역의 평면적과 상기 제1배선층의 평면적의 합은 상기 채널 영역의 평면적이 1이라고 가정할 때,최소한인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 14] 제4항에 있어서,상기 불순물 확산층(30)은상기게이트 전극층의근방위치하는것을특징으로 하는반도체 장치.