문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 사이드 월 산화막에 도입된 상기 반도체기판의 주표면에 수직인 방향의 단면에서의 상기 질소의 농도분포는 상기 반도체기판의 주표면의 계면에 위치하는 제1의 농도피크보다도 상기 사이드 월 측에 더욱이 제2의 농도피크가지는mos 트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 사이드 월 산화막에 도입된 상기 반도체기판의 주표면에 평행한 방향의 단면에서의 상기 질소의 농도분포는 상기 게이트전극의 측면과의 계면에 제2의 피크갖는mos 트랜지스터.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 사이드 월인 산화막에도 질소도입되어 있는mos 트랜지스터.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 사이드 월의 산화막에 도입된 상기 반도체기판의 주표면에 수직한 방향의 단면에 있어서의 질소의 농도분포는 상기 사이드 월 산화막과 상기 반도체기판의 주표면과의 계면에 피크있는mos 트랜지스터.
[청구항 8]
제1항에 있어서,쌍의 소스/드레인영역의 각각에는, 상기 채널영역에 끝부가 접한 저농도확산영역(4a,5a)와,3 상기 채널영역에 대해서 외측에 위치하여, 상기 저농도확산영역과 일체적으로 구성되는 고농도확산영역된mos 트랜지스터.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기제1 및 제2의 사이드 월 산화막에 도입된 상기 반도체기판의 주표면에 수직한 방향의 단면에서의 상기 질소의 농도분포는 상기 반도체기판의 주표면과 상기 제1 및 제2의 사이드 월 산화막과를 계면에 피크있는반도체장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기제1의 게이트전극상, 상기 한쌍의 제1의 소스/드레인영역상, 상기 제2의 게이트전극상, 및 상기 한쌍의 제2의 소스/드레인영역 상에는 각각 금속실리사이드층형성되어 있는반도체장치.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기n채널형 mos 트랜지스터의 한쌍의 제1의 소스/드레인영역의 각각은, 상기 제1의 채널영역에 끝부가 접한 저농도확산영역(4a,5a)와, 상기 제1의 채널영역에 대해서 외측에 위치하고, 상기 저농도확산영역과 일체적으로 구성된 고농도확산영역포함하는반도체장치.
[청구항 39]
제38항에 있어서,상기 질소이온은 회전경사이온주입법을 사용하여 상기 산화막주입하는반도체장치의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체기판의 주표면에 수직인 방향의 단면을 기준으로 할 때, 사이드 월 산화막에 도입된 질소의 농도분포가 나타내는 두 가지 피크의 위치 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation사이드 월 산화막 내 질소 농도분포의 두 피크 간의 위치 관계를 묻는 질문임을 파악한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 질소 농도분포에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 반도체기판의 주표면에 수직인 방향의 단면에서의 상기 질소의 농도분포는 상기 반도체기판의 주표면의 계면에 위치하는 제1의 농도피크보다도 상기 사이드 월 측에 더욱이 제2의 농도피크가지는
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3근거 선택
evidence_selection제1의 농도피크와 제2의 농도피크의 상대적 위치를 설명하는 구절을 선택한다.
- 상기 반도체기판의 주표면의 계면에 위치하는 제1의 농도피크보다도 상기 사이드 월 측에 더욱이 제2의 농도피크가지는
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4논리 통합
logical_integration제1의 농도피크는 반도체기판의 주표면 계면에 있고, 제2의 농도피크는 그보다 더 사이드 월 측에 위치함을 연결한다.
- 상기 반도체기판의 주표면의 계면에 위치하는 제1의 농도피크보다도 상기 사이드 월 측에 더욱이 제2의 농도피크가지는
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5결론 도출
conclusion_formulation제1의 농도피크가 반도체기판 주표면 계면에 위치하고, 제2의 농도피크는 그보다 더 사이드 월 측에 위치한다는 결론을 도출한다.
- 상기 반도체기판의 주표면의 계면에 위치하는 제1의 농도피크보다도 상기 사이드 월 측에 더욱이 제2의 농도피크가지는
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 반도체기판의 주표면의 계면에 위치하는 제1의 농도피크보다도 상기 사이드 월 측에 더욱이 제2의 농도피크가지는
최종 답변 (final_answer)
제1의 농도피크는 반도체기판 주표면의 계면에 위치하며, 제2의 농도피크는 그보다 사이드 월 측으로 더 이동한 위치에 나타난다. 즉 두 피크는 계면에서 사이드 월 방향으로 갈수록 순서대로 배치되는 관계에 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
사이드 월 산화막 내 질소 농도분포가 반도체기판 주표면 계면의 제1 피크와 그보다 사이드 월 측에 위치하는 제2 피크로 구성됨을 나타낸다.