전자 방출 장치 및 그 제조 방법 document_id 1019950041839

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전도성 플레이트와 상기 스트라이프 도체는 상기 저항층의 동일면에인접위치되어지는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전도성 플레이트와 상기 스트라이프 도체는 상기 저항층의 양면에인접위치되어지는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 스트라이프 도체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는수단더포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 스트라이프 도체는 캐소드 전극을 포함하며, 상기 전도층은게이트 전극포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 구멍들은 상기 전도층내에서어레이형성되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로원추형상인것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 저항층nan은비정질실리콘포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 마이크로팁에미터들은몰리브덴포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 스트라이프 도체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 전도층nan은니오븀포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 스트라이프 도체들은거의평행한것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트들nan은동수의에미터포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트는 대응하며 인접한 스트라이프 도체에서사실상등간격이격되어있는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트는 대응하며 인접한 스트라이프 도체까지 사실상 등가인저항경로갖는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 스트라이프 도체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는수단더포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 19] 제13항에 있어서,상기 스트라이프 도체는 캐소드 전극을 포함하며 상기 전도층은게이트 전극포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 20] 제13항에 있어서,미터들은 상기 각각의 전도성 플레이트상에서어레이형성되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 21] 제13항에 있어서,상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로원추형상인것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 22] 제13항에 있어서,상기 저항층nan은비정질실리콘포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 23] 제13항에 있어서,상기 마이크로팁에미터들은몰리브덴포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 24] 제13항에 있어서,상기 전도층nan은니오븀포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 25] 제13항에 있어서,상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 26] 제13항에 있어서,상기 스트라이프 도체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 스트라이프 도체들은거의평행한것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트들nan은동수의에미터포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트는 대응하며 인접한 스트라이프 도체에서사실상등간격이격되어있는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 31] 제27항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트는 대응하며 인접한 스트라이프 도체까지 사실상 등가인저항경로갖는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 32] 제27항에 있어서,상기 스트라이프 도체들과 상기 전도층간에 전위를 인가시키는수단더포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 33] 제27항에 있어서,상기 스트라이프 도체들은 캐소드 전극을 포함하며, 상기 전도층은게이트 전극포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 34] 제27항에 있어서,미터들은 상기 각각의 전도성 플레이트상에서 어레이어형성되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 35] 제27항에 있어서,상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로원추형상인것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 36] 제27항에 있어서,상기 저항층nan은비정질실리콘포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 37] 제27항에 있어서,상기 마이크로팁에미터들은몰리브덴포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 38] 제27항에 있어서,상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 39] 제27항에 있어서,상기 스트라이프 도체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 43] 제42항에 있어서,스트라이프 도체, 전도성 플레이트 및 저항층과 전기 절연되어 있는 전도층을 더 포함하며, 상기 전도층내에는 구멍이 형성되어 있으며, 상기 각각의 에미터는 상기 전도층 내의 상기 구멍들 중 대응하는구멍내형성되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 스트라이프 도체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는수단더포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 45] 제43항에 있어서,상기 스트라이프 도체는 캐소드 전극을 포함하며, 상기 전도층은게이트 전극포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 46] 제43항에 있어서,상기 구멍들은 상기 전도층내에서어레이형성되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 47] 제43항에 있어서,상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 전자에미터들은 일반적으로원추형상인것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 48] 제42항에 있어서,상기 저항층nan은비정질실리콘포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 49] 제42항에 있어서,상기 마이크로팁에미터들은몰리브덴포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 50] 제42항에 있어서,상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 51] 제42항에 있어서,상기 스트라이프 도체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 52] 제43항에 있어서,상기 전도층nan은니오븀포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 56] 제55항에 있어서,상기 스트라이프 도체들은거의평행하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 57] 제55항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트는동수의에미터포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 58] 제55항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트는 인접한 스트라이프 도체에서사실상등간격이격되어있는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 59] 제55항에 있어서,상기 각각의 전도성 플레이트는 인접한 스트라이프 도체까지 사실상 등가인저항경로갖는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 60] 제55항에 있어서,상기 스트라이프 도체와 상기 전도층간에 전위를 인가시키는수단더포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 61] 제55항에 있어서,상기 도체는 캐소드 전극을 포함하며 상기 전도층은게이트 전극포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 62] 제55항에 있어서,미터들은 상기 각각의 전도성 플레이트상에서어레이형성되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 63] 제55항에 있어서,상기 전도층내의 상기 구멍들은 일반적으로 원형이며 상기 마이크로팁 에미터들은 일반적으로원추형상인것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 64] 제55항에 있어서,상기 저항층nan은비정질실리콘포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 65] 제59항에 있어서,상기 마이크로팁에미터들은몰리브덴포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 66] 제55항에 있어서,상기 전도층nan은니오븀포함하는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 67] 제55항에 있어서,상기 전도성 플레이트의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치. [청구항 68] 제55항에 있어서,상기 스트라이프 도체의 물질은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 및 니오븀을 포함하는그룹선택되는것을특징으로 하는전자 방출 장치.