반도체층의 도판트 확산 제어 공정 및 그 공정에 의해 형성된 반도체층 document_id 1019950045972

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전기적으로 불활성 불순물은 탄소, 불소, 질소,산소및게르마늄의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전기적으로 불활성 불순물은치환탄소인것을특징으로 하는공정. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 반도체층에 포함된 치환 탄소량은 약 1×1020c/㎤보다 적은 것특징으로 하는공정. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 반도체층에 포함된 치환 탄소량은 약 4×1018내지범위에있는것을특징으로 하는공정. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 반도체층내에 포함된 치환 탄소량은 약 1×1019내지범위에있는것을특징으로 하는공정. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 반도체층은 에피텍셜 실리콘, 다결정 실리콘 및 실리콘-게르마늄의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 결정 성장 기술은 화학 증기 증착,분자비임에피텍시및반응마그네트론 스퍼터링의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 결정 성장 기술은 화학 증기증착인것을특징으로 하는공정. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 반도체층은 에피텍셜 실리콘, 다결정 실리콘 및 실리콘-게르마늄의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 전기적으로 불활성 불순물은 탄소, 불소, 질소,산소및게르마늄의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 전기적으로 불활성 불순물은치환탄소인것을특징으로 하는공정. [청구항 14] 화학 증기 증착 상태하에서 기판상에 약 1:1 내지 약 1:10,000 비율로 탄소-함유 기체 및 실리콘-함유 기체의 혼합물을 분석하는 단계를 포함하며, 내부에 포함된 치환 탄소를 갖는 반도체 층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 공정 [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 혼합물은 도판트 원자-함유기체더포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 실리콘-함유 기체는 실란, 디실란, 디크로실란, 트로크로실란 및 실리콘 테트라크로리트의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 탄소-함유 기체는 메탄, 에틸렌,아세틸렌및실라크로부탄의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 18] 제15항에 있어서,상기 도판트 원자-함유 기체는디보란및포스핀의그룹선택되는것을특징으로 하는공정. [청구항 19] 제14항에 있어서,상기 반도체층에 포함된 치환 탄소량은 약 4×1018내지범위에있는것을특징으로 하는공정. [청구항 20] 제14항에 있어서,상기 반도체층내에 포함된 치환 탄소량은 약 1×1019내지범위에있는것을특징으로 하는공정. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 증착된 실리콘층은 치환 탄소와 실제 무관한영역또는층포함하는것을특징으로 하는반도체층. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 실리콘층에 포함된 치환 탄소량은 약 4×1018내지범위에있는것을특징으로 하는반도체층. [청구항 24] 제21항에 있어서,상기 실리콘층에 포함된 치환 탄소량은 약 1×1019내지범위에있는것을특징으로 하는반도체층. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 장치는 mos, 바이폴라,박막및헤테로접합장치의그룹선택되는것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 제조 단계는 반도체층에 이온-주입도판트더포함하는것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 이온-주입된 도판트는 붕소,인및비소의그룹선택되는것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 도판트는 약 20,000å을 초과하지 않는 깊이로반도체층주입되는것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 도판트는 약 2,000å을 초과하지 않는 깊이로반도체층주입되는것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 31] 제27항에 있어서,상기 도판트는 약 500å을 초과하지 않는 깊이로반도체층주입되는것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 32] 제25항에 있어서,상기 결정 성장 기술은 화학 증기증착인것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 33] 제25항에 있어서,상기 반도체층은 에피텍셜 실리콘, 다결정 실리콘 및 실리콘-게르마늄의그룹선택되는것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 34] 제25항에 있어서,상기 반도체층을 에피텍셜 실리콘인 것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정. [청구항 35] 제25항에 있어서,상기 반도체층은 다결정실리콘인것을특징으로 하는마이크로 전자 장치 제조 공정.