다이나믹메모리장치 document_id 1019950051276

[청구항 3] 제2항에 있어서,상기 단위 인버터회로의 단수는 모드레지스터에 설정된 cas회전지연의 정보에 따라서 동작하는 내부회로에 의해서자동적설정되는것을특징으로 하는다이나믹 메모리장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 위상비교기에 입력되는 내부클럭신호는 외부단자를 거쳐서 인가되는 클럭신호를 수신하는 입력버퍼에 대응하는 지연량을 갖는 지연회로에 의해 지연된신호인것을특징으로 하는다이나믹 메모리장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 클럭형성회로는 pll회로인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 클럭형성회로는 dll회로인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 13] 제10항에 있어서,개의 메모리셀은 다이나믹형 메모리셀이고,상기 반도체장치는 1개의 반도체기판에 형성된 동기 메모리장치이고,상기 제1 클럭신호는상기동기메모리장치의외부입력되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 15] 제10항에 있어서,상기 제1 클럭신호와 상기 제2 클럭신호는 소정의 주파수를 갖고,상기 여러개의 메모리셀은 다이나믹형 메모리셀이고,상기 반도체장치는 1개의 반도체기판에 형성된 동기dram이고,상기 제1 클럭신호는 상기 동기dram의외부입력되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 클럭형성회로가 동작하는 주파수의 범위는 레지스터의 값에 따라서 가변으로 설정할 수있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 레지스터는모드레지스터인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 레지스터에는 cas회전지연의정보유지되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 클럭형성회로는 직렬로 접속된 여러개의 단위 인버터회로를 포함하고,상기 단위 인버터회로의 단수를 변경하는 것에 의해 상기 클럭형성회로가 동작하는주파수의범위변경되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 클럭형성회로는 pll회로인것을특징으로 하는반도체메모리장치. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 클럭형성회로는 dll회로인것을특징으로 하는반도체메모리장치.