반도체 장치 및 그 제조방법 document_id 1019950051340

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 게이트전극 및 상기 더미전극의 각 측면상에 형성되고 절연성재료로 구성되는 전극 측벽 및 더미 사이트 월과, 상기 전극 사이드 월 및 상기 더미 사이드 월에 접하여 형성되고 상기 소스ㆍ드레인 영역과 전기적으로 접속되는 도전성 재료로 구성되는인출전극더구비하고있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 소자분리는 상기 활성영역의 기판면에서 돌출하여 형성되어 있고, 상기 게이트전극 및 더미전극은 상기 소자분리의 상단면과 거의 같은 높이까지 형성된 하층막과그위에 상측막으로 구성되어 있고, 상기 더미전극의 하층막은 상기 활성영역상에서 상기 소자분리의 측단면에 접하고 있고, 상기 더미전극의 상층막은 상기 더미전극의 하층막과 상기 소자분리에 걸쳐서형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 활성영역상에는 하나의 게이트전극이 배설되어 있고, 상기 게이트전극과 상기 각 더미전극과는 거의 같은거리나열되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 활성영역상에는 복수의 게이트전극이 배설되어 있고, 상기 복수의 게이트전극 및 한쌍의 더미전극은 순차 거의 일정한거리나열되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 서로 인접하는 각 전극간의 거리는 상기 게이트전극 및 각 더미전극을 형성하기 위한 포토리소그래피공정에서 사용되는 노광광의 파장의 2.5배이하인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 게이트전극의 길이는 상기 게이트전극 및 각 더미전극을 형성하기 위한 포토리소그 래피공정에서 사용되는 노광광의 파장의 1.5배이하인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 소자분리와 같은 높이로 상기 소자분리의 측단면에 접하여 연장되는 하층막과 상기 하층막상 및 상기 소자분리상에 형성된 상층막으로 구성되는 한쌍의더미전극더구비하고있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 활성영역상에는 하나의 게이트전극이 배치되어 있고, 상기 게이트전극과 상기 각 더미전극과는 거의 같은거리형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 활성영역상에는 복수의 게이트전극이 형성되어 있고, 상기 복수의 게이트전극 및 한쌍의 더미전극은 순차 거의 일정한거리나열되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 서로 인접하는 각 전극간의 거리는 상기 게이트전극 및 더미전극을 형성하기 위한 포토리소그래피공정에서 사용되는 노광광의 파장의 2.5배이하인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기 게이트전극의 길이는 상기 게이트전극 및 더미전극을 형성하기 위한 포토리소그래피공정에서 사용되는 노광광의 파장의 1.5배이하인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 26] 제15항에 있어서,상기 인출전극을 형성하는 공정은, 기판상에 인출전극용 도전막을 퇴적하는 공정과, 상기 인출전극용 도전막의 위에 아모퍼스막을 퇴적하는 공정과, 인출전극을 형성하고자 하는 영역을 덮는 공통의 마스크를 이용하여 상기 아모퍼스막 및 인출전극용 도전막을 순차 에칭하는공정구성되는것을특징으로 하는반도체 장치의 제조방법.