백금과 탄화규소 사이의 옴접촉구조 document_id 1019950700923

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 도핑된 층은 인터페이스를 통해 캐리어 터널링 전송이 가능하도록 상기 백금 접촉과 상기 탄화규소부 사이의 인터페이스에서 공핍영역의 폭을 충분히 감소시키기 위해 p형 도펀트의 충분한농도가지는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 도핑된 층은 상기 단결정부에 이온 주입된영역구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 도핑된 층은 에피택셜층으로 구성되며, 탄화규소의 상기 단결정부는에피백셜층구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 도핑된 p형 층은알루미늄또는붕소도핑되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 도핑된 p형 층은 1017㎝-3이상의캐리어농도가지는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 도핑된 p형 층은 5×1018㎝-3이상의캐리어농도가지는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 도핑된 p형 층은 1019㎝-3이상의캐리어농도가지는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 도핑된 p형 층은상기백금접촉사이의규화백금조성물더구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 도핑된 p형 층은 약 100å의두께가지는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 탄화규소는 3c, 2h, 4h, 6h, 7h 및 15r 폴리타입으로 구성된그룹선택되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 13] 제12항에 있어서,도핑된 탄화규소층을 형성하는 단계는 백금을 피착하는단계선행하는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 14] 제12항에 있어서,도핑된 탄화규소층을 형성하는 단계는 백금을 피착하는단계선행하는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 15] 제12항에 있어서,도핑된 탄화규소층을 형성하는 단계는 5kv 또는 그 보다 높은 에너지, 4×1013㎝-2 또는 그보다 높은 도핑량, 및 400℃ 또는 그 보다 높게 유지된 탄화규소로 이온주입하는단계구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 16] 제15항에 있어서,백금층을 피착하는 단계에 앞서는 이온주입된 층을 어닐링하는단계더구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 17] 제15항에 있어서,백금층을 피착하는 단계에 후속하는 옴조접촉구조를 어닐링하는단계더구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 18] 제12항에 있어서,도핑된 탄화규소층을 형성하는 단계는 인터페이스층을 통해 캐리어 터널링 전송이 가능하도록 백금접촉과 탄화규소부 사이의 인터페이스에 공핍영역의 폭을 충분히 감소시키기 위해서 p형 도펀트의 충분한 농도로 도핑된 층을 형성하는단계구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 19] 제12항에 있어서,백금층을 피착하는 단계는 규화백금을 형성하기 위해서 백금을 어닐링하는단계더구성되는것을특징으로 하는옴접촉. [청구항 20] 제12항에 있어서,백금층을 피착하는 단계는 규화백층을 피착하는단계구성되는것을특징으로 하는옴접촉.