문맥 (context)
[청구항 21]
제20항에 있어서,상기 금속플래그는 텅스텐을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 금속배선은 알루미늄을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 배선하부받침막은 티탄을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 확산방지막은티탄불화물구성되어있는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 티탄을 포함하여 재료로 구성되는 막은두께인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 23]
제20항에 있어서,상기 확산방지막은 상기 금속배선 및 상기 배선하부받침막의 측면과 상기 금속플래그의 상면의 일부에 걸쳐서 형성된측벽인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기 측벽nan은실리콘 질화막구성되어있는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 25]
제23항에 있어서,상기 금속배선의 위에 보호용 절연막을 더 구비하고, 상기 측벽은티탄막구성되어있는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 27]
제26항에 있어서,상기 금속플래그의 홈부의 깊이는 100nm부근인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 29]
제28항에 있어서,상기 금속플래그의 상면중 상기 배선하부받침막으로 덮여있지 않은 부분의 위에 형성되고 상기 금속배선과 상기 금속플래그와의 사이에서 구성원자의 상호확산을 방해하기 위한확산방지막더구비하고있는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 30]
제29항에 있어서,상기 확산방지막nan은티탄불화물구성되어있는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 31]
제29항에 있어서,상기 확산방지막은 상기 금속배선 및 상기 배선하부받침막의 측면과 상기 금속플래그의 상면에 일부에 걸쳐서 형성된측벽인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 32]
제28항에 있어서,상기 금속플래그중 상기 배선하부받침막으로 덮여있지 않은 부분이 상면부터 소정깊이까지 파들어가서 구성되는홈부더구비하고있는것을특징으로 하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제20항의 반도체장치에서 금속플래그, 금속배선, 배선하부받침막 및 확산방지막은 각각 어떠한 금속 또는 물질로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제20항의 반도체장치를 구성하는 금속플래그, 금속배선, 배선하부받침막, 확산방지막의 각각의 재질을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 21에서 각 구성 요소의 재질에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 금속플래그는 텅스텐을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 금속배선은 알루미늄을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 배선하부받침막은 티탄을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 확산방지막은티탄불화물구성되어있는것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 네 가지 구성 요소의 재질이 명시된 청구항 21의 구절을 선택한다.
- 상기 금속플래그는 텅스텐을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 금속배선은 알루미늄을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 배선하부받침막은 티탄을 포함하는 금속으로 구성되고, 상기 확산방지막은티탄불화물구성되어있는것
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 각 구성 요소별로 매칭하여 정리한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation금속플래그는 텅스텐, 금속배선은 알루미늄, 배선하부받침막은 티탄, 확산방지막은 티탄불화물임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
금속플래그는 텅스텐, 금속배선은 알루미늄, 배선하부받침막은 티탄, 확산방지막은 티탄불화물로 구성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체장치의 주요 금속 구성 요소(금속플래그, 금속배선, 배선하부받침막)와 확산 방지를 위한 확산방지막의 구체적인 재질 구성을 정의하고 있다.