문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제2전극은 질화 텅스텐으로 이루어진 제2접촉면에 의해상기유전체막접촉하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1전극은 질화 텅스텐층과, 질화 티타늄층 및, 상기 질화 텅스텐층과 질화 티타늄층 사이에 끼워넣어진 금속장벽층을 구비하고, 상기 제1접촉면이 상기 질화 텅스텐층에 의해규정되는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 유전체막은페로브스카이트유전체로이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 캐패시터는 800mhz 또는 그 이상의 주파수에서 이용되도록 설계되고, 상기 페로브스카이트 유전체는상유전체로이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 페로브스카이트 유전체는스트론튬포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 제2전극은 질화 텅스텐으로 이루어진 제2접촉면에 의해상기유전체막접촉하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 제2전극은 질화 텅스텐층과, 질화 티타늄층 및, 상기 질화 텅스텐층과 질화 티타늄층 사이에 끼워넣어진 금속장벽층을 구비하고, 상기 제1접촉면이 상기 질화 텅스텐층에 의해규정되는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 유전체막은페로브스카이트유전체로이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 캐패시터는 800mhz 또는 그 이상의 주파수에서 이용되도록 설계되고, 상기 페로브스카이트 유전체는상유전체로이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 유전체는스트론튬포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 제1전극이 상기 기판과 유전체막 사이에 배치되고,상기계수범위로떨어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 제2전극이 질화 텅스텐으로 이루어진 제2접촉면에 의해상기유전체막접촉하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 제2접촉면의 질화 텅스텐이 wnx로 표현되고,계수범위로떨어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 17]
제14항에 있어서,상기 제2전극은 질화 텅스텐층과, 질화 티타늄층 및, 상기 질화 텅스텐층과 질화 티타늄층 사이에 끼워넣어진 금속장벽층을 구비하고, 상기 제2접촉면이 상기 질화 텅스텐층에 의해규정되는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 18]
제13항에 있어서,상기 유전체막은페로브스카이트유전체로이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 19]
제17항에 있어서,상기 페로브스카이트 유전체는스트론튬포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1항을 인용하는 반도체장치에서, 제1전극의 구성 요소와 제1접촉면을 규정하는 층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1항을 인용하는 반도체장치에서 제1전극의 구성 요소와 제1접촉면을 규정하는 층을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 제1전극의 구성 요소와 제1접촉면의 규정 층에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 제1전극은 질화 텅스텐층과, 질화 티타늄층 및, 상기 질화 텅스텐층과 질화 티타늄층 사이에 끼워넣어진 금속장벽층을 구비하고, 상기 제1접촉면이 상기 질화 텅스텐층에 의해규정되는것을특징으로 하는반도체장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 제1전극의 구성 요소(질화 텅스텐층, 질화 티타늄층, 금속장벽층)와 제1접촉면을 규정하는 층(질화 텅스텐층)을 선택한다.
- 상기 제1전극은 질화 텅스텐층과, 질화 티타늄층 및, 상기 질화 텅스텐층과 질화 티타늄층 사이에 끼워넣어진 금속장벽층을 구비하고, 상기 제1접촉면이 상기 질화 텅스텐층에 의해규정되는것을특징으로 하는반도체장치
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 결합하여 제1전극은 세 가지 층으로 구성되며, 그 중 질화 텅스텐층이 제1접촉면을 형성함을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1전극의 구성 요소는 질화 텅스텐층, 질화 티타늄층, 금속장벽층이며, 제1접촉면을 규정하는 층은 질화 텅스텐층임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1전극의 구성 요소는 질화 텅스텐층, 질화 티타늄층, 금속장벽층이며, 제1접촉면을 규정하는 층은 질화 텅스텐층이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 질화 텅스텐층, 질화 티타늄층, 그리고 그 사이의 금속장벽층으로 구성된 제1전극을 포함하며, 질화 텅스텐층이 제1접촉면을 형성하는 반도체장치에 관한 것이다.