기억장치및그제조방법 document_id 1019960003345

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 저항변화부재는 상기 소정값 이상의 전류에 의한 구성원자의 이동에 의하여 단부부근에 보이드를 생기게 함으로써 저항이 변화하는 특성을 갖는재료구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 저항변화부재는대부분순수알루미늄구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제1도전성부재와 상기 제2도전성부재는 층간절연막을 통하여 적층되어 있고, 상기 층간절연막에는 상기 제1, 제2도전성부재를 접속하는 개구부가 형성되어 있으며, 상기 저항변화부재는 상기 개구부에서 텅스텐전극과 함께 적층된알루미늄전극인것을특징으로 하는기억장치 [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 알루미늄전극과 상기 텅스텐전극 사이의 접촉면적은 상기 알루미늄전극과 상기 제1도전성부재 또는 제2도전성부재 사이의 접촉면적보다도 작은 것특징으로 하는기억장치 [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 저항변화부재에 상기 데이터가 써넣어진 상태에서 상기 제1, 제2도전성부재를 통하여 상기 저항변화부재에 상기 제1전극과는 반대방향의 소정값 이상의 제3전류를 흐르게 함으로써, 상기 저항변화부재의 저항 고정상태를 반대로 변화시켜 데이터의 소거가 가능하게구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 저항변화부재는 주재료와 불순물재료로 구성되어 상기 소정값 이상의 전류에 따라 상기 주재료중의 불순물이 이동함으로써 저항이 변화하는특성갖는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 주재료는 알루미늄이고, 이 알루미늄중에실리콘첨가되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1도전성부재와 상기 제2도전성부재는 층간절연막을 통하여 적층되어 있고, 상기 층간절연막에는 상기 제1, 제2도전성부재를 접속하는 개구부가 형성되어 있고, 상기 저항변화부재는 상기 개구부에서 텅스텐전극과 함께 적층된알루미늄전극인것을특징으로 하는기억장치 [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 알루미늄전극과 상기 텅스텐전극 사이의 접촉면적은 상기 알루미늄전극과 상기 제1도전성부재 또는 제2도전성부재 사이의 접촉면적보다도 작은 것특징으로 하는기억장치 [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 제1도전성부재는 서로 평행하게 연장되는 복수의 제1배선에 의하여 구성되고, 상기 제2도전성부재는 상기 각 제1배선과 직교하는 방향으로 연장되는 복수의 제2배선에 의하여 구성되며, 상기 저항변화부재는 상기 각 제1배선과 상기 각 제2배선의 각 교점에 배치되어 각 저항변화부재에 의하여 매트릭스 형상의 메모리셀어레이구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 12] 제11항에 있어서,반도체기판과, 게이트전극, 소스영역 및 드레인영역으로 구성되는 복수의 mos 트랜지스터와, 이 각 mos 트랜지스터의 소스영역에 접속되는 영역의 비트선을 더욱 구비하고, 상기 제1도전성부재는 상기 반도체기판의 복수 분리절연막을 통하여 구획되는 복수의 선 형상 영역에 불순물을 도입하여 형성되며, 표면이 실리사이드화된 불순물확산층이고, 상기 각 제1도전성부재와 상기 각 mos 트랜지스터의 드레인영역이 접속되어 있으며, 상기 각 mos 트랜지스터의 상기 게이트전극과 상기 비트선을 통하여 선택된 저항변화 부재에 데이터의 써넣기, 읽어내기가 가능하게구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 저항변화부재에 상기 데이터가 써넣어진 상태에서 상기 제1, 제2도전성부재를 통하여 상기 저항변화부재에 상기 제1전류와는 반대 방향의 소정값 이상의 제3전류를 흐르게 함으로써, 상기 저항변화부재의 저항 고정상태를 반대로 변화시켜 데이터의 소거가 가능하게 구성되어 있고, 상기 각 mos 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 비트선을 통하여 선택된 데이터 써넣기 상태의 저항부재로부터 데이터의 소거가 가능하게구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 14] 제11항에 있어서,반도체기판과, 게이트전극, 소스영역 및 드레인영역으로 구성되는 복수의 mos 트랜지스터와, 이 각 mos 트랜지스터의 소스영역에 접속되는 영역의 비트선을 더욱 구비하고, 상기 제1도전성부재는 상기 각 mos 트랜지스터상에 절연막을 통하여 형성되며, 상기 저항변화부재와 상기 mos 트랜지스터의 드레인영역은 상기 절연막중에 형성된 콘택트를 통하여 접속되어 있고, 상기 각 mos 트랜지스터의 상기 게이트전극과 상기 비트선을 통하여 선택된 저항변화부재에 데이터의 써넣기, 읽어내기가 가능하게구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 저항변화부재에 상기 데이터가 써넣어진 상태에서 상기 제1, 제2도전성부재를 통하여 상기 저항변화부재에 상기 제1전류와는 반대 방향의 소정값 이상의 제3전류를 흐르게 함으로써, 상기 저항변화부재의 저항값을 고저 반대방향으로 변화시켜 데이터의 소거가 가능하게 구성되어 있고, 상기 각 mos 트랜지스터의 상기 게이트전극과 상기 비트선을 통하여 선택된 데이터 써넣기 상태의 저항부재로부터 데이터의 소거가 가능하게구성되어있는것을특징으로 하는기억장치 [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 제4스텝에서는 제1금속전극과 제2금속전극을 적충하고, 상기 제1금속전극 및 제2금속전극중 어느 한쪽이상기저항변화부재인것을특징으로 하는기억장치의 제조방법 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제4스텝에서는 상기 제1금속전극을 퇴적한 후, 기판 전면상에 절연막을 퇴적하고, 이 절연막을 에치백하여 개구부의 측변상에 측벽을 형성함과 동시에 상기 제1금속전극 일부를 노출시켜두고,상기제2전극을상기제1전극의노출부분상형성하는것을특징으로 하는기억장치의 제조방법 [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 제2스텝에서는 제1층간절연막과 제2층간절연막으로 나누어 형성하고, 상기 제3스텝에서는 제1개구부와 제2개구부로 나누어 형성하고, 상기 제4스텝에서는 제1금속전극과 제2금속전극으로 나누어 형성하는 것으로서, 우선, 상기 제1도전성부재 및 상기 기판상에 제1층간 절연막을 형성하고, 이 제1층간절연막의 일부에 상기 각 제1도전성부재에 도달하는 복수의 제1개구부를 형성하고, 이 각 제1개구부를 제1금속전극으로 메움으로써, 상기 제1층간절연막상에 제2층간절연막을 형성하고, 이 제2층간절연막의 일부에 상기 각 제1개구부와 어긋난 위치이면서 상기 각 제1금속전극의 일부를 노출시키도록 제2개구부를 형성한 후, 이 제2개구부를 상기 제1금속전극에 접속되는 제2금속전극으로 메우는 동시에, 상기 제5스텝에서는 상기 제2층간 절연막상에 상기 제2금속전극에 접속되면서 상기 제1도전성막과 직교하는 방향으로 연장되는복수의제2도전성부재형성하는것을특징으로 하는기억장치의 제조방법 [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 제1스텝에서는 반도체 기판상을 여러 개의 분리절연막으로 반도체기판상을 구획하고, 상기 각 분리절연막 사이의 상기 반도체기판내에 불순물을 도입하여 불순물 확산층을 형성한 후, 이불순물확산층의표면을실리사이드화하는것을특징으로 하는기억장치의 제조방법 [청구항 21] 제16항에 있어서,상기 제1스텝 전에, 반도체기판상에 게이트전극, 소스영역 및 드레인영역으로 구성되는 mos 트랜지스터를 형성하는 스텝과, 상기 각 mos 트랜지스터의 소스영역에 접속되는 복수의 비트선을 형성하는 스텝과, 상기 mos 트랜지스터 및 반도체기판상에 절연막을 퇴적하는 스텝을 더 구비하고, 상기 제1스텝에서는 상기 기판이 되는 상기 절연막상에 제1도전성부재를 형성함과 동시에, 상기 각 제1도전성부재와 상기 각 mos 트랜지스터의 드레인영역을 접속하는 콘택트부재를 형성하는스텝더구비하고있는것을특징으로 하는기억장치의 제조방법