웨이퍼보다더큰받침전도체를사용한R.F.플라즈마반응기 document_id 1019960005881

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 함몰된 환형 링의 상부 표면과 상기 기판의 주변부 사이의 변위는 상기 플라즈마가 상기 함몰된 환형 링의 상부 표면의 전체를 접촉하기하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 상승된 디스크의 직경은 상기 받침대에서 기판 대 기판의 측면 위치 변형이 가능한 량만큼 웨이퍼의 상기 직경보다 적은 것특징으로하는플라즈마 반응기. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 상승된 디스크와 함몰된 링을 갖는 상기 에칭 저항체 덮개는유전체재료포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 에칭 저항체 덮개는,상기 전도성 플래튼의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 가지며 ;상기 베이스 디스크의 상기 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 상기 환향 부분의 주변부 사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원통형 측벽을 덮는외부 링더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 베이스 디스크와 상기 외부 링nan은일체형석영부분구성하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 방사 소스는 상기 챔버의 부분 주위에 유도성 코일 안테나와 상기 유동성 코일 안테나에 접속된 r.f 플라즈마 전력 공급원을 포함하고,상기 반응기는 웨이퍼 받침대의 전도성 플래튼에 접속된 바이어스 r.f전력 공급 장치더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 받침대는 상기 플라즈마로부터 상기 전도성 플래튼을 차폐하는에칭저항체덮개더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 에칭 저항체 층의 중앙 부분은 상기 기판 및 상기 플래튼이 서로 용량적으로 결합되도록상기기판아래에놓이는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 11] 제 9항에 있어서,상기 에칭 저항체 덮개는석영포함하는것을특징으로하는플라즈마 반응기. [청구항 12] 제 9항에 있어서,상기 에칭 저항체 덮개는상기 전도성 플래튼의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장하는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장되는 환형 부분의 주변부를 가지며 ;상기 베이스 디스크의 상기 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 상기 환형 주변부 사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원통형 측벽을 덮는외부 링더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 베이스 디스크 및 상기 외부 링nan은석영포함하는것을특징으로하는플라즈마 반응기. [청구항 14] 제 8항에 있어서,상기 방사선 소스는 상기 챔버의 일부분 주위에 유도성 코일 안테나 및 상기 유도성 코일 안테나에 접속된 rf 플라즈마 소스 전력 공급 장치를 포함하고, 상기 반응기는,상기 r.f 플라즈마 소스 전력 공급 장치의 각각의 전력 레벨 및 상기 바이어스 r.f 전력 공급 장치에 따라서 플라즈마 d.c 바이어스 및 플라즈마 이온 밀도의 독립적인 제어를 위한 상기 받침대의 전도성 플래튼에 접속된 바이어스 r.f전력 공급 장치더포함하는것을특징으로하는플라즈마 반응기. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면과 상기 기판의 상기 주변부 부분 사이의 변위는 상기 플라즈마가 상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면의 전체와 접촉하기하는것을특징으로 하는받침대. [청구항 17] 제 15항에 있어서,상기 상승된 디스크의 직경은 상기 받침대에서 기판 대 기판의 위치 변형이 가능한 량 만큼 상기 디스크의 직경보다 작은 것특징으로 하는받침대. [청구항 18] 제 15항에 있어서,상기 상승된 디스크와 상기 함몰된 링을 갖는 상기 에칭 저항체 덮개는석영포함하는것을특징으로 하는받침대. [청구항 19] 제 18항에 있어서,상기 에칭 저항체 덮개는상기 전도성 플래튼의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장하는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 가지며 ;상기 베이스 디스크의 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 환형 주변부 사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원통형 측벽을 덮는외부 링더포함하는것을특징으로 하는받침대. [청구항 20] 제 19항에 있어서,상기 베이스 디스크와 상기 외부 링nan은단일석영엘리먼트구성하는것을특징으로 하는받침대. [청구항 21] 제 16항에 있어서,상기 변위는 적어도 약 1mm 정도인 것을 특징하는받침대. [청구항 22] 제 17항에 있어서,상기 량은 적어도 약 1mm 정도인 것을 특징하는받침대. [청구항 24] 제 23항에 있어서,상기 에칭 저항체 덮개는상기 전도성 디스크 플래튼의 외부 부분 위에 놓이고, 상기 상승된 디스크 부분의 상부 표면 아래에 있는 상부 표면을 갖는 링 환형부를 포함하고, 상기 링 환형부의 내부 부분은 상기 기판의 주변부 아래에 놓이고, 상기 플라즈마에 노출된 상승된디스크의측벽의상부부분남기는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 25] 제 23항에 있어서,상기 함몰된 환형 링의 상부 표면과 상기 기판의 주변부 사이의 변위는 상기 플라즈마가 상기 함몰된 환형 링의 상부 표면의 전체를 접촉하기하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 26] 제 23항에 있어서,상기 상승된 직경은 상기 받침대에서 기판 대 기판의 위치 변형이 가능한 량만큼 상기 디스크의 직경보다 작은 것특징으로하는플라즈마 반응기. [청구항 27] 제 23항에 있어서,상기 함몰된 링을 갖는 에칭 저항체 덮개는석영포함하는것을특징으로하는플라즈마 반응기. [청구항 28] 제 23항에 있어서,상기 에칭 저항체 덮개는상기 전도성 플래튼의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장하는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 플래튼의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 가지며 ;상기 베이스 디스크의 상기 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 상기 환형 주변부 사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 플래튼의 원통형 측벽을 덮는외부 링더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 29] 제 28항에 있어서,상기 베이스 디스크 및 상기 외부 링nan은석영포함하는것을특징으로하는플라즈마 반응기.