문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 저장 트랜지스터의 게이트 및 상기 선책 트랜지스터의 게이트는 하나의 공통 전극으로 공유되도록형성된것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 강유전체 캐패시터 및 유전체 캐패시터는 상기 저장 트랜지스터 혹은 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인상부형성된것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 저장 트랜지스터는 nmos 트랜지스터이고, 상기 선택 트랜지스터는 상기 공통 게이트 상부에 p′-p-p′형의 반도체 물질로된 소스와 드레인이 집적되어 형성된박막 트랜지스터인것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 5]
제3항에 있어서,상기 저장 트랜지스터는 nmos 트랜지스터이고, 상기 저장 트랜지스터는 상기 공통 게이트 상부에 p′-p-p′형의 반도체 물질로된 소스와 드레인이 집적되어 형성된박막 트랜지스터인것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 6]
제3항에 있어서,상기 저장 트랜지스터는 pmos 트랜지스터이고, 상기 선택 트랜지스터는 상기 공통 게이트 상부에 소스와 드레인이 집적되어 형성된박막 트랜지스터인것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 7]
제3항에 있어서,상기 선택 트랜지스터는 pmos 트랜지스터이고, 상기 저장 트랜지스터는 상기 공통 게이트 상부에 소스와 드레인이 집적되어 형성된박막 트랜지스터인것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 8]
제1항 내지 제7항에 있어서,상기 단위 메모리 셀들의 공통 게이트를 도전성 박막으로연결하여 워드 라인으로 하고, 상기 저장 트랜지스터 및 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인을 각각 접속하고 이들을 상기 단위 메모리 셀 별로 도전성 박막으로 연결하여비트라인으로한것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 강유전체 캐패시터에서 강유전체층의 상부 및 하부에는각각도전형보호막더형성된것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기‘1’의 값을 읽은 후에는 상기 ‘1’의 값을 회복시키기 위하여 상기 워드 라인과 비트 라인에 음의 전압을 인가하여재차기록하여주는것을특징으로 하는겹침형 강유전체 랜덤 액세서 메모리의 구동 방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
겹침형 강유전체 랜덤 액세스 메모리에서 강유전체 캐패시터와 유전체 캐패시터는 어떤 구성 요소의 상부에 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation강유전체 캐패시터와 유전체 캐패시터가 어떤 구성 요소의 상부에 형성되는지 묻는 질문이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 강유전체 캐패시터 및 유전체 캐패시터의 형성 위치에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 강유전체 캐패시터 및 유전체 캐패시터는 상기 저장 트랜지스터 혹은 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인상부형성된것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적인 답이 되는 청구항 3의 구절을 선택한다.
- 상기 강유전체 캐패시터 및 유전체 캐패시터는 상기 저장 트랜지스터 혹은 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인상부형성된것
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4논리 통합
logical_integration캐패시터들이 저장 트랜지스터 또는 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인 상부에 형성된다는 논리적 관계를 확인한다.
- 상기 강유전체 캐패시터 및 유전체 캐패시터는 상기 저장 트랜지스터 혹은 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인상부형성된것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 따라 캐패시터가 형성되는 대상인 '저장 트랜지스터 혹은 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인'을 결론으로 도출한다.
- 상기 저장 트랜지스터 혹은 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인상부형성된것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 저장 트랜지스터 혹은 선택 트랜지스터의 소스 혹은 드레인
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 겹침형 강유전체 랜덤 액세스 메모리에서 강유전체 및 유전체 캐패시터가 저장 트랜지스터 또는 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인 상부에 배치되는 구조를 정의하고 있다.