문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1트렌치를 형성하기 이전에 상기 반도체 기판 상부에 유전층(dielectric layer)을 형성하는단계더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 유전층은 상기 반도체 기판 상부에 실리콘 산화물 층을 먼저 형성하고 그 다음에 상기 실리콘 산화물 상부에 실리콘 질화물층을 형성함형성되는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 절연 물질은 실리콘 산화물을 포함하며, 상기 공정은 상기 절연층을 형성한 후에 상기 절연 물질을 치밀화(densify)하는단계더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제1트렌치가 상부 부분(upper portion) 및 하부 부분(lower portion)을 갖는 내부 벽(interior wall)에 의해 정의되며, 절연층과 일렬로 되어 있는(lined with an insulation layer) 제1트렌치를 형성하는 단계는 상기 내부 벽의 하부 부분 상에 얇은 절연층(thin insulation layer)을 형성하는 단계; 및 상기 내부 벽의 상부 부분 상에 두꺼운 절연층(thick insulation layer)을 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제1트렌치에 증착된 상기 도전성 물질 p+도핑된폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 제2트렌치에 증착된 상기 도전성 물질은 비도핑된폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 보호층을 제거하기 이전에, 상기 제1트렌치내의 도전성 물질이리세스되는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 9]
제2항에 있어서,상기 제2트렌치내에서 상기 반도체 기판의 표면 아래에 도전성 물질층을 형성하는 단계가 상기 제2트렌치 내에 도전성 물질을 증착하는 단계; 및 상기 제2트렌치 내의 상기 도전성 물질을 상기 반도체 기판의 표면 아래까지 리세스시키는단계포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제1트렌치 내의 도전성 물질을 상기 반도체 기판의 표면 아래로 리세스 시키는단계더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 제2트렌치 내의 상기 도전성 물질을 리세스시키는 상기 다계와 상기 제1트렌치 내의 상기 도전성 물질을 리세스시키는 상기 단계는 상기 유전층에 대해 상기 도전성 물질을 선택적으로 에칭하는 에치(etch)를 가함으로써 동시에 행해지는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 제2트렌치 내에 상기 절연 영역을 형성하는 상기 단계와 상기 제1트렌치 상부에 절연층을 형성하는 상기 단계는 상기 제1 및 제2트렌치의 상기 리세스 부분 내에 절연 물질을 동시에 증착하는단계포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 제2트렌치는 바닥(bottom)을 가지며, 상기 스트랩은상기제2트렌치의바닥접촉하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 매립 스트랩의 주변에 인접한 상기 제2트렌치의 일부가 상기 스트랩아래연장하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 16]
제13항에 있어서,상기 매립 스트랩 상부의 상기 절연층nan은상기제1트렌치의도전성물질 상연장하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 17]
제13항에 있어서,상기 반도체 기판의 표면 상부에유전층더구비하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 유전층은 실리콘 산화물층 상부에실리콘 질화물층구비하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 19]
제13항에 있어서,트렌지스터가 상기 제1트렌치에 인접하고 상기 메립 스트랩에 대향하여위치하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 20]
제18항에 있어서,전자 소자(electronic device)의 활성 반도체 채널(active semiconductor channel)이상기제1트렌치인접하여있는것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치 제조 공정에서 제1트렌치의 내부 벽(interior wall)을 형성할 때, 상부 부분(upper portion)과 하부 부분(lower portion)에 형성되는 절연층의 두께 차이는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1트렌치의 내부 벽 상부 부분과 하부 부분에 형성되는 절연층의 두께 차이를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 제1트렌치의 내부 벽 하부 부분과 상부 부분에 형성되는 절연층의 상태를 추출한다.
- 상기 내부 벽의 하부 부분 상에 얇은 절연층(thin insulation layer)을 형성하는 단계; 및 상기 내부 벽의 상부 부분 상에 두꺼운 절연층(thick insulation layer)을 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는반도체 장치 제조 공정
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3근거 선택
evidence_selection하부 부분은 '얇은 절연층'을, 상부 부분은 '두꺼운 절연층'을 형성한다는 구절을 선택한다.
- 상기 내부 벽의 하부 부분 상에 얇은 절연층(thin insulation layer)을 형성하는 단계; 및 상기 내부 벽의 상부 부분 상에 두꺼운 절연층(thick insulation layer)을 형성하는단계
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4논리 통합
logical_integration하부 부분의 절연층은 얇고, 상부 부분의 절연층은 두껍다는 정보를 결합하여 두께 차이를 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1트렌치 내부 벽의 하부 부분에는 얇은 절연층이 형성되고, 상부 부분에는 두꺼운 절연층이 형성된다.
- 상기 내부 벽의 하부 부분 상에 얇은 절연층(thin insulation layer)을 형성하는 단계; 및 상기 내부 벽의 상부 부분 상에 두꺼운 절연층(thick insulation layer)을 형성하는단계
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1트렌치의 내부 벽 하부 부분 상에는 얇은 절연층(thin insulation layer)이 형성되고, 상부 부분 상에는 두꺼운 절연층(thick insulation layer)이 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제1트렌치의 내부 벽 구조에 따라 상부에는 두꺼운 절연층을, 하부에는 얇은 절연층을 형성하여 차등적인 두께를 갖도록 설계되었다.