반도체장치 및 그 제조방법 document_id 1019960009540

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1반도체영역의 저부와 상기 기판의 주표면 사이에 저면절연막더구비하는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 기판은 soi절연막과 그 위에 형성된 반도체층을 구비한 soi기판이고 상기 제1반도체영역은 상기 soi절연막에저부형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 상기 soi절연막에 도달하기까지 형성된소자분리영역더구비하는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 소자분영역은 절연분리영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 소자분리영역은 pn접합분리영역인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 7] 제4항에 있어서,상기 소자분리영역은 실질적인 수직측벽을 갖는 u홈분리영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형의 반도체영역이고, 상기 기판은 상기 제1도전형과는 다른제2도전형의반도체기판인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 상기 제1반도체영역의 저면의 깊이까지 도달하는소자분리영역더구비한것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 소자분리영역은 절연분리영역인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 소자분리영역은 pn접합분리영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 소자분리영역은 실질적으로 수직측벽을 갖는 u홈분리영역인것을특징으로 하는장치 [청구항 13] 제3항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 soi절연막도달하고있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 14] 제8항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제1반도체영역을 관통하여상기반도체기판도달하고있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형의 반도체영역이고, 상기 제2 및 제3반도체영역은 상기 제1반도체영역보다도고불순물밀도의제1도전형의반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형의 반도체영역이고, 상기 제2 및 제3반도체영역은 상기 제1도전형과는 다른제2도전형의반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형의 반도체영역이고, 상기 제2반도체영역은 상기 제1도전형의 반도체영역보다도 고불순밀도의 제1도전형 반도체영역이며, 상기 제3반도체영역은 상기 제1도전형과는 다른제2도전형의반도체영역인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 18] 제15항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역 사이에 상기 soi절연막에 도달하기까지 형성된제2도전형의제4반도체영역더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 19] 제15항에 있어서,상기 제2반도체영역을 포함하도록 형성된제2도전형의제4반도체영역구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 20] 제17항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역 사이에 상기 soi절연막에 도달하기까지 형성된제2도전형의제4반도체영역더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 21] 제17항에 있어서,상기 제2반도체영역을 포함하도록 형성된제2도전형의제4반도체영역구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 22] 제20항에 있어서,상기제4 및 제3반도체영역 사이에제1도전형의제5반도체영역더구비하는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 23] 제21항에 있어서,상기제4 및 제3반도체영역 사이에제1도전형의제5반도체영역더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 24] 제15항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역은 상기 soi절연막에 도달하기까지상기제1반도체영역의표면있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 25] 제16항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역은 상기 soi절연막에 도달하기까지상기제1반도체영역의표면형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 26] 제17항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역은 상기 soi절연막 도달하기까지상기제1반도체영역의표면형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 27] 제18항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역은 상기 soi절연막 도달하기까지상기제1반도체영역의표면형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 28] 제19항에 있어서,상기 제3반도체영역은 상기 soi절연막에 도달하기까지상기제1반도체영역의표면형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 29] 제20항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역은 상기 soi절연막에 도달하기까지상기제1반도체영역의표면형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 30] 제21항에 있어서,상기 제3반도체영역은 상기 soi절연막에 도달하기까지상기제1반도체영역의표면형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 31] 제18항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고, 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역을 흐르는 전류를 제어하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 32] 제19항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고, 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역을 흐르는 전류를 제어하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 33] 제20항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역을 접하여 형성되고, 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역을 흐르는 전류를 제어하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 34] 제21항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고, 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역을 흐르는 전류를 제어하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 35] 제22항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역을 흐르는 전류를 제어하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 36] 제23항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역을 흐르는 전류를 제어하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 37] 제3항에 있어서,상기 제2반도체영역을 포함하도록 제4반도체영역이 더 형성되고, 상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되며, 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내를 흐르는 전류를 제어하기 위해형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 게이트홈부는상기제4반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 39] 제14항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형의 반도체영역이고 상기 제2 및 제3반도체영역은 상기 제1반도체영역보다도고불순물밀도의제1도전형반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 40] 제14항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형의 반도체영역이고, 상기 제2 및 제3반도체영역은 상기 제1도전형과는 다른제2도전형반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 41] 제14항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형의 반도체영역이고, 상기제2반도체영역은 상기 제1도전형의 반도체영역보다도 고불순물밀도의 제1도전형 반도체영역이며, 상기 제3반도체영역은 상기 제1도전형과는 다른 제2도전형의 반도체영역인 것을특징으로 하느 반도체장치 [청구항 42] 제39항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역 사이에 상기 반도체기판에 도달하기까지 형성된제2도전형의제4반도체영역더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 43] 제39항에 있어서,상기 제2반도체영역 사이에 상기 반도체기판에 도달하기까지제2도전형의제4반도체영역더형성한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 44] 제41항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역 사이에 상기 반도체기판에 도달하기까지제2도전형의제4반도체영역더형성한것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 45] 제41항에 있어서,상기 제2반도체영역을 포함하도록제2도전형의제4반도체영역더형성한것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 46] 제44항에 있어서,상기제4 및 제3반도체영역 사이에제1도전형의제5반도체영역더형성한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 47] 제45항에 있어서,상기제4 및 제3반도체영역 사이에제1도전형의제5반도체영역더형성한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 48] 제42항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고, 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내를 흐르는 전류를 제어하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 49] 제43항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내을 흐르는 전류를 제억하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 50] 제44항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내을 흐르는 전류를 제억하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 51] 제45항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내을 흐르는 전류를 제억하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 52] 제46항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내을 흐르는 전류를 제억하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 53] 제47항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내을 흐르는 전류를 제억하기 위해상기제4반도체영역의근방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 54] 제8항에 있어서,상기 제2반도체영역을 포함하도록 제4반도체영역이 더 형성되고, 상기 게이트홈부는 상기제4반도체영역에 접하여 형성되며, 상기 게이트매립전극은 상기 제4반도체영역내를 흐르는 전류를 제어하기 위해 상기 제4반도체영역도의 근방형성되어 있는 것을특징으로 하느 반도체장치 [청구항 55] 제54항에 있어서,상기 게이트홈부는상기제4반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 56] 제4항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제1반도체영역의 중앙부 근바에 1개 형성되고 상기 게이트홈부와 상기 소자분리영역의 간격(ss)및 상기 제1반도체영역의 불순물밀도가 상기 게이트매립전극에 인가되는 소정의 게이트 바이어스에 있어서 상기 게이트절연막으로부터 연재하는 공핍층에서 상기 제1반도체영역의 핀치오프(pinch-off)하도록선택되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 57] 제56항에 있어서,상기제1,제2,제3반도체영역 게이트홈부, 게이트절연막 및 게이트매립전극에 의해 유니트셀이 구성되고, 이 유니트셀이 상기 기판상에복수개배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 58] 제57항에 있어서,상기 유니트셀은 동일 치수의 유니트셀이고, 각 유니트셀의 제2 제3반도체영역 및 게이트매립전극이 다른 유니트셀의 제2, 제3반도체영역 및 게이트매립전극과각각전기적결합하고있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 59] 제9항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제1반도체영역의 중앙부 근방에 1개 형성되고, 상기 게이트홈부와 상기 소자분리영역의 간격(ss)및 상기 제1반도체영역의 불순물밀도가 상기 게이트매립전극에 인가되는 소정의 게이트 바이어스에 의해 상기 게이트절연막으로부터 연재하는 공핍층에서 상기 제1반도체영역이 핀치오프하도록선택되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 60] 제59항에 있어서,상기제1,제2,제3반도체영역, 게이트홈부 게이트절연막 및 게이트매립전극에 의해 유니트셀이 구성되고, 이유니트셀이 상기 기판상에복수개배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 61] 제60항에 있어서,상기 유니트셀은 동일 치수의 유니트셀이고, 각 유니트셀의 제2, 제3반도체영역 및 게이트매립전극이 다른 유니트셀의 제2,제3반도체영역 및 게이트 매립전극과각각전기적결합하고있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 62] 제4항에 있어서,상기 게이트홈부는 상기 제1반도체영역내에 복수개 형성되고, 이 복수개의 게이트홈부 상호의 간격(s)및 상기 제1반도체영역의 불순물밀도가 상기 게이트매립전극에 인가되는 소정의 게이트 바이어스에 의해 상기 게이트절연막으로부터 서로 대향하여 연재한는 공핍층에서 상기 제1반도체 영역이 핀치오프하도록선택되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 63] 제9항에 있어서,상기제1,제2,제3반도체영역, 게이트홈부 게이트 절연막 및 게이트매립전극에 의해 유니트셀이 구성되고, 이 유니셀이 상기 기판상에복수개배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 64] 제62항에 있어서,상기 복수개의 게이트홈부중 상기 소자분리영역에 제일 가까운 게이트홈부와 상기 소자분리영역의 간격(ss)이상기간격2이하인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 65] 제63항에 있어서,상기 복수개의 게이트홈부중 상기 소자분리영역에 제일 가까운 게이트홈부와 상기 소자분리영역의 간격(ss)이상기간격2이하인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 66] 제64항에 있어서,상기 소자분리영역에 제일 가까운 게이트흠부는 상기 소자분리영역에 접촉하고,상기인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 67] 제65항에 있어서,상기 소자분리영역에 제일 가까운 게이트흠부는 상기 소자분리영역에 접촉하고상기인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 68] 제62항에 있어서,상기 게이트홈부는 등간격(s)으로3개이상형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 69] 제63항에 있어서 상기 게이트흠부는 등간격(s)으로3개이상형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 70] 제4항에 있어서,상기 게이트흠부는 제1게이트간격(s1) 및 제2게이트 간격(s2)을 갖도록 상기 제1반도체영역에 복수개 형성되고, 상기 제1게이트간격(s1)및 상기 제1반도체영역의 불순물밀도는 상기 게이트매립전극에 인가되는 소정의 게이트 바이어스에 있어서 상기 게이트절연막으로부터 서로 대향하여 연재하는 공핍층에서 상기 제1반도체영역이 핀치오프하도록 선택되며, s2는 s1보다는 큰 것특징으로 하는반도체장치 [청구항 71] 제9항에 있어서,상기 게이트흠부는 제1게이트간격(s1)및 제2게이트 간격(s2)을 갖도록 상기 제1반도체영역내에 복수개 형성되고, 상기 제1게이트 간격(s1)및 상기 제1반도체영역의 불순물밀도는 상기 게이트매립전극에 인가되는 소정의 게이트 바이어스에 의해 상기 게이트절연막으로부터 서로 대향하여 인재하는 공핍층에서 상기 제1반도체영역이 핀치오프하도록 선택되며, s2는 s1보다도 큰 것특징으로 하는반도체장치 [청구항 72] 제62항에 있어서,상기 간격(s)은 게이트 제로바이어스에서 핀치오프하도록선택되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 73] 제62항에 있어서,상기 소자분리영역은 상기 제1반도체영역과는 반대도전형의 반도체영역으로 이루어진 pn접합 분리영역이고, 상기 복수의 게이트 홈부중 상기 pn접합 분리영역에 제일 가까운 게이트 흠부와 그 pn접합 분리영역 사이가 게이트 제로바이어스에 있어서핀치오프하고있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 74] 제63항에 있어서,상기 소자분리영역은 상기 제1반도체영역과는 반대도전형의 반도체영역으로 이루어진 pn접합 분리영역이고, 상기 복수의 게이트 흠부중 상기 pn접합 분리영역에 제일 가까운 게이트 흠부와 그 pn접합 분리영역 사이가 게이트 제로바이어스에 있어서핀치오프하고있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 75] 제4항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역의 적어도 한쪽은상기소자분리영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 76] 제9항에 있어서,상기제2 및 제3반도체영역은 상기 소자분리영역과 이간하여형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 77] 제75항에 있어서,상기 소자분리영역과 접한 상기 제2 및 제3반도체 영역의 적어도 한쪽의 영역은 상기 soi절연막에 도달하기까지상기제1반도체영역의표면형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 78] 제77항에 있어서,상기soi절연막에 도달하기까지 형성된 반도체영역은, 상기 소자분리영역을 형성하기 위한 흠부의 측벽으로부터 횡방향확산에 의해 상기 제1반도체영역내에 형성된반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 79] 제13항에 있어서,상기 게이트흠부는상기제2반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 80] 제14항에 있어서,상기 게이트흠부는상기제2반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 81] 제13항에 있어서,상기 게이트흠부는상기제2반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 82] 제14항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 게이트흠부는 상기 제2및제3반도체영역의쌍방형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 83] 제13항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제2반도체영역 근방에 치우쳐배치되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 84] 제14항에 있어서,상기 게이트흠부가 상기 제2반도체영역 근방에 치우쳐배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 85] 제13항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제1반도체영역내에 물떼새메시모양으로복수개배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 86] 제14항에 있어서,상기 게이트흠부가 상기 제1반도체영역내에 물떼새메시모양으로복수개배치되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 87] 제13항에 있어서,상기 게이트매립전극nan은상기게이트흠부완전히매립하고있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 88] 제14항에 있어서,상기 게이트매립전극nan은상기게이트흠부완전히매립하고있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 89] 제13항에 있어서,상기 게이트매립전극은 상기 게이트흠부의 내부에 복수개 분할되어배치되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 90] 제14항에 있어서,상기 게이트매립전극은 상기 게이트흠부의 내부에 복수개 분할되어배치되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 91] 제89항에 있어서,상기 복수의 게이트매립전극 사이의 상기 게이트흡부의 내부에매립절연물더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 92] 제90항에 있어서,상기 복수의 게이트매립전극 사이의 상기 게이트흠부의 내부에매립절연물더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 93] 제91항에 있어서,상기 복수의 게이트매립전극 사이에게이트저항더접속된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 94] 제92항에 있어서,상기 복수의 게이트매립전극 사이의 게이트저항이더접속된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 95] 제85항에 있어서,상기 복수의 게이트흠부 내부의 각각의 게이트매립전극 상호 접속하느게이트저항구비한것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 96] 제86항에 있어서,상기 복수의 게이트흠부 내부의 각각의 게이트매립전극 상호 접속하는게이트저항구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 97] 제19항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 v홈으로 이루어진소자분리영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 98] 제21항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 v홈으로 이루어진소자분리영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 99] 제23항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 v홈으로 이루어진소자분리영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 100] 제43항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 v홈으로 이루어진소자분리영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 101] 제45항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 v홈으로 이루어진소자분리영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 102] 제47항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변에 v홈으로 이루어진소자분리영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 103] 제20항에 있어서,상기 제3반도체영역에 인접하여제1도전형의제5반도체영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 104] 제44항에 있어서,상기 제3반도체영역에 인접하여제1도전형의제5반도체영역더형성된것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 105] 제103항에 있어서,상기제3 및 제5반도체영역에 형성된 제2 게이트흠부와. 이 제2게이트흠부의 측벽부에 형성된 제2게이트절연막 및 이 제2게이트절연막의 적어도 일부를 매립하도록 형성된제2게이트매립전극더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 106] 제104항에 있어서,상기제3 및 제5반도체영역에 접하여 형성된 제2 게이트흠부와, 이 제2게이트흠부의 측벽부에 형성된 제2게이트절연막 및 이 제2게이트절연막의 적어도 일부를 매립하도록 형성된제2게이트매립전극더구비한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 107] 제105항에 있어서,상기 제2게이트흠부는 상기 soi절연막도달하고있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 108] 제106항에 있어서,상기 제2게이트흠부는 상기 soi절연막도달하고있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 109] 제17항에 있어서,상기 게이트흠부 상호의 간격의 상기 제2반도체영역에 각각운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과 다른 것특징으로 하는반도체장치 [청구항 110] 제20항에 있어서,상기 게이트흠부 상호의 간격의 상기 제2반도체영역에 가까운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과 다른 것특징으로 하는반도체 [청구항 111] 제22항에 있어서,상기 게이트홈부 상호의 간격이 상기 제2반도체영역에 가까운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과 다른것특징으로 하는반도체 장치 [청구항 112] 제23항에 있어서,상기 게이트흠부 상호의 간격의 상기 제2반도체영역에 가까운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과 다른 것특징으로 하는반도체 장치 [청구항 113] 제41항에 있어서,상기 게이트흠부 상호의 간격의 상기 제2반도체영역에 가까운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과 다른 것특징으로 하는반도체 장치 [청구항 114] 제44항에 있어서,상기 게이트흠부 상호의 간격의 상기 제2반도체영역에 가까운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과다른 것특징으로 하는반도체 장치 [청구항 115] 제46항에 있어서,상기 게이트흠부 상호의 간격의 상기 제2반도체영역에 가까운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과 다른 것특징으로 하는반도체 장치 [청구항 116] 제47항에 있어서,상기 게이트흠부 상호의 간격의 상기 제2반도체영역에 가까운 부분의 값(se)이 상기 제3반도체영역에 가까운 부분의 게이트흠부 상호의 간격(sc)과 다른 것특징으로 하는반도체장치 [청구항 117] 제109항~제116항중 어느 한 항에 있어서 상기 se와 상기 sc는 sesc의관걔인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 118] 제109항~제116항중 어느 한 항에 있어서,상기sc가 5㎛이하인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 119] 제20항,제22항,제23항,제44항,제46항,제47항중 어느 한 항에 있어서 , 상기 제2반도체영역과 상기 제4반도체영역을 접속하는표면전극더구비하는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 120] 제22항,제23항,제46항,제47항,제 103항~제107항중 어느 한 항에 있어서,상기 제3반도체영역과 상기 제5반도체영역을 접속하는표면전극더구비하는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 121] 제20항에 있어서,상기 제2반도체영역과 접하여 형성된 제2도전형의 제5반도체영역과, 이들 제2 및 제5반도체영역을 접속하는 표면전극을 더 구비하고, 상기 게이트흠부는 상기 제1, 제4,제5반도체 영역에 접하여 형성되며, 상기 제4반도체영역은 상기 제1반도체영역의 일부를 사이에 두고 형성된 한쌍의 고불순물밀도영역이고, 상기 한쌍의 고불순물밀도영역에 끼인상기제1반도체영역을상기주전류의전류통로이용하는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 122] 제44항에 있어서,상기 제2반도체영역과 접하여 형성된 제2도전형의 제5반도체영역과 이들 제2 및 제5반도체영역을 접속하는 표면전극을 더 구비하고, 상기 게이트흠부는 제1,제4,제5반도체 영역에 접하여 형성되며, 상기 제4반도체영역은 상기 제1반도체영역의 일부를 사이에 두고 형성된 한쌍의 고불순물밀도영역이고, 상기 한쌍의 고불순물밀도영역에 끼인상기제1반도체영역을상기주전류의전류통로이용하는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 123] 제121항 또는 제122항에 있어서,상기 제1반도체영역은 상기 한쌍의 고불순물밀도영역으로부터 연재하는 공핍층에 의해 게이트 제로바이어스에 있어서 핀치오프하도록 상기 한쌍의고불순물밀도영역상호의간격및상기제1반도체영역의불순물밀도선정되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 124] 제121항에 또는 제122항에 있어서,상기제4와 제5반도체영역 사이에 제1도전형이면서 상기 제1반도체영역보다도고불순물밀도의제6반도체영역더구비한것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 125] 제12항에 있어서,상기 제6반도체영역의 표면에 제2게이트절연막이 더 형성되고, 이 제2게이트 절연막의 표면에 표면게이트전극이 더 형성되며, 이 표면게이트전극은상기게이트매립전극과전기적접속되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 126] 제20항에 있어서,상기 제2반도체영역에 접하며 상기 제1반도체영역의 표면 근방에 형성된 제2도전형의 제5반도체영역과 상기 제2반도체영역과 상기 제4반도체영역 사이에서 상기 제5반도체영역에 접하여 형성된 제1도전형의 제6반도체영역 및 상기 제2 및 제5반도체영역을 접속하는 표면금속전극을 더 구비하고, 상기 게이트흠부는 상기 제4및제6반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 127] 제44항에 있어서,상기 제2반도체영역에 접하며 상기 제1반도체영역의 표면 근방에 형성된 제2도전형의 제5반도체영역과 상기 제2반도체영역과 상기 제4반도체영역 사이에서 상기 제5반도체영역에 접하여 형성된 제1도전형의 제6반도체영역 및 상기 제2 및 제5반도체영역을 접속하는 표면금속전극을 더 구비하고, 상기 게이트흠부는 상기 제4및제6반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 128] 제20항에 있어서,상기 제4반도체영역에 접하며 상기 제2반도체영역과는 이간되어 형성된 제1도전형의 제5반도체영역과 상기 제1 및 제4반도체영역의 경계면 근방에 상기 제5반도체영역에 접하여 형성된 제2도전형이면서 상기 제4반도체영역보다도 고불순물밀도의 제6반도체영역 및 상기 제5 및 제6도체영역을 접속하는 표면금속전극을 더 구비하고 상기 게이트흠부는상기제4반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 129] 제44항에 있어서,상기 제4반도체영역에 표면 근방에서 상기 제2반도체영역과는 이간되어 형성된 제1도전형의 제5반도체영역과 상기 제1 제4반도체영역의 경계면 근방에 상기 제5반도체영역에 접하여 형성된 제2도전형이면서 상기 제4반도체영역보다도 고불순물밀도의 제6반도체영역 및 상기 제5및 제6 도체영역을 접속하는 표면금속전극을 더 구비하고, 상기 게이트흠부는상기제4반도체영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 130] 제20항~제23항, 제44항~제47항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트흠부는 빗살 형성이고 그 빗살의 이에 상당하는 부분의 게이트흐부와 게이트흠부 사이의 상기 제4반도체영역내에 상기 주전류의 통로가 형성되며, 상기 제2 및 제4도체영역이복수의영역분할되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 131] 제130항에 있어서,상기 게이트홈부제1,제2,제3 및 제4반도체영역을 적어도 구비하는 유니트셀이 상기 기판상에 복수개배열되어 있는 것을특징으로 하느 반도체장치 [청구항 132] 제131항에 있어서,상기 복수개의 유니트셀nan은표면배선병렬접속되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 133] 제131항에 있어서,상기 복수개의 유니트셀nan은표면배선직렬접속되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 134] 제20항~제23항, 제44항~제47항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제4반도체영역에 접하여 형성되고, 상기 제4반도체영역내에 상기 주전류의 통로가 형성되며, 상기 게이트흠부의 폭(wg)이 상기 게이트흠부 상호의 간격(s)보다도 큰 것특징으로 하는반도체 장치 [청구항 135] 제20항~제23항,제44항~제47항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트흠부는 실질적으로 직각의 절곡부를 복수개 갖춘 주기적인 사행(蛇行)형상이고, 이 게이트홈부에 끼인 상기 제4반도체영역내에주전류의통로형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 136] 제135항에 있어서,상기 사행형상의 게이트흠부에 의해 상기 제2 및 제4반도체영역의 소정의 부분을 전기적으로 부유상태로 하고, 잔여의 상기 제2 및 제4반도체영역을 활성영역으로 하며 상기 제2및 제4반도체영역의 상부에 상기 제2 및 제4반도체영역을 동시에 접속하도록표면금속전극더형성한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 137] 제20항~제23항,제44항~제47항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트흠부는 상기 제4반도체영역을 복수로 분하하도록 상기 제4반도체영역에 인접하여 복수개 형성되고, 상기 제4반도체영역내에 상기 주전류의 통로가 형성되며, 상기 제1,제2,제3 제4반도체영역 및 상기 복수의 게이트흠부로 유니트셀을 구성하고, 이유니트셀이 상기 기판상에복수개배열되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 138] 제137항에 있어서,상기 유니트셀nan은표면배선직렬접속되어있는것을특징으로하는반도체장치 [청구항 139] 제137항에 있어서,상기 유니트셀nan은표면배선직렬접속되어있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 141] 제140항에 있어서,상기 기판은 반절연성 반도체기판인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 142] 제141항에 있어서,상기 제1반도체영역의 주변은 소자분리영역으로 둘러싸여있는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 143] 제142항에 있어서,상기 소자분리영역은 고저항 반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 144] 제142항에 있어서,상기 소자분리영역은 절연체로 이루어진절연분리영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 145] 제140항에 있어서,상기제1,제2,제3,제4반도체영역은화합물 반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 146] 제145항에 있어서,상기제1,제2,제3,제4반도체영역은화합물 반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 147] 제145항에 있어서,상기제1 및 제4반도체영역 사이에 상기 제4반도체영역보다도 금제대폭이 작은제5반도체영역더형성한것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 148] 제147항에 있어서,상기 제1반도체영역은 gaas이고, 상기 제4반도체영역은 algaas이며,상기제5반도체영역인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 149] 제147항에 있어서,상기 제1반도체영역은 inp이고, 상기 제4반도체영역은 inalas이며,상기제5반도체영역인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 151] 제150항에 있어서,상기 반도체장치는절연게이트형반도체장치인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 152] 제151항에 있어서,상기 반도체장치는 mosfet인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 153] 제151항에 있어서,상기 반도체장치는 mos-sit인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 154] 제151항에 있어서,상기 반도체장치는 igbt인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 155] 제151항에 있어서,상기 반도체장치는 mos복합디바이스인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 156] 제155항에 있어서,상기mos복합 디바이스인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 157] 제155항에 있어서,상기mos복합 디바이스인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 158] 제155항에 있어서,상기mos복합 디바이스인것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 159] 제150항에 있어서,상기 반도체장치는 hemt인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 161] 제160항에 있어서,상기 공핍층은 상기 제1반도체영역의 주표면의 일부에 형성된 흠부의 측벽표면의 게이트절연막의 표면에 형성된 게이트전극에 의해형성되는것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 162] 제160항에 있어서,상기 공핍층은 상기 제1반도체영역과는 반대도전형의 제2반도체영역과 상기 제1반도체영역이 구성하는 pn접합에 의해 형성되고 이 pn접합의 경계면이 상기 제1반도체영역의 주표면과 실질적으로수직방향인것을특징으로 하는반도체장치 [청구항 163] 제160항에 있어서,상기 공핍층은 상기 제1반도체영역의 주표면의 일부에 형성된 흠부의 내부에 매립된 금속과 상기 제1반도체영역과의 사이에 형성되는 쇼트키접합에 의해 형성되고, 이쇼트키접합의 경계면이 상기 제1반도체영역의 주표면과 실질적으로 수직방향으로 것특징으로 하는반도체장치 [청구항 165] 제164항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형 반도체영역이고, 상기 제3공정에 의해 확산되는 불순물은제1도전형불순물인것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 167] 제166항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형 반도체영역이고, 상기 제1불순물은 제1도전형 불순물이며, 상기 제2불순물은제2도전형불순물인것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 168] 제167항에 있어서,상기(c)의 공정에 있어서상기제2불순물을상기제1불순물먼저확산시키는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 170] 제164항 또는 제165항에 있어서,상기 게이트절연막은 열산화법에 의해형성하는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 171] 제164항 또는 제165항에 있어서,상기 게이트홈부및 상기 제1~제4홈부는 cvd법에 의해매립하는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 172] 제171항에 있어서,상기 게이트홈부에 불순물을 첨가한 다결정실리콘을 매립하고, 상기 제1~제4홈부에는 불순물을 첨가하지 않은다결정실리콘매립하는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 173] 제166항~제169항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트절연막은 열산화법에 의해형성하는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 174] 제166항~제169항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트홈부및 상기 제1~제4홈부는 cvd법에 의해매립하는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 177] 제176항에 있어서,상기 제6공정 전에 상기 제2홈의 측벽을 확산창으로 이용하여 상기 제1반도체영역에 제3불순물을 횡방향으로 확산시켜 상기 제2반도체영역에 인접한 제4반도체영역을 형성하는공정더갖춘것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 178] 제176항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형이고, 상기 제1불순물은 제2도전형이며, 상기 제2불순물은제1도전형인것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법 [청구항 179] 제177항에 있어서,상기 제1반도체영역은 제1도전형이고, 상기 제1,제3불순물은 제2도전형이며, 상기 제2불순물은제1도전형인것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법