문맥 (context)
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 반절연 반도체 기판이 제1도전형의 gaas, algaas, ingaas, gainp, inp 및 ingaasp로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나의물질형성되는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 서브콜렉터층이 제1도전형의 gaas, algaas, ingaas, gainp, inp 및 ingaasp로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나의물질형성되는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 콜렉터층이 제1도전형의 gaas, algaas, ingaas, gainp, inp 및 ingaasp로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나의물질형성되는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 6]
제2항에 있어서,상기 베이스층인 제2도전형의gaas, algaas, ingaas, gainp, inp 및 ingaasp로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나의물질형성되는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 7]
제2항에 있어서,상기 에미터층이 제1도전형의 gaas, algaas, ingaas, gainp, inp 및 ingaasp로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나의물질형성되는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 8]
제2항에 있어서,상기 채널층이 제1도전형의 gaas, algaas, ingaas, gainp, inp 및 ingaasp로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나의물질형성되는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 9]
제2항에 있어서,상기 채널층이 제1도전형의 gaas, algaas, ingaas, gainp, inp 및 ingaasp로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나의물질형성되는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 10]
제2항에 있어서,상기 에미터 캡층이 접촉 저항을 줄이기 위하여 밴드 갭(bandgap)이 하부층 보다 작은별도의층구비하는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 11]
제2항에 있어서,상기 에미터 전극이 1∼ 5× 0.5 ∼5㎛2의면적가지는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 12]
제2항에 있어서,상기 에미터층과 에미터 캡층의 측벽에유전체막패턴형성되어있는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 유전체막이실리콘 산화막질화막인것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 14]
제2항에 있어서,상기 공동 하부의 오믹층 상에유전체막패턴형성되어있는것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 유전체막 패턴은 폭 1∼ 3.0㎛,두께인것을특징으로 하는 바이 팻.
[청구항 16]
제2항에 있어서,상기 공동이 반도체 기판이 (001)의 결정 방향을 가질 때 〔110〕방향에 대해 10°∼ 40°의각도형성된것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 17]
제2항에 있어서,상기 게이트전극의 길이는 0.5∼ 2㎛인것을특징으로 하는 바이 펫.
[청구항 22]
제18항에 있어서,상기 선택적 에피택시 성장법을 mocvd, 분자선 에피택시법, 기상성장법 또는 액상 성장법 중 어느하나의방법형성하는것을특징으로 하는 바이 펫 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
바이 펫의 에미터 캡층이 하부층보다 작은 밴드 갭(bandgap)을 갖도록 구성되는 목적은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation바이 펫의 에미터 캡층이 하부층보다 작은 밴드 갭을 갖도록 구성된 목적을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 10에서 에미터 캡층의 밴드 갭 특성과 그 목적에 관한 내용을 추출한다.
- 상기 에미터 캡층이 접촉 저항을 줄이기 위하여 밴드 갭(bandgap)이 하부층 보다 작은별도의층구비하는것을특징으로 하는 바이 펫
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3근거 선택
evidence_selection에미터 캡층의 밴드 갭이 하부층보다 작게 구성된 이유를 명시한 구절을 선택한다.
- 접촉 저항을 줄이기 위하여 밴드 갭(bandgap)이 하부층 보다 작은별도의층구비
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4논리 통합
logical_integration에미터 캡층의 밴드 갭을 하부층보다 작게 설정하는 기술적 수단이 '접촉 저항을 줄이기 위함'임을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 접촉 저항을 줄이는 것이 목적임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 목적을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
접촉 저항을 줄이기 위하여 바이 펫의 에미터 캡층이 하부층보다 작은 밴드 갭(bandgap)을 갖도록 구성한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
에미터 캡층의 밴드 갭을 하부층보다 작게 형성함으로써 소자의 접촉 저항을 감소시키는 기술적 구성을 나타낸다.