문맥 (context)
[청구항 3]
제2항에 있어서,비트선의 한 단자는 센싱 앰프(sense amplifier)의 입력단의 단자에 연결되고, 다른 한 단자는기준전압연결되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 4]
제2항에 있어서,하측 게이트에 로직값 '1'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 정보가 비트선으로 전송도는 것특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 5]
제2항에 있어서,하측 게이트에 로직값 '0'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 하측 게이트와 비트선이전기적단절되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,비트선은 프리차지된상태유지하는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,유전체측은 제1게이트에 인가되는 전압의 1/10 이상의 유기되는두께와유전율갖는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 20]
제19항에 있어서,제1층간 절연막은 제1게이트에 인가되는 전압의 1/10 이상이 유기되는두께와유전율갖는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 32]
제31항에 있어서,상측 게이트에 로직값 '0'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 정보가비트선전송되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 33]
제31항에 있어서,상측 게이트에 로직값 '1'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 하측 게이트와 비트선이전기적단절되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 34]
제33항에 있어서,비트선은 프리차지된상태유지하는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 35]
제31항에 있어서,비트선의 한 단자는 센싱 앰프(sense amplifier)의 입력단의 단자에 연결되고, 다른 한 단자는기준전압연결되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 37]
제36항에 있어서,유전체층은 제2게이트 인가되는 전압의 1/10 이상이 유기되는두께와유전율갖는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 38]
제36항에 있어서,제1불순물 확산 영역에 제1게이트를 콘택시키기 위한 접속홀의 측면에는측벽 산화막더구비됨을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 49]
제48항에 있어서,유전체층은 제1게이트에 인가되는 전압의 1/10 이상이 유기되는두께와유전율갖는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 50]
제48항에 있어서,제1게이트를 제1불순물 확산 영역에 콘택시키기 위한 콘택홀의 측면에는측벽 산화막더구비되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 63]
제51항에 있어서,유전체층은 실리콘 질화막을 사용하여 50å∼1000å의두께형성하는것을특징으로 하는메모리 장치의 제조 방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
하측 게이트에 로직값 '1'이 저장된 상태에서 워드선에 읽기 전압이 인가될 때, 비트선으로의 정보 전송 여부와 비트선의 상태는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation하측 게이트에 로직값 '1'이 저장된 상태에서 워드선에 읽기 전압이 인가될 때의 정보 전송 여부와 비트선의 상태를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 하측 게이트에 로직값 '1'이 저장된 경우의 동작 조건과 결과를 추출한다.
- 하측 게이트에 로직값 '1'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 정보가 비트선으로 전송도는 것
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3근거 선택
evidence_selection질문 조건인 '하측 게이트 로직값 1'과 '워드선 읽기 전압 인가'에 직접 대응하는 청구항 4의 구절을 선택한다.
- 하측 게이트에 로직값 '1'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 정보가 비트선으로 전송도는 것
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4논리 통합
logical_integration하측 게이트의 로직값이 '1'이면 워드선에 읽기 전압이 인가될 때 정보가 비트선으로 전송된다는 인과관계를 확인한다.
- 하측 게이트에 로직값 '1'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 정보가 비트선으로 전송도는 것
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5결론 도출
conclusion_formulation정보는 비트선으로 전송된다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 하측 게이트에 로직값 '1'에 해당하는 정보가 저장된 경우에는 워드선에 읽기 전압이 인가되면 정보가 비트선으로 전송도는 것
최종 답변 (final_answer)
하측 게이트에 로직값 '1'이 저장된 상태에서 워드선에 읽기 전압이 인가되면, 정보가 비트선으로 전송된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 하측 게이트에 저장된 로직값의 상태에 따라 워드선에 읽기 전압이 인가되었을 때 비트선으로의 정보 전송 여부가 결정되는 메모리 장치의 동작 메커니즘을 기술한다.