불휘발성반도체기억장치 document_id 1019960021287

[청구항 2] 제1항에 있어서,데이타 기록시에, 상기 소스영역(2)을 개방상태로 하는 개방수단과, 데이타 기록시에, 상기 n형 영역(1)을 접지상태로 하는 접지수단더 구비하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 채널영역(8)은 p형 매립층포함하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 전하축적 전극(5)은 n형 폴리실리콘형성되는불휘발성반도체기억장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 전하축적 전극(5)은 p형 폴리실리콘형성되는불휘발성반도체기억장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 드레인영역(3)의, 상기 전하축적 전극(5)의 아래쪽으로 위치하는 영역은 5×1019cm-3이하의 불순물 농도갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 드레인영역(3)의, 상기 전하축적 전극(5)의 아래쪽으로 위치하는 영역은 적어도 5×1019cm-3의 불순물 농도를 갖고, 상기 소스영역(2)의, 상기 전하축적 전극(5)의 아래쪽으로 위치하는 영역은 5×1019cm-3이하의 불순물 농도갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 채널영역(8)은 상기 소스영역(10)과 접하여 형성되고, 상기 소스영역(10)의 불순물 농도보다 저농도의 p형 불순물 농도를 갖는 제1의 불순물영역(16)과, 상기 드레인영역(11)과 접하여 형성되고, 상기 드레인영역(11)의 불순물 농도보다 저농도의 p형 불순물 농도를 갖는 제2의 불순물 영역포함하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기n형 영역(1)은 상기 드레인영역(3)과 접촉하여, 상기 드레인영역(3)을 둘러싸도록 형성된 제3의 n형 불순물 영역포함하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 소스영역(2)과 상기 드레인영역(3)은 상기 전하축적 전극(5) 및 상기 제어전극(7)에 대하여 대칭구조인불휘발성반도체기억장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 터널산화막(4)은 15nm이하의 두께갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 제어전극(7), 상기 전하축적 전극(5), 상기 소스영역(2), 및 상기 드레인영역(3)은 메모리셀을 형성하고, 상기 불휘발성반도체메모리장치는 복수행 및 열로 배열된 상기 복수의 메모리셀을 포함하는 메모리셀어레이와; 상기 복수행에 대응하여, 상기 각각의 메모리셀의 제어전극이 접속된 워드선과, 상기 복수열에 대응하여, 상기 각각의 메모리셀의 드레인영역이 접속된 비트선갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 메모리셀의 동작제어를 행하는 주변회로가 형성되는 주변회로영역을 더 구비하고, 상기 주변회로영역은 p채널형 mos 트랜지스터를 포함하고, 상기 메모리셀의 상기 소스영역과 상기 드레인영역은 상기 p 채널형 mos 트랜지스터를 구성하는 소스영역 및 드레인영역과 동일의 구조갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 비트선은 주비트선과 부비트선을 포함하고, 상기 복수의 메모리셀은 복수행 및 열로 배열된 복수의 메모리셀을 포함하는 복수의 섹터로 분리되고, 상기 불휘발성반도체기억장치는 상기 복수의 섹터에 대응하여 설치되고, 각각이 대응하는 섹터내의 복수의 열에 대응하는 상기 복수의 부비트선을 포함하는 부비트선군과, 복수의 상기 주비트선에 복수의 상기 부비트선군을 선택적으로 접속하는 선택 트랜지스터를 포함하고, 상기 선택 트랜지스터는 p 채널형트랜지스터인불휘발성반도체기억장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 메모리셀은 상기 메모리셀의 자외선소거후 상기 메모리셀의 판독전압보다 낮은 한계전압갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 16] 제12항에 있어서,상기 메모리셀은 상기 메모리셀의 자외선소거후 상기 메모리셀의 판독전압보다 높은 한계전압갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 17] 제12항에 있어서,상기 부비트선은 금속배선 재료형성되는불휘발성반도체기억장치. [청구항 18] 제12항에 있어서,상기 부전압인가수단은 상기 불휘발성반도체기억장치의 데이타 기록시에, vd-id 특성에 있어서(vd=드레인전압, id=드레인전류), vd의 절대치를 증가시킬 때에 {(logid)/vd}=0을 만족하는 vd의 값 vd1을 구하고, vd의 절대치가 vd1의 값보다 작은 부전위를 상기 드레인영역에 인가하여, 선택되는 메모리셀 및 이 선택되는 메모리셀과 동일의 비트선에 접속된 선택되지 않은 메모리셀에 있어서, 애벌랜치파괴하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,데이타 기록시에, 상기 소스영역(2)을 개구상태로 하는 개구수단과, 데이타 기록시에, 상기 n형 영역(1)을 접지상태로 하는 접지수단더 구비하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 21] 제19항에 있어서,상기 채널영역(8)은 p형 매립층포함한불휘발성반도체기억장치. [청구항 22] 제9항에 있어서,상기 전하축적 전극(5)은 n형 다결정실리콘형성되는불휘발성반도체기억장치. [청구항 23] 제19항에 있어서,상기 전하축적 전극(5)은 p형 다결정실리콘형성되는불휘발성반도체기억장치. [청구항 24] 제19항에 있어서,상기 소스영역(2) 및 상기 드레인영역(3)은 상기 전하축적 전극(5)과 상기 제어전극(7)에 대하여 대칭구조인불휘발성반도체기억장치. [청구항 25] 제19항에 있어서,상기n형 영역(1)은 상기 드레인영역(11)을 둘러싸도록 형성된 제4의 p형 불순물 영역(19)과, 상기 소스영역(10)을 둘러싸도록 형성된 제5의 n형 불순물 영역포함하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 26] 제19항에 있어서,상기 제어전극(7), 상기 전하축적 전극(5), 상기 소스영역(2), 및 상기 드레인영역(3)은 메모리셀을 형성하고, 상기 불휘발성반도체기억장치는 복수행 및 열로 배열된 복수의 상기 메모리셀을 포함하는 메모리셀 어레이와, 상기 복수의 행에 대응하여, 상기 각각의 메모리셀의 제어전극이 접속된 워드선과, 상기 복수의 열에 대응하여, 상기 각각의 메모리셀의 드레인영역이 접속된 비트선구비하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 메모리셀의 동작제어를 행하는 주변회로가 형성된 주변회로영역을 더 구비하고, 상기 주변회로 영역은 p형 mos 트랜지스터를 포함하고, 상기 메모리셀의 상기 소스영역 및 상기 드레인영역은 상기 p 채널형 mos 트랜지스터를 구성하는 소스영역과 드레인영역과 같은 구성갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 28] 제26항에 있어서,상기 비트선은 주비트선과 부비트선을 포함하고, 상기 복수의 메모리셀은 각각이 복수행 및 열로 배열된 복수의 메모리셀을 포함하는 복수의 섹터로 분리되고, 상기 불휘발성반도체기억장치는 상기 복수의 섹터에 대응하여 설치되고, 각각의 대응하는 섹터내의 복수의 열에 대응하는 복수의 상기 부비트선을 포함하는 부비트선과, 복수의 상기 주비트선에 복수의 상기 부비트선을 선택적으로 접속하는 선택 트랜지스터를 구비하고, 상기 선택 트랜지스터는 p채널형트랜지스터인불휘발성반도체기억장치. [청구항 29] 제26항에 있어서,상기 부비트선은 금속배선 재료형성되는불휘발성반도체기억장치. [청구항 30] 제26항에 있어서,상기 부전압인가 수단은, 상기 불휘발성반도체기억장치의 기록시에, vd-id 특성에 있어서, (vd=드레인전압, id=드레인전류)vd의 절대치를 증가시킬 때에, {(logid)/vd}=0로 되는 vd의 값 vd1을 구하고, vd의 절대치가 vd1의 값보다 작은 조건을 만족하는 부전위를 인가하여, 선택된 메모리셀 및 이 선택된메모리셀과동일의상기비트선접속된선택되지 않은메모리셀에 있어서, 애벌랜치파괴가 일어나지 않도록 한 불휘발성반도체기억장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,데이타의 소거시에, 상기 드레인영역(3)을 개방상태로 하는 개방수단더 구비하는불휘발성반도체기억장치. [청구항 33] 제31항에 있어서,상기 제어전극(7), 상기 전하축적 전극(5), 상기 소스영역(2), 및 상기 드레인영역(2)으로 메모리셀이 형성되고, 상기 불휘발성반도체기억장치는 상기 메모리셀이 복수행 및 복수열에 배열된 복수의 상기 메모리셀을 포함하는 메모리셀 어레이와, 상기 복수행에 대응하여, 상기 각각의 메모리셀의 제어전극이 접속된 워드선과, 상기 복수열에 대응하여, 상기 각각의 메모리셀의 드레인영역이 접속된 비트선갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 메모리셀의 동작제어를 행하는 주변회로가 형성되는 주변회로 영역을 더 구비하고, 상기 주변회로 영역은 p 채널형 mos 트랜지스터를 포함하고, 상기 메모리셀의 상기 소스영역과 상기 드레인영역은 상기 p 채널형 mos 트랜지스터를 구성하는 소스영역 및 드레인영역과 동일의 구조갖는불휘발성반도체기억장치. [청구항 35] 제33항에 있어서,상기 비트선은 주비트선과 부비트선을 포함하고, 상기 복수의 메모리셀은 각각이 복수행 및 복수열에 배열된 복수의 메모리셀을 포함하는 복수의 섹터로 분할되고, 상기 복수의 섹터에 대응하여 설치되고, 각각이 대응하는 섹터내의 복수열에 대응하는 복수의 상기 부비트선을 포함하는 부비트선군과, 상기 복수의 부비트선군을 선택적으로 상기 복수의 주비트선에 접속하는 선택 트랜지스터를 구비하고, 상기 선택 트랜지스터는 p 채널형트랜지스터인불휘발성반도체기억장치. [청구항 36] 제33항에 있어서,상기 부비트선은 금속배선 재료형성되는불휘발성반도체기억장치. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기제1의 전위는 정의 값의 외부전원 전위이고, 상기 제2의 전위는 접지전위인불휘발성반도체기억장치. [청구항 39] 제37항에 있어서,상기제1의 전위는 접지전위이고, 상기 제2의 전위는 부의 값의 외부전원전위인불휘발성반도체기억장치. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기제1의 전위는 정의 값의 외부전원 전위이고, 상기 제2의 전위는 접지전위인불휘발성반도체기억장치. [청구항 42] 제40항에 있어서,상기제1의 전위는 접지전위이고, 상기 제2의 전위는 부의 값의 외부전원전위인불휘발성반도체기억장치. [청구항 43] 제12항에 있어서,데이타의 기록시에 있어서의 최대소비전류가 1메모리셀당 1㎂이하로 되도록, 상기 부전위인가 수단 및 상기 정전위인가 수단을 사용하여, 상기 드레인영역 및 상기 전하축적 전극에 부전위 및 정전위인가한불휘발성반도체기억장치.