문맥 (context)
[청구항 1]
제 1 도전형 기판과; 그 위에 형성된 제 2 도전형 에피층과
그 위에 형성된 제 3 도전형 확산층 및 제 4 도전형 확산층과
제 4 도전형 확산층과 제 3 도전형 확산층 및 제 2 도전형 에피층에 트렌치 구조로 매몰된 게이트산화막 및 게이트와
제 4 도전형 확산층과 접촉된 소오스전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
[청구항 2]
제1항에 있어서,제 1 도전형 기판은 n+형 실리콘층이고, 제 2 도전형 에피층은 n-형 실리콘층이며 제 3 도전형 확산층은 p형 실리콘층이고, 제4 도전형 확산층은 n-형실리콘층구성되는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,제 3 도전형 확산층은 제 2 도전형 확산층의 상층부 일부영역에웰구조형성되는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 4]
제1항에 있어서,제 4 도전형 확산층nan은제3도전형확산층의상층부일부영역형성되는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 5]
제1항에 있어서,게이트산화막은 제 4 도전형 확산층과 제 3 도전형 확산층 및 제 2 도전형 에피층의 상층부까지 그들의 일부영역이 수직으로 식각된 트렌치의 내면을 따라 형성된 산화막으로 구성되고, 게이트는 게이트산화막이 형성된 트렌치의 내부에 가득 채워진다결정실리콘구성되는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,제 4 도전형 확산층과 제 3 도전형 확산층 및 제 2 도전형에피층에 매몰된 게이트는 그 표면이 상기 도전층들과 평탄하게구성되는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 13]
제7항에 있어서,게이트는 게이트산화막이 형성된 트렌치가 완전히 채워지도록 다결정실리콘을 증착한 후 그 표면이 평판하게 되도록 식각하여형성하는것을특징으로 하는트랜지스터 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 트랜지스터 구성 요소 중 게이트산화막이 트렌치 구조로 매몰되어 형성되는 대상 층들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1에서 게이트산화막이 트렌치 구조로 매몰되어 형성되는 대상 층들을 찾아 목록 형태로 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1의 문맥에서 게이트산화막이 트렌치 구조로 매몰되었다고 명시된 구성 요소를 확인한다.
- 제 4 도전형 확산층과 제 3 도전형 확산층 및 제 2 도전형 에피층에 트렌치 구조로 매몰된 게이트산화막
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3근거 선택
evidence_selection게이트산화막이 매몰된 대상 층을 직접적으로 언급한 구절을 선택한다.
- 제 4 도전형 확산층과 제 3 도전형 확산층 및 제 2 도전형 에피층에 트렌치 구조로 매몰된 게이트산화막
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 바탕으로 게이트산화막이 매몰된 대상 층은 제 4 도전형 확산층, 제 3 도전형 확산층, 제 2 도전형 에피층임을 파악한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 대상 층들을 나열하여 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변 형식을 갖추어 대상 층들을 리스트 형태로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제 4 도전형 확산층, 제 3 도전형 확산층, 제 2 도전형 에피층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 게이트산화막이 특정 도전층들(제 4 도전형 확산층, 제 3 도전형 확산층, 제 2 도전형 에피층) 내부에 트렌치 구조로 매몰되어 형성되는 트랜지스터 구조에 관한 것이다.