입력신호의 레벨을 변환하는 레벨변환회로, 내부전위를 발생하는 내부전위 발생회로, 내부전위를 발생하는 내부전위 발생유닛, 신뢰성이 높은 반도체장치 및 고내압의 트랜지스터 제조방법 document_id 1019960029230

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 입력부는 입력부용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터와 직렬로 접속되어 상기 제1 레벨의 신호를 그의 제어전극에서 받는 입력부용 제2도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호의 천이시에 동시에 온하고, 상기 출력부는 출력부용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터와 직렬로 접속되어 상기 제1 레벨의 신호를 반전한 신호를 그의 제어전극에서 받는 출력부용 제2 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호의 천이시에 동시에 온하고, 상기 제1 전류차단수단은 상기 제1 노드와 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 제1 노드와 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 전류차단수단은 상기 제2 노드와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 입력부 전류차단용 제2도전형 트랜지스터 및 상기 제2 노드와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 출력부 전류차단용 제2도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호가 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터에 입력되기 전에 오프로 되고, 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터로의 상기 제1 레벨의 신호의 입력이 정지되기 전오프로 되는레벨변환회로. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1 전류차단수단은 상기 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제1 입력부 전위설정수단 및 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제1 출력부 전위설정수단을 더 포함하고, 상기 제2 전류차단수단은 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제2 입력부 전위설정수단 및 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제2 출력부 전위설정수단더 포함하는레벨변환회로. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제1 입력부 전위설정수단은 상기 입력부전류차단용 제1 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제1 입력부용 저항이고, 상기 제1 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제1 출력부용 저항이고, 상기 제2 입력부 전위설정수단은 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2 입력부용 저항이고, 상기 제2 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2 출력부용저항인레벨변환회로. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 제1 입력부 전위설정수단은 상기 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제1 도전형 트랜지스터이고, 상기 제1 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제1 도전형 트랜지스터이고, 상기 제2 입력부 전위설정수단은 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2 도전형 트랜지스터이고, 상기 제2 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2 도전형트랜지스터인레벨변환회로. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 제1 레벨의 신호를 지연시켜 상기 입력부에 입력하는 지연수단을 더 포함하고, 상기 제1 전류차단수단은 상기 제1 전류차단수단으로의 지연이 없는 상기 제1 레벨의 신호의 입력에 따라서 상기 제1 노드와 상기 입력부 사이의 전류경로를 차단하고, 상기 제1 전류차단수단으로의 지연이 없는 상기 제1 레벨의 신호의 입력정지에 따라서 상기 제1 노드와 상기 출력부 사이의 전류경로를 차단하고, 상기 제2 전류차단수단은 상기 제2 전류차단수단으로의 지연이 없는 상기 제1 레벨의 신호의 입력에 따라서 상기 제2 노드와 상기 출력부 사이의 전류경로를 차단하고, 상기 제2 전류차단수단으로의 지연이 없는 상기 제1 레벨의 신호의 입력정지에 따라서 상기 제2 노드와 상기 입력부 사이의 전류경로차단하는레벨변환회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 입력부는 입력부용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터와 직렬로 접속되어 지연된 상기 제1 레벨의 신호를 그의 제어전극에서 받는 입력부용 제2 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호의 천이시에 동시에 온하고, 상기 출력부는 출력부용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터와 직렬로 접속되어 지연된 상기 제1 레벨의 신호를 반전한 신호를 그의 제어전극에서 받는 출력부용 제2 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호의 천이시에 동시에 온하고, 상기 제1 전류차단수단은 상기 제1 노드와 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 제1 노드와 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 전류차단수단은 상기 제2 노드와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 입력부 전류차단용 제2도전형 트랜지스터 및 상기 제2 노드와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터는 지연이 없는 상기 제1 레벨의 신호에 따라서 오프로 되고, 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터는 지연이 없는상기제1레벨의신호의입력정지에따라서오프로 되는레벨변환회로. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 입력부는 입력부용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터와 직렬로 접속되어 상기 제1 레벨의 신호를 그의 제어전극에서 받는 입력부용 제2도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호의 천이시에 동시에 온하고, 상기 출력부는 출력부용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터와 직렬로 접속되어 상기 제1 레벨의 신호를 반전한 신호를 그의 제어전극에서 받는 출력부용 제2 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호의 천이시에 동시에 온하고, 상기 제1 전류차단수단은 상기 제1 노드와 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 제1 노드와 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 전류차단수단은 상기 제2 노드와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 입력부 전류차단용 제2도전형 트랜지스터 및 상기 제2 노드와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터의 한쪽의 전극 사이에 접속되는 출력부 전류차단용 제2도전형 트랜지스터를 포함하고, 상기 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 제1 레벨의 신호가 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터에 입력될 때에 오프로 되고, 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터 및 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터는 상기 입력부용의 제2 도전형 트랜지스터로의 상기 제1 레벨의 신호의 입력이 정지될 때오프로 되는레벨변환회로. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제1 전류차단수단은 상기 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 입력부용 제1 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제1 입력부 전위설정수단 및 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터와 상기 출력부용 제1 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제1 출력부 전위설정수단을 더 포함하고, 상기 제2 전류차단수단은 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터와 상기 입력부용 제2 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제2 입력부 전위설정수단 및 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터와 상기 출력부용 제2 도전형 트랜지스터 사이의 노드의 전위를 설정하기 위한 제2 출력부 전위설정수단더 포함하는레벨변환회로. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 제1 입력부 전위설정수단은 상기 입력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제1 입력부용 저항이고, 상기 제1 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제1 출력부용 저항이고, 상기 제2 입력부 전위설정수단은 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2 입력부용 저항이고, 상기 제2 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2 출력부용저항인레벨변환회로. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 제1 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제1 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제1 도전형 트랜지스터이고, 상기 제2 입력부 전위설정수단은 상기 입력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2 도전형 트랜지스터이고, 상기 제2 출력부 전위설정수단은 상기 출력부 전류차단용 제2 도전형 트랜지스터에 병렬로 접속되는 제2도전형트랜지스터인레벨변환회로. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 적어도 1개의 캐패시터와 적어도 1개의 노드를 소정의 전위로 고정하는 적어도 1개의 전위고정 mos트랜지스터를 포함하고, 상기 캐패시터는 mos트랜지스터이고, 상기 캐패시터, 상기 전위고정 mos트랜지스터 또는 상기 전하전달 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판상에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 캐패시터를 포함하고, 상기 캐패시터는 디플리션트랜지스터인내부전위 발생회로. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 디플리션 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 펌프수단은 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 제2 레벨의 신호에 응답해서 그 전위가 변화하는 제4 노드의 전위의 변화의 절대값이 소정값보다 작도록 상기 제4 노드의 전위를 결정하는 전위결정수단포함하는내부전위 발생회로. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 전위결정수단은 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에 직렬로 접속되는 적어도 1개의 트랜지스터이고, 상기 적어도 1개의 트랜지스터는 다이오드접속되는내부전위 발생회로. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 20] 제13항에 있어서,상기 펌프수단은 그의 한쪽 전극이 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 상기 제2 레벨의 신호에 응답해서 그의 전위가 변화하는 제4 노드에 접속되는 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 상기 제4 노드에 접속된 상기 한쪽의 전극에 상기 제4 레벨의 전위가반복인가되어도파괴되지 않는내부전위 발생회로. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 펌프수단은 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 상기 제2 레벨의 신호에 응답해서 그의 전위가 변화하는 상기 제4 노드의 전위의 변화의 절대값이 소정값보다 작게 변화하도록 상기 제4 노드의 전위를 결정하는 전위결정수단포함하는내부전위 발생회로. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 전위결정수단은 상기 제3 노드와 상기 제4 노드 사이에 직렬로 접속되는 적어도 1개의 트랜지스터이고, 상기 적어도 1개의 트랜지스터는 다이오드접속되는내부전위 발생회로. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 26] 제22항에 있어서,상기 펌프수단은 그의 한쪽 전극이 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 상기 제2 레벨의 신호에 응답해서 그의 전위가 변화하는 제4 노드에 접속되는 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 상기 제4 노드에 접속된 상기 한쪽의 전극에 상기 제4 레벨의 전위가반복인가되어도파괴되지 않는내부전위 발생회로. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 28] 제22항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 적어도 1개의 캐패시터와 적어도 1개의 노드를 소정의 전위로 고정하는 적어도 1개의 전위고정 mos트랜지스터를 포함하고, 상기 캐패시터는 mos트랜지스터이고, 상기 캐패시터, 상기 전위고정 mos트랜지스터 또는 상기 전하전달 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 29] 제22항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 캐패시터를 포함하고, 상기 캐패시터는 디플리션트랜지스터인내부전위 발생회로. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 디플리션 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 펌프수단은 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 상기 제2 레벨의 신호에 응답해서 그의 전위가 변화하는 제6 노드의 전위의 변화의 절대값이 소정값보다 작게 변화하도록 상기 제6 노드의 전위를 결정하는 전위결정수단포함하는내부 전위 발생회로. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 전위결정수단은 상기 제5 노드와 상기 제6 노드 사이에 직렬로 접속되는 적어도 1개의 트랜지스터이고, 상기 적어도 1개의 트랜지스터는 다이오드접속되는내부전위 발생회로. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 35] 제31항에 있어서,상기 펌프수단은 그의 한쪽 전극이 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 상기 제2 레벨의 신호에 응답해서 그의 전위가 변화하는 제6 노드에 접속되는 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 상기 제6 노드에 접속된 상기 한쪽의 전극에 상기 제4 레벨의 전위가반복인가되어도파괴되지 않는내부전위 발생회로. [청구항 36] 제35항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 37] 제31항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 적어도 1개의 캐패시터와 적어도 1개의 노드를 소정의 전위로 고정하는 적어도 1개의 전위고정 mos트랜지스터를 포함하고, 상기 캐패시터는 mos트랜지스터이고, 상기 캐패시터, 상기 전위고정 mos트랜지스터 또는 상기 전하전달 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 38] 제31항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 캐패시터를 포함하고, 상기 캐패시터는 디플리션트랜지스터인내부전위 발생회로. [청구항 39] 제38항에 있어서,상기 디플리션 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 펌프수단은 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 제2 레벨의 신호에 응답해서 그의 전위가 변화하는 상기 제6 노드의 전위의 변화의 절대값이 소정값보다 작게 변화하도록 상기 제6 노드의 전위를 결정하는 전위결정수단포함하는내부전위 발생회로. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 전위결정수단은 상기 제5 노드와 상기 제6 노드 사이에 직렬로 접속되는 적어도 1개의 트랜지스터이고, 상기 적어도 1개의 트랜지스터는 다이오드접속되는내부전위 발생회로. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 44] 제40항에 있어서,상기 펌프수단은 그의 한쪽 전극이 상기 레벨변환수단에서 펄스로서 출력되는 상기 제2 레벨의 신호에 응답해서 그의 전위가 변화하는 제6 노드에 접속되는 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 상기 제6 노드에 접속된 상기 한쪽의 전극에 상기 제4 레벨의 전위가반복인가되어도파괴되지 않는내부전위 발생회로. [청구항 45] 제44항에 있어서,상기 트랜지스터에 있어서는 이방성에칭을 거쳐서 그의 제어전극의 측벽에 절연막을 형성하고, 그 절연막으로 피복되어 있지 않은 불순물을 포함하는 영역의 표면상에 레지스트를 형성하고, 상기 불순물을 포함하는 영역의 농도보다 높은 상기 불순물을 상기 레지스트가 형성되어 있지 않은 상기 불순물을 포함하는 영역에 주입하는 것에 의해, 상기 불순물을 포함하는 영역에 도핑 농도가 높은 부분형성되는내부전위 발생회로. [청구항 46] 제40항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 적어도 1개의 캐패시터와 적어도 1개의 노드를 소정의 전위로 고정하는 적어도 1개의 전위고정 mos트랜지스터를 포함하고, 상기 캐패시터는 mos트랜지스터이고, 상기 캐패시터, 상기 전위고정 mos트랜지스터 또는 상기 전하전달 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 47] 제40항에 있어서,상기 펌프수단은 차지펌프를 실행하는 캐패시터를 포함하고, 상기 캐패시터는 디플리션트랜지스터인내부전위 발생회로. [청구항 48] 제47항에 있어서,상기 디플리션 트랜지스터는 웰을 형성하는 일 없이 반도체기판에 직접 형성된 제1 전극 및 제2 전극갖는내부전위 발생회로. [청구항 52] 제51항에 있어서,상기 입력부용 제1 전류차단수단 및 상기 출력부용 제1 전류차단 수단은 각각 제1 도전형 트랜지스터이고, 이 제1 도전형 트랜지스터는 그의 제어전극에 제4 레벨의 신호가 입력될 때 오프로 되고, 상기 제4 레벨의 신호의 입력이 정지될 때 온으로 되고, 상기 입력부용 제2 전류차단수단 및 상기 출력부용 제2 전류차단수단은 각각 제2 도전형 트랜지스터이고, 이 제2 도전형 트랜지스터는 그의 제어전극에 제4 레벨의 신호가 입력될 때 온으로 되고, 상기 제4 레벨의 신호의 입력이 정지될 때 오프로 되고, 상기 제4 레벨의 신호는 상기 제1 레벨의 신호보다 빠른 타이밍에서 입력정지되는레벨변환회로. [청구항 54] 제53항에 있어서,상기 입력부용 제1 전류차단수단 및 상기 출력부용 제1 전류차단수단은 각각 제1 도전형 트랜지스터이고, 이 제1 도전형 트랜지스터는 그의 제어전극에 제4 레벨의 신호가 입력될 때 오프로 되고, 상기 제4 레벨의 신호의 입력이 정지될 때 온으로 되고, 상기 입력부용 제2 전류차단수단 및 상기 출력부용 제2 전류차단수단은 각각 제2 도전형 트랜지스터이고, 이 제2 도전형 트랜지스터는 그의 제어전극에 상기 제4 레벨의 신호가 입력될 때 온으로 되고, 상기 제4 레벨의 신호의 입력이 정지되었을 때 오프로 되고, 상기 제4 레벨의 신호는 상기 제1 레벨의 신호와 동일한 타이밍에서 입력정지되는레벨변환회로. [청구항 57] 제56항에 있어서,상기 외부신호는 외부전원전위이고, 상기 내부신호는 내부전원전위이고, 상기 내부신호 발생수단은 상기 외부전원전위에 따라서 상기 내부전원전위를 발생하는 내부전원전위 발생수단인반도체장치.