문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서; 상기 전원선은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어지고 그두께이하인것을특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 3]
제 1항에 있어서; 상기 제 2콘택홀은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 드레인단과 이에 대향된 다른 모오스 트랜지스터의 게이트단과의 콘택홀 형성시 함께 형성되고, 그 식각 깊이의 기준이 상기 게이트 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 4]
제 1항에 있어서; 상기 게이트 절연막은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 게이트 절연막과 동일한 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 5]
제 1항에 있어서; 상기 제 2도전형 활성 영역은 이온주입된 도펀트가 적절히 확산된 영역특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 6]
제 1항에 있어서; 상기 제 2도전형은,피형특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 14]
제 19항에 있어서; 상기 전원선은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어지고 그두께이하인것을특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 15]
제 19항에 있어서; 상기 제 2콘택홀은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 드레인단과 이에 대향된 다른 모오스 트랜지스터의 게이트단과의 콘택홀 형성시 함께 형성되고, 그 식각 깊이의 기준이 상기 게이트 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 16]
제 19항에 있어서; 상기 게이트 절연막은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 게이트 절연막과 동일한 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 18]
제 23항에 있어서; 상기 전원선은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어지고 그두께이하인것을특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 19]
제 23항에 있어서; 상기 제 2콘택홀은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 드레인단과 이에 대향된 다른 모오스 트랜지스터의 게이트단과의 콘택홀 형성시 함께 형성되고, 그 식각 깊이의 기준이 상기 게이트 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 20]
제 23항에 있어서; 상기 게이트 절연막은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 게이트 절연막과 동일한 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 21]
제 23항에 있어서; 상기 활성층은 제 2도전형 도펀트가 이온주입되어 적절히 확산된 제 2도전형 활성영역특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 22]
제 23항에 있어서; 상기 제 2도전형은,피형특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 24]
제 29항에 있어서; 상기 전원선은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어지고 그두께이하인것을특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 25]
제 29항에 있어서; 상기 제 2콘택홀은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 드레인단과 이에 대향된 다른 모오스 트랜지스터의 게이트단과의 콘택홀 형성시 함께 형성되고, 그 식각 깊이의 기준이 상기 게이트 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 26]
제 29항에 있어서; 상기 게이트 절연막은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 게이트 절연막과 동일한 절연막특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
[청구항 27]
제 29항에 있어서; 상기 제 2도전형은,피형특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치에서 전원선이 구성되는 재질과 그 두께에 관한 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation스태틱 랜덤 억세스 반도체 메모리 장치의 전원선 재질과 두께에 관한 조건을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2, 14, 18, 24에서 전원선의 재질과 두께에 관한 기술적 특징을 확인한다.
- 상기 전원선은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어지고 그두께이하인것을특징으로 하는
-
3근거 선택
evidence_selection전원선의 재질(다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘)과 두께 조건(제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 두께 이하)을 포함하는 구절을 선택한다.
- 상기 전원선은,상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어지고 그두께이하인것
-
4논리 통합
logical_integration전원선은 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 재질(다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘)로 구성되며, 그 두께는 해당 채널층의 두께 이하라는 조건을 도출한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 답변하기 위해 재질과 두께 조건을 결합하여 정리한다.
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 전원선은 상기 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어지고, 그 두께는 상기 채널층의 두께 이하이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 전원선의 재질을 제 2도전형 박막트랜지스터의 채널층과 동일한 실리콘(다결정 또는 비정질)으로 구성하고 그 두께를 채널층 이하로 제한함으로써 메모리 장치의 구조적 특성을 정의한다.