문맥 (context)
[청구항 10]
투명기판(111)과,
상기 투명기판 위에 형성된 게이트전극(117a)과
상기 게이트전극과 상기 투명기판 위에 형성된 게이트절연막(123)과,
상기 게이트절연막(123)을 사이에 두고 상기 게이트전극(117a)과 정합성을 갖는 제1반도체층(122a)과,
상기 제1반도체층 위에 정합성을 갖도록 형성된 에치스토퍼(120)와,
상기 제1반도체층의 양측면과 상기 에치스토퍼의 양측면과 상기 게이트절연막 표면의 일부 위에 접촉되는 제2반도체층(122b)과,
상기 제2반도체층 위에 형성된 오믹접촉층(125)과,
상기 오믹접촉층 위에 형성된 소스·드레인전극(115a, 115b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭소자
[청구항 11]
제10항에 있어서;상기 오믹접촉층(125)은 n+형 미세결정 실리콘, n+형 비정질 실리콘 중 선택되는하나인것을특징으로 하는스위칭소자.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 제2반도체층(122b)은 미세결정 실리콘, 폴리 실리콘, 비정질 실리콘 중 선택되는하나인것을특징으로 하는스위칭소자.
[청구항 13]
제10항에 있어서,상기 제1반도체층(122a)은비정질 실리콘인것을특징으로 하는스위칭소자.
[청구항 14]
제10항에 있어서;상기 제1반도체층(122a)은 테이퍼진형태형성되는것을특징으로 하는스위칭소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 10항의 스위칭소자 구성 요소 중 제2반도체층(122b)과 접촉하는 대상은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 10항의 스위칭소자 구성 요소 중 제2반도체층(122b)과 접촉하는 대상들을 식별하는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 10항에서 제2반도체층(122b)의 접촉 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 제1반도체층의 양측면과 상기 에치스토퍼의 양측면과 상기 게이트절연막 표면의 일부 위에 접촉되는 제2반도체층(122b)
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3근거 선택
evidence_selection제2반도체층과 접촉한다고 명시된 세 가지 대상을 선택한다.
- 상기 제1반도체층의 양측면과 상기 에치스토퍼의 양측면과 상기 게이트절연막 표면의 일부 위에 접촉되는 제2반도체층(122b)
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4논리 통합
logical_integration추출된 대상인 제1반도체층의 양측면, 에치스토퍼의 양측면, 게이트절연막 표면의 일부를 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 접촉 대상들을 리스트 형식으로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1반도체층의 양측면, 에치스토퍼의 양측면, 게이트절연막 표면의 일부
핵심 해석 (core_interpretation)
본 청구항은 제2반도체층이 제1반도체층의 측면, 에치스토퍼의 측면, 그리고 게이트절연막의 일부 표면과 접촉하여 형성되는 스위칭소자의 구조적 관계를 정의한다.