문맥 (context)
[청구항 1]
제1도전형의 반도체기판과,
상기 반도체기판의 소정 부분에 제2도전형의 불순물이 도핑되어 형성되며 소자의 활성영역을 한정하는 웰영역과,
상기 웰영역 내에 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 상기 웰영역 내에 형성되는 복수 개의 트랜지스터가 공통을 이루는 제1영역과,
상기 제1영역 상의 소정 부분에 상기 웰영역과 중첩되어 전기적으로 연결되게 형성되며 트렌치에 의해 이격되어 상기 트렌치에 의해 형성된 측면이 상기 복수 개의 트랜지스터 각각의 채널로 이용되는 복수 개의 제2도전형 에피택셜층과,
상기 트렌치 내의 상기 제1영역의 노출된 표면과 에피택셜층의 측면에 형성된 게이트산화막과,
상기 게이트산화막 상의 에피택셜층의 측면과 중첩되는 부분에 형성된 복수 개의 게이트와,
상기 에피택셜층 상에 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑되며 상기 채널에 의해 상기 제1영역과 전기적으로 연결되는 복수 개의 제2영역을 포함하는 반도체장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기제1 및 제2영역이소오스드레인영역인반도체장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 불순물영역이 트렌치에 의해 소정 깊이식각되는반도체 장치.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 제2영역이 에피택셜층형성된반도체장치.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제2영역의 일측이 상기 트렌치에 한정되는 상기 제1에피택셜층의 측면일치되는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체장치에서 트렌치에 의해 형성된 측면이 복수 개의 트랜지스터 각각의 채널로 이용되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체장치 내에서 트렌치에 의해 형성된 측면이 복수 개의 트랜지스터 각각의 채널로 사용되는 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 트렌치, 측면, 채널, 복수 개의 트랜지스터와 관련된 구성 요소를 추출한다.
- 트렌치에 의해 형성된 측면이 상기 복수 개의 트랜지스터 각각의 채널로 이용되는 복수 개의 제2도전형 에피택셜층
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 기능(트렌치 측면이 채널로 이용됨)을 수행하는 직접적인 주체를 선택한다.
- 트렌치에 의해 형성된 측면이 상기 복수 개의 트랜지스터 각각의 채널로 이용되는 복수 개의 제2도전형 에피택셜층
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4논리 통합
logical_integration트렌치에 의해 이격되어 형성된 제2도전형 에피택셜층의 측면이 트랜지스터의 채널 역할을 한다는 문맥을 결합한다.
- 트렌치에 의해 형성된 측면이 상기 복수 개의 트랜지스터 각각의 채널로 이용되는 복수 개의 제2도전형 에피택셜층
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 '복수 개의 제2도전형 에피택셜층'을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
복수 개의 제2도전형 에피택셜층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 트렌치 구조를 이용하여 에피택셜층의 측면을 트랜지스터의 채널로 활용하는 반도체장치에 관한 것이다.