문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 절연막 내에상기원소의밀도이하인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 절연막 내에상기원소의밀도인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 절연막의 두께는 50nm이하인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 절연막과 상기 하부전극 및 상부전극중 적어도 하나사이의 경계면에 인접한 영역에 상기 원소의 밀도는 또 다른 영역보다도 높은 것특징으로 하는반도체장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 절연막은 주요 화합물과, fe를 포함하는구비하여이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 하부전극은 pt, ir, rh, ru, au, indium/tin 산화물, ruo2, baru3, srruo3 및 nb-도프된 srtio3로 이루어진 그룹으로부터 선택된재료구비하여이루어진것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 하부전극은 pt, pd, ir, rh, ru, au, indium/tin 산화물, ruo2, baru3, srruo3 nb-도프된 srtio3, w, mo, ta, wnx, monx, tin 및 tanx로 이루어진 그룹으로부터 선택된재료구비하여이루어진것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 절연막 내에상기원소의밀도이하인것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 절연막 내에상기원소의밀도이하인것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 절연막의 두께는 50nm이하인것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 13]
제9항에 있어서,상기 절연막과 상기 하부전극 및 상부전극 중 적어도 하나 사이의 경계면에 인접한 영역에 상기 원소의 밀도는 또 다른 영역보다도 높은 것특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 14]
제9항에 있어서,상기 절연막은 주요 화합물과, fe를 포함하는구비하여이루어진것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 15]
제9항에 있어서,상기 하부전극은 pt, pd, ir, rh, ru, au, indium/tin 산화물, ruo2, baru3, srruo3 및 nb-도프된 srtio3로 이루어진 그룹으로부터 선택된재료구비하여이루어진것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 16]
제9항에 있어서,상기 하부전극은 pt, pd, ir, rh, ru, au, indium/tin 산화물, ruo2, baru3, srruo3 nb-도프된 srtio3, w, mo, ta, wnx, monx, tin 및 tanx로 이루어진 그룹으로부터 선택된재료구비하여이루어진것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 절연막 내에상기원소의밀도이하인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 절연막 내에상기원소의밀도이하인것을특징으로 하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치에서 하부전극이 구성될 수 있는 재료의 종류를 모두 나열하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치의 하부전극을 구성할 수 있는 재료의 종류를 모두 추출하는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8번과 16번에서 다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치의 하부전극 재료 목록을 확인한다.
- 상기 하부전극은 pt, pd, ir, rh, ru, au, indium/tin 산화물, ruo2, baru3, srruo3 nb-도프된 srtio3, w, mo, ta, wnx, monx, tin 및 tanx로 이루어진 그룹으로부터 선택된재료구비하여이루어진것을특징으로 하는다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치'에 명시된 하부전극 재료 구절을 선택한다.
- pt, pd, ir, rh, ru, au, indium/tin 산화물, ruo2, baru3, srruo3 nb-도프된 srtio3, w, mo, ta, wnx, monx, tin 및 tanx
-
4논리 통합
logical_integration추출된 재료들을 나열하여 질문에 대한 답변 형식을 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation선택된 재료들을 리스트 형태로 정리하여 최종 답변을 도출한다.
-
6답변 생성
answer_generation확인된 모든 재료를 포함하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
pt, pd, ir, rh, ru, au, indium/tin 산화물, ruo2, baru3, srruo3, nb-도프된 srtio3, w, mo, ta, wnx, monx, tin, tanx
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 다이나믹 랜덤 억세스 메모리장치의 하부전극으로 사용될 수 있는 다양한 금속 및 화합물 재료의 구성을 정의하고 있다.