문맥 (context)
[청구항 10]
기판(111)과,
상기 기판 위에 형성된 하부 게이트전극(117a)과,
상기 하부 게이트전극과 상기 기판 위에 형성된 게이트절연막(123)과,
상기 하부 게이트전극 부분의 게이트절연막 위에 섬모양으로 형성된 제1반도체층(122a)과,
상기 제1반도체층 위에 형성된 에치스토퍼(120)와,
상기 제1반도체층과 접촉되며 상기 에치스토퍼를 덮는 제2반도체층(122b)과,
상기 제2반도체층 위에 상기 제2반도체층의 중앙 일부분이 노출되도록 일정길이의 갭으로 분리되어 형성되어 있는 오믹접촉층(125)과,
상기 분리된 오믹접촉층 위에 형성된 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)과,
상기 소스전극 및 상기 드레인전극이 형성된 기판을 덮는 보호막(126)과,
상기 보호막 위에 하부 게이트전극(117a)과 접촉되는 상부 게이트전극(117b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭소자
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 에치스토퍼(120)는 상기 하부 게이트전극(117a)과 같은패턴모양형성된것을특징으로 하는스위칭소자.
[청구항 12]
제10항에 있어서;상기 제1반도체층(122a)과 상기 에치스토퍼(120)는정합성갖는것을특징으로 하는스위칭소자.
[청구항 13]
제10항, 제11항 또는 제12항에 있어서,상기 제2반도체층은 α-si:h(비정질 실리콘), poly-si(다결정 실리콘), micro crystalline-si(미세결정 실리콘) 중 선택되는하나인것을특징으로 하는스위칭소자.
[청구항 14]
제10항에 있어서,상기 상부 게이트전극(117b)이 위치하는 보호막(126)에화소전극추가되는것을특징으로 하는스위칭소자.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 상부 게이트전극(117b)과 화소전극(14)은투명금속인것을특징으로 하는스위칭소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이중 게이트 박막 트랜지스터 스위칭소자에서 제2반도체층의 재질로 선택될 수 있는 물질들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이중 게이트 박막 트랜지스터 스위칭소자의 구성 요소 중 제2반도체층의 재질(물질)을 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13에서 제2반도체층의 재질에 관한 구체적인 물질 목록을 확인한다.
- 상기 제2반도체층은 α-si:h(비정질 실리콘), poly-si(다결정 실리콘), micro crystalline-si(미세결정 실리콘) 중 선택되는하나인것을특징으로 하는스위칭소자
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3근거 선택
evidence_selection제2반도체층의 재질로 명시된 α-si:h(비정질 실리콘), poly-si(다결정 실리콘), micro crystalline-si(미세결정 실리콘)를 선택한다.
- α-si:h(비정질 실리콘), poly-si(다결정 실리콘), micro crystalline-si(미세결정 실리콘)
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4논리 통합
logical_integration추출된 세 가지 물질이 제2반도체층의 선택 가능한 재질임을 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 세 가지 물질을 리스트 형식으로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
α-si:h(비정질 실리콘), poly-si(다결정 실리콘), micro crystalline-si(미세결정 실리콘)
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 이중 게이트 구조를 가진 박막 트랜지스터 스위칭소자에 대하여, 제2반도체층의 재질로 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 미세결정 실리콘을 사용할 수 있음을 명시하고 있다.