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독립적으로제어된3전극을가진에칭챔버 document_id 1019960051725

출원번호
1019960051725
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 유전체 창nan은수정판포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼는다결정 실리콘포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극수단은 제 1의 rf발생기결합되는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극수단은 제 2의 rf발생기결합되는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 3 전극수단은 제 3의 rf발생기결합되는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극수단nan은유도코일포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극수단nan은웨이퍼지지척포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 제 3 전극수단nan은격자형전극포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기rf 발생기 수단은 분리된 3개의 rf 발생기를 포함하는데, 상기 각각의 rf 발생기는 연결된 상기 제 1, 제 2및제3전극수단중하나결합되는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극수단nan은유도코일포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 제 2 전극수단nan은웨이퍼지지척포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 제 3 전극수단nan은격자형전극포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 유전체 창nan은수정판포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 유도 코일, 상기 척 및 상기 전극수단에 에너지원을 공급하는 rf발생기수단을추가포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기rf 발생기 수단은 분리된 3개의 rf 발생기를 포함하는데, 상기 각각의 rf 발생기는 연결된 상기 유도 코일, 상기 척, 상기 전극수단에 결합되고, 상기 rf 발생기 수단은 상기 유도 코일, 상기 척 및 상기 전극수단이 상기 적어도 하나의 반도체 웨이퍼의 에칭을 최적화하도록 독립적으로 제어될 수있는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,상기 유전체 창nan은수정판포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 전극수단nan은격자형전극포함하는것을특징으로 하는에칭 챔버.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
에칭 챔버 내의 유도 코일, 척, 그리고 전극수단이 반도체 웨이퍼의 에칭을 최적화하기 위해 어떠한 방식으로 제어되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    에칭 챔버 내의 유도 코일, 척, 전극수단이 반도체 웨이퍼 에칭 최적화를 위해 제어되는 방식을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    유도 코일, 척, 전극수단에 에너지를 공급하는 RF 발생기 수단과 그 제어 방식에 관한 정보를 추출한다.

    • 상기rf 발생기 수단은 분리된 3개의 rf 발생기를 포함하는데, 상기 각각의 rf 발생기는 연결된 상기 유도 코일, 상기 척, 상기 전극수단에 결합되고
  3. 3근거 선택evidence_selection

    각 구성 요소가 독립적으로 제어될 수 있음을 명시한 청구항 18의 내용을 핵심 근거로 선택한다.

    • 상기 rf 발생기 수단은 상기 유도 코일, 상기 척 및 상기 전극수단이 상기 적어도 하나의 반도체 웨이퍼의 에칭을 최적화하도록 독립적으로 제어될 수있는것을특징으로 하는에칭 챔버
  4. 4논리 통합logical_integration

    분리된 3개의 RF 발생기가 각각 유도 코일, 척, 전극수단에 결합되어 있어, 각 구성 요소를 독립적으로 제어함으로써 에칭을 최적화할 수 있음을 연결한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    제어 방식은 분리된 3개의 RF 발생기를 통해 각 구성 요소를 독립적으로 제어하는 방식임을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
에칭 챔버 내의 유도 코일, 척, 그리고 전극수단은 각각 분리된 3개의 RF 발생기에 결합되어 있으며, 이 RF 발생기 수단을 통해 각 구성 요소가 반도체 웨이퍼의 에칭을 최적화할 수 있도록 독립적으로 제어된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
분리된 3개의 RF 발생기를 사용하여 유도 코일, 척, 전극수단을 각각 독립적으로 제어함으로써 반도체 웨이퍼 에칭 공정을 최적화하는 기술이다.