집적형 디커플링 커패시터를 구비한 집적 회로 document_id 1019960052607

[청구항 1] 전력 버스를 포함하는 최종 금속층을 구비한 집적 회로용 디커플링 커패시터(decoupling capactior)에 있어서 상기 최종 금속층 위에 배설된 유전체층 및 상기 유전체층에 커패시턴스가 형성 될 수 있도록 상기 유전체층 위에 배설된 도전막을 포함하는 집적 회로용 디커플링 커패시터 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 도전막은 상기 최종 금속층으로의 단자 접속(terminal connection)을 가능하게 해주는 갭형성하는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 집적 회로는 오버코트(overcoat)층을 포함하며, 상기 오버코트층은 상기 도전막 및 상기 전력 버스로의 단자 접속을 위한 비아(via)를 형성하고, 상기 비아는 상기 갭을 관통하는 상기 전력 버스로의 단자 접속적합한집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 최종 금속층은 신호 배선을 포함하며, 상기 도전막은 상기 신호 배선을 제외한 상기 최종 금속층의 거부 전부덮는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 전력 버스는 적어도 하나 이상의 집지 버스와 적어도 하나 이상의 전압 공급 버스를 포함하며, 상기 도전막은 적어도 2개 이상의 도전 스트립으로 구성되고, 하나 이상의 도전 스트립은 상기 전압 공급 버스 위에 배설되어 접지에 접속되고 적어도 하나 이상의 도전 스트립은 상기 접지 버스 위에 배설되어 전압 공급원접속된집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 전력 버스는 상단과 측면들을 갖고, 상기 도전 스트립들은 상기 전력 버스의 상기 상단과 상기 측면들의 적어도 일부덮는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 도전막이 2000a 정도의 두께갖는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 유전체층이 거의 균일한 두께갖는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 유전체층이 1000a 정도의 두께갖는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 도전막 위에 오버코트층을 배치하는 단계더 포함하는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 도전막과 상기 최종 금속층으로의 접속을 가능하게 하는 비아(via)를 형성하는 단계더 포함하는집적 회로형 디커플링 커패시터. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 유전체막이 상기 집적 회로의 거의 전부덮는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 14] 제10항에 있어서,유전체막 배치 단계가 화학 기상 중착에 의해상기유전체막적층하는단계인집적회로용 디커플링 커패시터. [청구항 15] 제10항에 있어서,유전체막이실리콘 질화물포함하도록형성되는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 16] 제10항에 있어서,상기 도전막이 상기 전력 버스의 상기 상단과 상기 측면들형성되는집적회로용 디커플링 커패시터. [청구항 17] 제10항에 있어서,상기 도전막이적어도2개이상의도전스트립포함하도록구성되는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 18] 제10항에 있어서,상기 최종 금속층이 신호 배선을 포함하도록 형성되고, 상기 도전막이 상기 신호 배선형성되는집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 19] 제10항에 있어서,상기 도전막 배치 단계가상기도전막스퍼터링하는단계인집적 회로용 디커플링 커패시터. [청구항 20] 제10항에 있어서,상기 도전막이알루미늄포함하도록형성된집적 회로용 디커플링 커패시터.