문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 상부전극은백금으로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 강유전체막은 티탄산납, 티탄산 스트론튬,티탄산바륨또는티탄산지르콘산납등의페로브스카이트형산화물강유전체또는그들의고용체또는비스마스계층형상강유전체재료중하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 반도체장치는다이나믹랜덤엑세스메모리인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 반도체장치는강유전체불휘발성메모리인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 하부전극은 백금 또는 백금을 함유한 도체재료로 이루어지는 것을 륵징으로 하는반도체장치.
[청구항 13]
제9항에 있어서,상기 강유전체막은 비스마스계 강유전체 재료 또는 지르콘산납, 티탄산납, 티탄산 스트론튬, 티탄산바륨의 군에서 선택된페로브스카이트형강유전체재료중하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 14]
제10항에 있어서,상기 하부전극은 백금 또는 백금을 함유한도체재료로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 15]
제10항에 있어서,상기 강유전체막은 비스마스계 강유전체 재료 또는 지르콘산납, 티탄산납, 티탄산 스트론튬, 티탄산바륨의 군에서 선택된페로브스카이트형강유전체재료중하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 16]
제11항에 있어서,상기 하부전극은 백금 또는 백금을 함유한도체재료로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 17]
제12항에 있어서,상기 강유전체막은 비스마스계 강유전체 재료 또는 지르콘산납, 티탄산납, 티탄산 스트론튬, 티탄산바륨의 군에서 선택된페로브스카이트형강유전체재료중하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제5항을 인용하는 반도체장치에서 강유전체막을 구성할 수 있는 재료의 종류를 모두 나열하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제5항을 인용하는 반도체장치의 강유전체막을 구성할 수 있는 재료의 종류를 모두 찾아 나열해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction제5항을 인용하는 청구항인 제6항에서 강유전체막의 재료 정보를 추출한다.
- 제5항에 있어서,상기 강유전체막은 티탄산납, 티탄산 스트론튬,티탄산바륨또는티탄산지르콘산납등의페로브스카이트형산화물강유전체또는그들의고용체또는비스마스계층형상강유전체재료중하나로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치.
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3근거 선택
evidence_selection강유전체막의 재료로 명시된 구체적인 물질들을 선택한다.
- 티탄산납, 티탄산 스트론튬,티탄산바륨또는티탄산지르콘산납등의페로브스카이트형산화물강유전체또는그들의고용체또는비스마스계층형상강유전체재료
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4논리 통합
logical_integration추출된 재료들을 페로브스카이트형 산화물 강유전체(및 그 고용체)와 비스마스계 층상 강유전체 재료로 분류하여 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 재료의 종류를 모두 포함하여 답변을 구성한다.
- 티탄산납, 티탄산 스트론튬,티탄산바륨또는티탄산지르콘산납등의페로브스카이트형산화물강유전체또는그들의고용체또는비스마스계층형상강유전체재료
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6답변 생성
answer_generation리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
티탄산납, 티탄산 스트론튬, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산납 등의 페로브스카이트형 산화물 강유전체 또는 그들의 고용체, 비스마스계 층상 강유전체 재료
핵심 해석 (core_interpretation)
제5항을 인용하는 반도체장치에서 사용될 수 있는 강유전체막의 구체적인 화학적 조성 및 재료 범위를 정의하고 있다.