반도체웨이퍼의처리중에세척하기위한세척용전극을구비한RF플라즈마반응기 document_id 1019960061474

[청구항 13] 제12항에 있어서,반응기는 상기 챔버내의 웨이퍼 지지대를 포함하고, 상기 챔버는 상기 웨이퍼 지지대위에 놓이는 천장을 포함하고, 상기 한 표면은 상기 천장의 내부 표면을 포함하고, 상기 용량성 클리닝 전극은 상기 천장의 외부 표면에 인접한 얇은전도층포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 14] 제13항에 있어서,컨덕터는 상기 천장의 상기 외부 표면에 인접한 유도 안테나를 포함하고, 상기 얇은 전도층은 상기 유도 안테나보다는상기천장더가까이에놓이는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 15] 제14항에 있어서,전도층은 상기 유도 안테나로부터 상기 얇은 전도층을 통해 상기 챔버로 rf전력의 유도결합을 허용하는다수의장치포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 16] 제15항에 있어서,전도층은 상기 장치에 의해 분리된다수의아암포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 다수의 아암은 스타형 패턴으로 방사되는중앙정점연결되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 18] 제12항에 있어서,상기 챔버내의 웨이퍼 지지대와 상기 웨이퍼 지지대 둘레의 포커스 링을 더 포함하고, 상기 한 표면은 상기 플라즈마에 직면하는 상기 포커스링의 외부 표면을 포함하고, 상기 용량성 클리닝 전극은 상기 외부 표면에 대향하는 상기 포커스 링의 내부에 있는전도층포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 19] 제12항에 있어서,상기 챔버는 측벽을 포함하고 상기 반응기는 상기 측벽으로부터 분리된 전도형 요소를 포함하는데, 상기 반응기는 상기 웨이퍼의 처리중에 상기 측벽과 상기 전도형 요소양단에 연결되어 상기 측벽으로부터 오염 용착물의 충격을 촉진시키는 rf전원더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 챔버는 천장을 더 포함하고, 상기 전도형 요소는 상기 측벽과 상기 챔버의 천장사이에 위치된가스분배링포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 21] 제14항에 있어서,상기 유도 안테나에 연결된 플라즈마 rf전원공급장치더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 정전 용량 클리닝 전극에 연결된 클리닝 rf전원공급장치더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 용량성 클리닝 전극에 연결된상기유도안테나의탭더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 24] 제18항에 있어서,상기 웨이퍼 지지대에 연결된 바이어스 rf전원공급장치더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 용량성 클리닝 전극에 연결된 클리닝 rf전원공급장치더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기 웨이퍼대와 상기 용량성 클리닝 전극사이에연결부더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 27] 제22항에 있어서,상기 클리닝rf전원공급장치는 상기 플라즈마를 통해 상기 정전 용량 클리닝 전극으로부터 rf전력의 투과를 제한하기 위해 상기 플라즈마 rf전원공급장치의 주파수보다 낮은 rf주파수갖는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 28] 제25항에 있어서,상기 클리닝rf전원공급장치와 상기 바이어스 rf전원공급장치는 위상이 서로 다른 rf신호발생하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기서로 다른 위상은서로반대위상인것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 30] 제12항에 있어서,상기 용량성 클리닝 전극에 연결된 상기 rf전원은 rf전력의 상기 플라즈마를 통해 상기 용량성 클리닝 전극으로부터 투과가 제한되도록 상기 컨덕터에 연결된 상기 rf전원주파수인것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 31] 제12항에 있어서,상기 용량성 클리닝 전극에 연결된 상기 rf전원은 다른 때에 상기 플라즈마로부터 상기 웨이퍼 및 상기 한 표면으로 충격입자가 이끌리도록 상기 컨덕터에 연결된 상기 rf전원위상인것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 32] 제12항에 있어서,상기 컨덕터에 연결된 상기 rf전원은 상기 플라즈마의 임피던스의 변화에 따르도록 상기 rf임피던스 정합네트워크에 의해 조정되는 가변 리액턴스의 반응 요소를 갖는 rf임피던스 정합 네트워크를 포함하고, 상기 정전 용량 클리닝 전극에 연결된 상기 rf전원은 상기 rf발생기에 의해 발생된 rf전력의 크기를 제어하는 제어입력을 갖는 rf전력 발생기를 포함하는데, (a)상기 rf임피던스 정합 네트워크의 상기 가변 반응 요소의 리액턴스를 주기적으로 감지하는 압력; 및 (b)상기 rf발생기의 상기 제어 입력에 연결된 출력을 포함하고, 상기 rf임피던스 정합 네트워크의 상기 가변 반응 요소의 리액턴스의 변화에 대응하는 상기 출력에서 에러 신호를 발생하는피드백처리기더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 공급수단은 상기 한 표면에 인접하여 상기 rf전원공급장치에 연결된용량성클리닝전극포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 35] 제33항에 있어서,상기 공급수단은 상기 rf전원공급장치로부터 상기 한 표면에 연결된 전기적 직렬접속부를포함하는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 36] 제34항에 있어서,상기 정전 용량 클리닝 전극은 상기 플라즈마와의 접촉으로부터 보호되도록 상기 플라즈마에 대향하는 상기 한표면의측면위치되는것을특징으로 하는플라즈마 반응기. [청구항 38] 제37항에 있어서,전원공급장치를 제공하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 처리중에 상기 전원공급장치로부터 rf전력을 상기 한 표면에 공급하는단계포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리방법.