문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판;
상기 기판상에 형성됨과 더불어 제 1 및 제 2 콘택홀을 구비한 제 1 절연막
상기 제 1 콘택홀을 통하여 상기 기판과 콘택하는 비트라인
상기 비트라인 양 측벽에 형성된 제 2 절연막 스페이서
상기 비트라인 상부에 형성된 제 3 절연막
상기 제 2 콘택홀을 통하여 상기 기판과 콘택하고 상기 제 1 절연막 상에 형성됨과 더불어 상기 제 2 절연막 스페이서 양 측벽에 접하는 캐피시터의 스토리지 노드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제 2 절연막은산화막인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제 2 절연막은질화막인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제 3 절연막은 산화막 및 질화막이 순차적으로 적층된막인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 스토리지 노드 전극은 상기 제 2 콘택홀을 통하여 상기 기판과 콘택함과 더불어 상기 제 1 절연막 상에 형성된 폴리실리콘막과, 상기 폴리실리콘막 상에 형성되고 상기 제 2 절연막 스페이서의 양 측벽에 형성된반구형폴리실리콘막구비하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 5에 기재된 내용을 바탕으로, 캐피시터의 스토리지 노드 전극이 구성되는 구체적인 적층 구조와 각 구성 요소의 형성 위치는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 5를 결합하여 캐피시터 스토리지 노드 전극의 적층 구조와 각 구성 요소의 위치를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 스토리지 노드 전극이 제 2 콘택홀을 통해 기판과 콘택하고 제 1 절연막 상에 형성되며 제 2 절연막 스페이서 양 측벽에 접함을 확인한다.
- 상기 제 2 콘택홀을 통하여 상기 기판과 콘택하고 상기 제 1 절연막 상에 형성됨과 더불어 상기 제 2 절연막 스페이서 양 측벽에 접하는 캐피시터의 스토리지 노드 전극
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3근거 선택
evidence_selection청구항 5에서 스토리지 노드 전극이 폴리실리콘막과 반구형 폴리실리콘막의 적층 구조임을 추출한다.
- 상기 스토리지 노드 전극은 상기 제 2 콘택홀을 통하여 상기 기판과 콘택함과 더불어 상기 제 1 절연막 상에 형성된 폴리실리콘막과, 상기 폴리실리콘막 상에 형성되고 상기 제 2 절연막 스페이서의 양 측벽에 형성된반구형폴리실리콘막구비
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4논리 통합
logical_integration스토리지 노드 전극은 하부에 제 1 절연막 상에 형성된 폴리실리콘막이 있고, 그 상부에 제 2 절연막 스페이서 양 측벽에 접하는 반구형 폴리실리콘막이 적층된 구조이다.
- 상기 제 1 절연막 상에 형성된 폴리실리콘막과, 상기 폴리실리콘막 상에 형성되고 상기 제 2 절연막 스페이서의 양 측벽에 형성된반구형폴리실리콘막
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5결론 도출
conclusion_formulation스토리지 노드 전극은 기판과 콘택되는 폴리실리콘막이 제 1 절연막 위에 놓이고, 그 위에 반구형 폴리실리콘막이 얹혀진 2단 적층 구조이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 적층 구조와 위치를 상세히 기술한다.
최종 답변 (final_answer)
캐피시터의 스토리지 노드 전극은 폴리실리콘막과 반구형 폴리실리콘막이 적층된 구조로 구성된다. 구체적인 형성 위치는, 하부의 폴리실리콘막이 제 2 콘택홀을 통해 기판과 콘택하며 제 1 절연막 상에 형성되고, 상부의 반구형 폴리실리콘막은 상기 폴리실리콘막 상에 형성됨과 동시에 제 2 절연막 스페이서의 양 측벽에 접하도록 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제 1 절연막 상의 폴리실리콘막과 그 상부에 형성된 반구형 폴리실리콘막의 적층 구조를 통해, 제 2 절연막 스페이서와 접촉하는 캐피시터 스토리지 노드 전극을 형성하는 기술에 관한 것이다.