고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 document_id 1019960075481

[청구항 1] 반도체 기판의 표면 및 그 표면에서 에피택셜 성장된 층에 구성되는 복수개의 광전 변환 영역과, 상기 광전 변환 영역들의 사이에 반도체 기판내에 구성되어 그 영역들에서 생성된 영상 전하를 일방향으로 전송하는 ccd 채널 영역들과, 상기 ccd 채널 영역들상에 절연층들에 의해 서로 절연되고 광전 변환 영역들에 각각 대응하여 반복적으로 구성되는 제 1, 2 폴리 게이트들을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,광전 변환 영역을 제외한 절연층상에는금속차광층형성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,광전 변환 영역들nan은볼록형태구성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,광전 변환 영역들은 제 1,2폴리게이트들구성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,광전 변환 영역들의 둘레에는채널스톱층구성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,채널 스톱층nan은반도체기판의표면구성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,광전 변환 영역들, 금속 차광층을 포함하는 전면에는 패시베이션막 그리고 평탄화용 절연층이 적층되고 상기 평탄화용 절연층상에는 각각의 광전 변환 영역들에 대응하여칼라필터층그리고마이크로 렌즈층구성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 8] n-sub에 형성되는 형성되는 p-well 영역의 표면 및 그위로 성장된 n형 에피택셜층 에 형성되는 광전 변환 영역과, 상기의 광전 변환 영역들 사이의 p-well 영역내에 형성되는 ccd 채널 영역들과, 상기 광전 변환 영역들 둘레의 p-well 영역내에 형성되는 채널 스톱층과, 상기 ccd 채널 영역들의 상측에 절연층에 의해 절연되고 서로 일정 부분 오버랩되어 반복적으로 형성되는 복수개의 제 1, 제 2 폴리 게이트들과, 상기 광전 변환 영역을 제외한 절연층상에 형성되는 금속 차광층과, 상기 금속 차광층을 포함하는 전면에 형성되는 패시베이션막과, 상기 패시베이션막상 에 형성되는 평탄화용 절연층과, 상기 광전 변환 영역에 대응하여 그 상측의 평탄화용 절연층상에 형성되는 칼라 필터층과, 상기 칼라 필터층을 포함하는 전면에 형성되는 탑 코팅층에 상기 광전 변환 영역들에 촬상되는 빛의 신호를 집속시키기 위해 형성되는 마이크로 렌즈를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자 [청구항 9] 제 8 항에 있어서,광전 변환 영역들nan은볼록형태구성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,광전 변환 영역들은 제 1,2폴리 게이트구성되는것을특징으로 하는고체 촬상 소자.