문맥 (context)
[청구항 1]
소자분리 절연막 사이에 액티브 영역을 구비한 평탄한 반도체 기판
상기 액티브 영역 상에 형성된 게이트 절연막 및 절연막 스페이서를 구비한 게이트
상기 게이트 양 측의 상기 액티브 영역에 형성된 소오스/드레인의 접합영역
상기 게이트 상부, 상기 접합 영역 및 그와 접하는 상기 소자분리 절연막의 소정 부분 상에 형성된 금속 실리사이드 층
상기 기판 전면에 형성되고 상기 게이트 및 소자분리 절연막 상의 금속 실리사이드층을 소정 부분 노출시키는 콘택홀 을 구비한 절연막
및,
상기 콘택홀을 통하여 상기 게이트 및 소자분리 절연막 상의 금속 실리사이드층과 콘택하는 금속 배선층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 소자분리 절연막은 트렌치형 소자분리절연막인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 접합 영역 상부의 금속 실리사이드층nan은상기소자분리절연막상서로이격된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 금속은 전이금속인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 금속은티타늄인것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자에서 금속 실리사이드 층이 형성되는 구체적인 위치들을 모두 나열하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1에 기재된 반도체 소자 내에서 금속 실리사이드 층이 형성되는 구체적인 위치들을 모두 찾아 나열해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1의 문맥에서 금속 실리사이드 층의 형성 위치를 설명하는 구절을 추출한다.
- 상기 게이트 상부, 상기 접합 영역 및 그와 접하는 상기 소자분리 절연막의 소정 부분 상에 형성된 금속 실리사이드 층
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3근거 선택
evidence_selection금속 실리사이드 층의 위치를 명시한 핵심 구절을 선택한다.
- 상기 게이트 상부, 상기 접합 영역 및 그와 접하는 상기 소자분리 절연막의 소정 부분 상에 형성된 금속 실리사이드 층
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4논리 통합
logical_integration추출된 위치 정보들을 결합하여 게이트 상부, 접합 영역, 소자분리 절연막의 소정 부분임을 확인한다.
- 상기 게이트 상부, 상기 접합 영역 및 그와 접하는 상기 소자분리 절연막의 소정 부분
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 '모두 나열' 형식에 맞춰 위치들을 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종적으로 금속 실리사이드 층이 형성되는 세 가지 위치를 리스트 형태로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 게이트 상부, 2. 접합 영역, 3. 접합 영역과 접하는 소자분리 절연막의 소정 부분
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 게이트 상부, 접합 영역 및 소자분리 절연막의 일부 영역에 금속 실리사이드 층을 형성하여 금속 배선층과 연결되는 구조를 가진 반도체 소자에 관한 것이다.