문맥 (context)
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 제1 도전층과 제1 및 제2 구리층사이와 상기 제2 구리층 전면에는 각각 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막이 있는 것특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 21]
제20항에 있어서,상기 제1 내지 제3 산화막이 자연산화막, 비 도전성 산화막 또는 도전성 산화막중 어느 한물질막인것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 도전성 산화막이ruo2막 또는 iro2막중 어느 한물질막인것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 23]
제19항에 있어서,상기 제1 도전층이 cvd방식으로 형성된 알루미늄(al)층, 텅스텐(w)층, 구리(cu)층, 백금(pt)층 및 금(au)층으로 이루어진 일군중 선택된 어느 한물질층인것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기cvd방식으로 형성된 어느 한 물질층인 상기 제1 도전층과 상기 제2 구리층 사이에는 pvd방식으로 형성된제2도전층더구비하는것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 25]
제24항에 있어서,상기 제2 도전층은 알루미늄층인것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 26]
제19항에 있어서,상기 제2 구리층의 전면에는 cvd방식으로 형성된도전층접촉되어있는것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 27]
제19항에 있어서,상기 제2 구리층의 전면에는 pvd방식으로 형성된도전층접촉되어있는것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 28]
제19항에 있어서,상기 제2 구리막의 전면에는복합도전층접촉되어있는것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
[청구항 29]
제28항에 있어서,상기 복합 도전층은 알루미늄층/구리층/실리콘층인것을특징으로 하는반도체장치의 금속배선.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체장치의 금속배선에서 제1 도전층과 제2 구리층 사이, 그리고 제2 구리층 전면에 배치되는 산화막들의 구성 물질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 도전층과 제2 구리층 사이, 그리고 제2 구리층 전면에 배치되는 산화막들의 구성 물질을 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 20항에서 해당 위치에 제1, 제2, 제3 산화막이 존재함을 확인하고, 청구항 21항에서 이들의 물질 종류를 추출한다.
- 상기 제1 도전층과 제1 및 제2 구리층사이와 상기 제2 구리층 전면에는 각각 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막이 있는 것
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3근거 선택
evidence_selection산화막의 구성 물질을 명시한 청구항 21항과 22항의 내용을 선택한다.
- 상기 도전성 산화막이ruo2막 또는 iro2막중 어느 한물질막인것
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4논리 통합
logical_integration산화막은 자연산화막, 비 도전성 산화막, 도전성 산화막 중 하나이며, 도전성 산화막의 경우 ruo2막 또는 iro2막이 될 수 있음을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 산화막의 구성 물질을 리스트 형태로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
자연산화막, 비 도전성 산화막, 도전성 산화막(ruo2막 또는 iro2막)
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 금속배선 구조에서 제1 도전층과 구리층 사이 및 구리층 전면에 배치되는 산화막의 종류와 그 세부 구성 물질(도전성 산화막의 경우 ruo2 또는 iro2)을 정의한다.