캐패시터의 제조 공정과 그 공정에 의해 만들어진 캐패시터 document_id 1019960700367

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 리모트 니트로겐 플라즈마는플로잉리모트코울드플라즈마라는것을특징으로 하는캐패시터 제조 공정. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 금속 성분(f)이 놓여있는 리액터(8)은 플라즈마를 발생시키는 방전이 유지되는 캐비티(6)로부터 일정거리 떨어져 놓여지므로써 상기 리액터(8)는 사실상 어떤전자나이온들않는것을특징으로 하는캐패시터 제조 공정. [청구항 4] 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 니트로겐 압력이 1hpa과사이에있는것을특징으로 하는캐패시터 제조 공정. [청구항 5] 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서,상기 증착이 수행되는 금속 성분(f)은 외부의 어떤 열유입에 놓여않는것을특징으로 하는캐패시터 제조 공정. [청구항 6] 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기 증착 프리커서 가스가 플라즈마를 발생시키는 방전이 유지되는 캐버티(6)의 출구와 상기 리액터(8)의 입구 사이에유입되는것을특징으로 하는공정. [청구항 7] 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서,오르가노 실리콘 복합물은 다음의 화학식 알콜시실란과, (여기서, n은 5와 같거나 적고)다음 화학의 실록산과, (여기서, n은 4와 같거나 적으며)다음 화학식의 실리산: (여기선택되어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 오르가노 실리콘 복합물이 테트라 메틸디 실록산 이라는 것특징으로 하는공정. [청구항 9] 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체(15)의 증착 속도를 촉진시키기 위해 상기 증착동안 산소가 상기 리액터(8)내유입되는것을특징으로 하는공정. [청구항 10] 제9항에 있어서,화학식nh3, nf3, cf4, sf6의 물질로부터 선택된 도펀트는상기증착동안상기리액터유입되는것을특징으로 하는공정. [청구항 11] 제10항에 있어서,티타늄 산화물이산소또는도펀트혼합되는것을특징으로 하는공정. [청구항 12] 제1항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서,유전체 증착 두께가 0.02 미크론에서5미크론사이에있는것을특징으로 하는공정. [청구항 14] 제13항에 있어서,와운드 포일 캐패시터는 전력 캐패시터를 구성하기 위한 용량 성분이라는 것특징으로 하는공정. [청구항 15] 제1항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 성분은 와이어 캐패시터 제조를 위한와이어인것을특징으로 하는공정.