문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 배리어 금속막은 상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 배리어 금속막은 tin 또는 wn막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1 고융점금속막은 w막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제2 고융점금속막은 w막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 용량소자는 상기 misfet의상부형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 데이터선중의 하나는상기용량소자의하부형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 용량소자는상기비트선중의하나의상부형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 배리어 금속 스트립은 tin 또는 wn막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 비트선중의 하나는 다결정실리콘 도전막을 경유해서 상기 소오스 및 드레인영역중의하나접속되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 용량소자는금속의 제1 전극,상기 제1 전극의 상부에 형성되는 유전체막 및상기 유전체막의 상부에 형성되는제2전극구비하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 유전체막은 ta2o5, bst 및 pzt를 포함하는군선택되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 금속의 제1 전극은 pt, ir, iro2, rh, rho2, ru, ruo2, os, oso2, re, reo3 및 pd를 포함하는군선택되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 비트선nan은상기워드선의상부형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 워드선과 상기 비트선 사이에 개재된 제1 절연막 및상기 비트선과 상기 용량소자 사이에 개재된제2절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 용량소자는상기비트선중의하나의상부배치되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 21]
제19항에 있어서,상기 금속막은 tin막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 제2 고융점금속막은 w막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 23]
제19항에 있어서,상기 배리어금속막은 상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해배치되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 25]
제24항에 있어서,상기 용량소자는상기비트선중의하나의상부배치되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 26]
제24항에 있어서,상기 금속막은 tin막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 27]
제26항에 있어서,상기 제2 고융점금속막은 w막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 28]
제24항에 있어서,상기 배리어금속막은 상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해배치되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 30]
제29항에 있어서,상기 용량소자는상기비트선중의하나의상부배치되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 31]
제29항에 있어서,상기 금속막은 tin막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 32]
제31항에 있어서,상기 제2 고융점금속막은 w막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 장치.
[청구항 33]
제29항에 있어서,상기 배리어 금속막은 상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해배치되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 35]
제34항에 있어서,상기 용량소자는상기비트선중의하나의상부배치되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 36]
제34항에 있어서,상기제1 및 제2 고융점금속막은 w막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
[청구항 38]
제37항에 있어서,상기제1 및 제2 고융점금속막은 w막포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 집적회로 장치에서 배리어 금속막이 형성되는 목적은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체 집적회로 장치 내 배리어 금속막의 형성 목적을 청구항 문맥에서 찾아 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2, 23, 28, 33에서 배리어 금속막의 역할에 관한 기술적 내용을 확인한다.
- 상기 배리어 금속막은 상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치
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3근거 선택
evidence_selection배리어 금속막의 목적을 직접적으로 명시한 '상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지' 구절을 선택한다.
- 상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해형성되는것
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4논리 통합
logical_integration배리어 금속막이 다결정실리콘막과 제1 고융점금속막 사이에서 반응을 막는 역할을 한다는 점을 연결한다.
- 상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해형성되는것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 배리어 금속막의 목적은 다결정실리콘막과 제1 고융점금속막의 반응을 방지하는 것임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 근거를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 다결정실리콘막과 상기 제1 고융점금속막의 반응 방지를 위해 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 배리어 금속막을 통해 다결정실리콘막과 고융점금속막 사이의 화학적 반응을 차단함으로써 소자의 안정성을 확보하는 기술을 포함한다.